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当社のPCB基板・FPC基板解析サービスでは、部品ごとに部品表や回路図と 共通の番号を割り振り、各部品の搭載位置を示します。 部品番号は「回路図」や「部品表」と共通の番号なので、回路での使われ方、 部品の仕様が確認可能。 未実装（NM：Non Mount）の場合は、「NM000」のように未実装箇所ごとに 番号を割当て、回路図上でも未実装であることがわかるようにしています。 【特長】 ■部品ごとに部品表や回路図と共通の番号を割り振り、 各部品の搭載位置を示す ■未実装の場合は、「NM000」のように未実装箇所ごとに番号を割当て、 回路図上でも未実装であることがわかるようにする ■テストポイントの反映はオプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社のPCB基板・FPC基板解析サービスでは、抽出した配線情報から フラットな回路図を作成し、電源ノードやメイン経路などを見極めながら、 動作が把握しやすいように機能的にまとめていきます。 アウトプットは、全体の機能と信号の流れを示したブロック図と 詳細な回路図(Schematic)から構成。 接続情報だけわかればいい場合は、フラットな回路図(まとめなし)での 納品も可能で、この場合さらにお安くご提供できます。 【特長】 ■抽出した配線情報からフラットな回路図を作成 ■アウトプットは、全体の機能と信号の流れを示したブロック図と 詳細な回路図(Schematic)から構成 ■OrCADデータでの納品も対応可能(オプション) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社のPCB基板・FPC基板解析サービスでは、基板から取り外した部品について調査し、 品種や素子定数の特定を行います。 部品番号は、「回路図」や「搭載部品位置」と共通の番号なので、部品の仕様、回路での 使われ方、レイアウト上の搭載位置が確認可能。 当社独自のデータベースにより、大半のICは機能を特定できますが、ASICのような特殊な ICについては特定できないことがあります。この場合、ICのチップを取り出すことで、 チップマーキングによるメーカーの確認や機能推定も承りますので、別途ご相談下さい。 【特長】 ■基板から取り外した部品について調査し、品種や素子定数の特定を行う ■部品の仕様、回路での使われ方、レイアウト上の搭載位置が確認可能 ■コスト調査を目的とした部品表のみのご依頼も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社のPCB基板・FPC基板解析サービスでは、基板を各層ごとに除膜して 配線情報を抽出します。 車載用基板のご依頼が多いですが、スマートホンのような高密度実装基板や 高周波やカメラモジュールのセラミック基板など、用途が限定される基板に ついても実績が豊富にあります。 また、ガーバーフォーマットやDFXフォーマットでのご提供も可能です。 （オプション） 【特長】 ■スマートホンのような高密度実装基板や高周波やカメラモジュールの セラミック基板など、用途が限定される基板についても実績あり ■ガーバーフォーマットやDFXフォーマットでのご提供も可能（オプション） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-MOSFETチップは200Aクラスの駆動電流で低ON抵抗（LTECで測定）と なっており、チップサイズは自動車用途としては最大クラスです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概要 ■レポート内容 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、『Volkswagen ID.3搭載BOSCH製DCDCコンバータ』の 基板回路解析レポートです。 「Volkswagen ID.3」は、2020年9月上旬から納車を欧州で開始。 EV専用として開発されたプラットフォーム「MEB」を採用しました。 今回は、搭載DCDCコンバータの製品分解＋基板の回路解析レポートに なります。 【掲載概要（抜粋）】 ■概要 ■製品特長 ■解析内容 ■レポート価格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、『2021 デンソー製パワーカードモジュール,SiC-MOSFETチップ』 の解析レポートです。 本製品は、2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーター パワーモジュールに採用されているSiC-MOSFET搭載のパワーカードです。 昇圧コンバータは、出力電圧Vo＝650Vおよび入力電流Iin＝570Aです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概要 ■レポート内容 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、『TOYOTA Yaris（HV）搭載PCU（DCDCコンバータ： 豊田自動織機製）』の基板回路解析レポートです。 トヨタの代表的なコンパクトカー ヴィッツが社名を「ヤスリ」に変えて 2020年2月に発売。 従来方式（プリウスに搭載）である「THSII（Toyota Hybrid SystemII）」を 進化させたシステムを搭載。今回は制御ユニットが解析対象です。 【掲載概要（抜粋）】 ■概要 ■製品特長 ■レポート内容 ■レポート価格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性化エネルギーを算出。 インフィニオン社製IGBT7と比較しています。 【解析のポイント】 ■モジュール解析レポートでは、モジュールの内部構成を確認し、RC-IGBTの 配置及びレイアウトを明らかにしている ■チップ構造解析レポートでは、RC-IGBTのIGBT、FWD領域の平面レイアウト 及び断面構造を明らかにしている ■プロセス解析レポートでは、RC-IGBTのプロセス技術に関する考察、 マスク枚数及び製造プロセスフローを推定している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート ・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている ・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート ・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 内蔵Bodyダイオード特性と比較している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『高温動作パワートランジスタの解析レポート』を ご提供しております。 本レポートは、SiC系のSTMicro製のパワーMOSFET(SCT30N120)が どのようにして高温(Tj=200℃)での動作を実現したのかについて 着目して解析を行った技術レポートです。 【解析技術】 ■半導体チップ構造/材料(デバイス材料、熱膨張に対する技術について) ■ボンディングワイヤ(熱サイクルにより発生するクラックや剥離に 対する技術について) ■ダイアタッチ材の構造、材料(温度耐性に対する工夫について) ■モールド封止樹脂(特殊材料添加による温度耐性強化について) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『TOYOTA Yaris(HV)搭載PCU(DCDCコンバータ：豊田自動織機製) 基板回路解析レポート』をご提供しております。 TOYOTAのYarisは従来方式(プリウスに搭載)であるTHS II(Toyota Hybrid System II)を 進化させたシステムを搭載しており、本レポートではその制御ユニットを 解析対象としています。 【レポート内容】 ■PCU分解(PCU裏面側からのDCDCコンバータモジュール取り出しのみ) ■DCDCコンバータモジュール分解 ■DCDCコンバータ基板の基板各層レイアウト、機能ブロック図、 詳細回路図、部品表 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic) ■PKG観察、X線観察、チップ観察 ■チップ平面観察 ■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析 ■GaNエピ層TEM-EDX材料分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『Jaguar_I-Pace搭載Continental製インバーターIGBT制御基板 回路解析レポート』をご提供しております。 レポートは、製品分解、搭載IGBT制御基板の部品回路解析となります。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【解析内容】 ■INVユニットの分解工程 ■IGBT制御基板の搭載部品リスト ■システム構成図および詳細回路図 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、『BYD元 EV360搭載 BYD内製バッテリー制御基板 (セル電圧監視基板)回路解析レポート』をご提供しております。 電池制御基板一式(電池ECU、セル電圧監視、通信用Gateway)の 解析を行っております。 【解析内容】 ■セル電圧監視基板の搭載部品リスト ■ブロック図 ■詳細回路図 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、高度なPSiPで使用されるパッケージング技術を明確にするための 代表的な製品を選択して解析した『ANALOG DEVICES製PSiP(Power Supply in Package) LTM4700 uModuleレギュレータ構造・実装解析レポート』を ご提供しております。 本解析レポートでは、LTM4700製品のパフォーマンスを達成するために 使用される技術を明らかにしています。 【レポート内容】 ■大電流スイッチングMOSFETの構造とパッケージ配置 ■HS/LSハーフブリッジ、ソースダウン配置のLS FET ■シールドダブルポリSiトレンチMOSFET構造で面積効率が高い ■両面Cuリードフレームパッケージを解析 ■コントローラーICを特定 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物理的メカニズムを特定するための解析評価 ■破壊までの臨界温度および破壊エネルギーが抽出される ■破壊モードとの物解析を行う ■INFINEONと他社の1200Vトランジスタの短絡耐量を比較する ■短絡耐性を高めるためのトランジスタ構造とプロセスの変化を明らかにする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エルテックでは、豊富な実績による解析調査データベースを活用し、 お客様の要望に合わせて詳細でタイムリーな解析レポートを提供します。 "コンペチタの新製品情報、技術力情報が欲しい" "半導体製品の回路図やデバイス構造が知りたい" "特許ライセンス交渉時に相手先の技術情報が欲しい" こんなご要望が出た時、 半導体製品解析を御社の設計・開発エンジニアが担当していませんか？ ぜひ当社へお任せください。優れた解析技術でお答えします。 【半導体製品】 ■シリコン半導体、化合物半導体 ■パワーデバイス、高周波デバイス、集積回路(～14nm)、 センシングデバイス、MEMS ■各種モジュール (高周波モジュール、パワーモジュール、センサーモジュール) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
工事不要で使えるガス式の自動給油器。防爆エリア対応で廃棄も簡単
