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株式会社スパッタコア 本社

設立2025年12月25日
資本金1000万
住所大阪府大阪市淀川区西中島6丁目3番32号 第2新大阪ビル 707号室
電話06-6732-9818
  • 特設サイト
  • 公式サイト
最終更新日:2025/11/10
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金属ターゲット  金属ターゲット 
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セラミックターゲット セラミックターゲット
酸化物ターゲット 酸化物ターゲット
その他の各種ターゲット  その他の各種ターゲット 
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【電子部品向け】高純度Hfターゲット

電子部品の誘電体膜に。高純度Hfターゲットで信頼性向上

電子部品業界において、誘電体膜の性能は製品の信頼性を左右する重要な要素です。特に、小型化が進む中で、薄膜の均一性、高純度、内部欠陥の無さが求められます。Hfターゲットは、これらの要求に応えることで、電子部品の性能向上に貢献します。 【活用シーン】 ・誘電体膜の形成 ・コンデンサ、メモリデバイス ・薄膜トランジスタ 【導入の効果】 ・高純度による誘電特性の向上 ・均一な膜厚による性能安定化 ・内部欠陥の排除による信頼性向上

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【医療向け】ハフニュウム(Hf)ターゲット

高純度Hfターゲットで、造影剤の品質向上をサポート

医療業界において、造影剤の品質は診断精度に直結し、患者さんの健康を左右する重要な要素です。造影剤の性能を最大限に引き出すためには、高品質な材料の選定が不可欠です。当社のハフニュウム(Hf)ターゲットは、高純度と均一性を実現し、造影剤の製造プロセスにおける品質向上に貢献します。 【活用シーン】 ・造影剤製造 【導入の効果】 ・造影剤の品質向上 ・診断精度の向上

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【航空宇宙向け】ハフニュウム(Hf)ターゲット

航空宇宙分野の耐熱性を向上させる高純度Hfターゲット

航空宇宙業界では、高温環境下での部材の耐久性が重要です。特に、ロケットや航空機のエンジン部品においては、耐熱性と安定性が求められます。ハフニュウム(Hf)ターゲットは、これらの要求に応えるべく開発されました。 【活用シーン】 ・ロケットノズル ・航空機エンジン部品 ・耐熱コーティング 【導入の効果】 ・耐熱性の向上 ・薄膜堆積の安定性 ・製品寿命の延長

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【原子力制御棒向け】ハフニュウム(Hf)ターゲット

高純度Hfターゲットで、原子力制御棒の信頼性を向上

原子力業界において、制御棒は原子炉の安全な運転に不可欠です。制御棒の性能は、原子炉の出力調整と安全確保に直結するため、その構成材料には高い信頼性が求められます。ハフニュウム(Hf)は、その優れた中性子吸収能力から制御棒の材料として重要です。当社の高純度Hfターゲットは、制御棒の製造において、高い安全性と効率性を実現します。 【活用シーン】 ・原子力発電所 ・研究用原子炉 【導入の効果】 ・原子炉の安全な運転に貢献 ・高い中性子吸収能力による効率的な制御 ・長期的な信頼性の確保

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【半導体向け】高純度ハフニウム(Hf)ターゲット

半導体薄膜形成に。高純度Hfターゲットで高品質な薄膜を。

半導体業界では、デバイスの高性能化に伴い、薄膜の品質が重要視されています。特に、Hf(ハフニウム)ターゲットを用いた薄膜形成においては、ターゲット材の純度と均一性が、薄膜の特性を大きく左右します。不純物の混入や結晶粒径のばらつきは、薄膜の信頼性低下につながる可能性があります。当社の高純度Hfターゲットは、高品質な薄膜形成をサポートします。 【活用シーン】 ・半導体製造における薄膜形成 ・スパッタリングによるHf薄膜の作製 ・高性能デバイス製造 【導入の効果】 ・高品質な薄膜の実現 ・デバイス性能の向上 ・歩留まりの改善

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【半導体向け】錫(Sn)ターゲット

錫(Sn)ターゲット 純度≧4N

半導体業界では、配線の微細化と高品質化が求められています。配線の信頼性を高めるためには、材料の純度と導電性が重要です。不適切な材料や製造プロセスは、配線の断線や性能劣化につながる可能性があります。当社の錫(Sn)ターゲットは、高純度と優れた導電性により、半導体配線の高品質化に貢献します。 【活用シーン】 ・半導体製造における配線形成 ・ITO薄膜の製造 【導入の効果】 ・高純度材料による配線信頼性の向上 ・優れた導電性による性能向上 ・均一な成膜による歩留まり向上

  • その他金属材料

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鉄(Fe)スパッタリングターゲットFe 蒸着用アイロンターゲット

薄膜形成や超伝導材料、耐熱・耐食性用途に用いられる純度99.9%の鉄(Fe)材料!

■純度:99.9%~99.999% ■理論密度(16.6 g/cm³) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 鉄鋼
  • その他金属材料

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単結晶シリコン (Si)ターゲット 結晶方向1‐0‐0純度>9N

1-0-0単結晶シリコン; 円型シリコンターゲット;研究用 実験用 大学研究シリコン 高純度9N 抵抗値≦0.01オーム

■純度>99.9999999% ■密度(2.33/cm³)   ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他高分子材料

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多結晶シリコンSiポリシリコンターゲットN型P型NonDope

多結晶シリコンターゲット蒸着用CVD装置、アニール炉拡散炉などの装置の部材として使用、高い純度と熱特性が求められる用途に最適材料

■純度>99.999% ■密度(2.33/cm³) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他高分子材料
  • 複合材料

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酸化二ケルNiOターゲット高密度高純度光触媒用保護膜用磁性薄膜用

抵抗変化型メモリ(RRAM)、透明導電性薄膜(TCO)、ガスセンサー、スピントロニクスとして使用可能な酸化二ケル材料!

■純度>99.99% ■理論密度(6.67g/cm³) ■製造方法:焼結法、HP法  ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • ステンレス
  • ファインセラミックス

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酸化ニオブ(Nb2O5)ターゲット

高い屈折率を利用して、カメラ用レンズなどの光学製品の小型化や高性能化に貢献!積層セラミックコンデンサの誘電率を高める添加材として

■純度>99.9% ■密度(4.47 g/cm³) ■製造方法:HIP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • レアメタル
  • その他金属材料

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五酸化バナジウムV2O5ターゲット蒸着材高純度薄膜電子材料

五酸化バナジウム(V2O5)ターゲット V2O5薄膜用 

■純度>99.9% ■理論密度(4.26 g/cm³) ■HP製造法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 複合材料
  • その他金属材料

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酸化チタン(TiO2)ターゲット

半導体製造プロセスや、HDDなどの記録メディア、フラットパネルディスプレイなどの薄膜形成に使用な酸化チタン!

■純度>99.9% ■密度(4.49 g/cm³) ■製造方法:HIP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他金属材料
  • 複合材料

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酸化スズ(SnO)ターゲット

電極として使用され、画面を構成する重要な材料!透明な電極として、画面のタッチ操作を可能、帯電防止膜、電磁波遮蔽膜などに!

■純度>99.99% ■密度(7.15/cm³) ■製造方法:焼結法、HP法    ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • ファインセラミックス
  • 複合材料

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酸化インジウム(In2O3)ターゲット

液晶、有機EL、プラズマディスプレイなどでの電圧印加用電極材等で使用可能な酸化インジウム材料

■純度>99.99% ■密度(7.15/cm³) ■製造方法:焼結法  ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • ファインセラミックス
  • 複合材料

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酸化アルミ(Al2O3)ターゲット

チップ製造における絶縁膜や、その他の高性能電子部品の製造、センサー、ソーラーパネル、ディスプレイなどの光学機器の表面改質に!

■純度>99.9% ■密度(3.95 g/cm³) ■製造方法:粉末冶金法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • アルミニウム
  • 複合材料

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ニッケルカッパー(NiCu)ターゲット

半導体集積回路(VLSI)やフラットパネルディスプレイ・光ディスク・表面コーティング等に利用可能な合金材料

■純度:99.9% ■密度(8.9 g/cm³) ■製造方法:真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 合金

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ニッケルクロム(NiCr)ターゲット

薄膜形成やマイクロエレクトロニクス製造、建築ガラスのLow-E膜・液晶パネル・記録メディアなどに利用可能なニッケルクロム!

■純度:99.5%~99.95% ■密度(8.4 g/cm³) ■製造方法:真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 合金

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ニッケル・バナジウム(NiV)ターゲット

集積回路(IC)の製造、半導体・マイクロエレクトロニクス産業に貢献!高品質な薄膜を成膜可能なニッケル・バナジウム材料

■純度:99.5%~99.95% ■密度(8.4 g/cm³) ■製造方法:真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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タングステンチタン(W-Ti)ターゲット

マイクロチップのゲート回路などにおける、金属配線用の拡散防止剤や接着剤として使用可能なタングステンチタン材料

■純度:99.9% ■密度(19.3 g/cm³) ■製造方法:粉末冶金法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 合金

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インジウムアンチモン(IAO)ターゲット

静電気防止コーティングと塗料にも広く使用されており、静電気蓄積を著しく減少させ、設備と人の安全を保護することができるIAO材料

■純度>99.99% ■密度(7.15/cm³) ■製造方法:焼結法、HP法   ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • セラミックス
  • ファインセラミックス

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アルミネオジム(Al-Nd)ターゲット

フラットパネルディスプレイの配線や磁気記録媒体、磁気センサーなどに利用可能なアルミネオジム材料

■純度:99.95% ■密度(2.72 g/cm3) ■対応可能AlNd比率(wt%):90:10; 94:6; 98:2など ■真空溶解法  ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • アルミニウム
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アルミチタン(Al-Ti)ターゲット

工具・切削工具用コーティング、半導体デバイス内のトランジスタや集積回路、バリア膜などの形成に利用可能なアルミチタン材料!

■純度:99.999% ■密度(2.72 g/cm³) ■製造方法:溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • アルミニウム
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アルミシリコン(Al-Si)ターゲット

フラットパネルディスプレイの配線や磁気記録媒体、磁気センサーなどの用途に好適なアルミシリコン材料!

■純度:99.999% ■密度(2.69 g/cm³) ■製造方法:焼結法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • アルミニウム
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SiO2(石英)リング

半導体製造工程のほか、光学機器、化学実験装置、医療機器など、幅広い分野で利用な石英リング!

■純度>99.995% ■密度(2.6g/cm³) ■製造方法:焼結法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他金属材料

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C18200(Cu)バッキングプレート

バッキングプレートとして使われ、硬度≧1/2Hの合金材料!

■純度:99.97% ■密度(8.9 g/cm³) ■製造方法:真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 合金

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C18150(Cu)バッキングプレート

バッキングプレートとして使われ、硬度≧1/2Hの合金素材!

■純度>98.0% ■密度(8.9 g/cm³) ■製造方法:真空溶錬法 ■導電性≥75%IACS ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 合金

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ITO (90:10; 95:5; 97:3)低密度タブレットも

透明電極としてや画面の視覚情報を損なわずに画素を制御するために使用可能な酸化物!

■酸化物ターゲット ■製造方法:粉末冶金法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • セラミックス

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ジルコニウム(Zr)ターゲット

ジルコニウム(Zr)ターゲット 純度≧3N5、Hf≦0.2wt%,出荷中

■輸出許可書  ジルコニウム(Zr)ターゲットは中国から輸出制限され、入手困難になりつづでありますが、  弊社には関連法律に沿って、許可書申請してから常に出荷中。 ■主な特性  反り  ジルコニウム(Zr)ターゲットには反りやすい、しかもそり修正しにくい特徴があります。 ■品質保証  反り検査も含めて、GDMS純度測定など100%検品して出荷 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他金属材料

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銅(Cu)ターゲット

銅(Cu)ターゲット 純度:3N7~6N 結晶40‐80um C18200 C18150も取り扱い

タッチパネル用を含めて、半導体用も頻繁に出荷中 ■プレーナーターゲット  幅2000mm、長さ3000mmまで可能 ■ロータリターゲット  OD176*ID125*3100mmⅬ年間400トン出荷記録あり ■バッキングプレートも制作可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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チタン(Ti)ターゲット

チタンTiターゲット 最高純度≧5N5

■各種類純度対応可能 ■形状:  プレーナー  ロータリターゲット  非正常形 ■PVD、マグネトロンスパッタリングに使われる ■チタン合金ターゲットも多数取り扱い ■硬度、導電性などの薄膜特性を調整可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ニッケル(Ni)ターゲット

ニッケル(Ni)ターゲット 純度≧4N5

■高純度  半導体業界使用実績も多数あります。 ■緻密性  密度が高い、均一性がいい ■ニッケル合金も種類多く対応可能  NiCr、NiTi、NiCu、NiCuTi ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ハフニュウム(Hf)ターゲット

ハフニュウム(Hf)ターゲット 純度≧4N5 Zr≦0.1wt%

■高純度Hfターゲット、半導体業界使用実績あり  GDMS純度測定値付き ■厳しい管制の状況で、法律に従って許可書対応して輸入を行う ■民用であれば供給可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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クロム(Cr)ターゲット

クロム(Cr)ターゲット 純度≧3N8

■純度:2N5~3N8 ■製造法:HIP ■高硬度 ■耐摩耗性強い   ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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タンタル(Ta)ターゲット

タンタル(Ta)ターゲット 純度≧5N

■タンタル(Ta)ターゲットは主に物理蒸着(PVD)と化学蒸着(CVD)プロセスに用いられる ■高耐熱性、優れた耐蝕性 ■高密度(16.6g/cm3) ・高エネルギースパッタリングに適用し、薄膜堆積効率を高める ■良好な導電性 ・抵抗率が低く、半導体及び電子デバイスの応用に適している ■生体適合性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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錫(Sn)ターゲット

錫(Sn)ターゲット 純度≧4N

■高純度 ・通常純度が99.99%(4N)以上に達し、半導体、光学膜などの材料純度に対する要求が高い応用を満たすことができる ■良好な導電性 ・錫(Sn)は優れた導電性を有し、ITO薄膜の製造などの透明導電膜に適している ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ニオブ(Nb)ターゲット

ニオブ(Nb)ターゲット 純度≧3N5

■高純度 ■表面粗さはコントロール可能 ■輸出輸入許可書付き ■半導体業界に供給実績あり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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タングステン(W)ターゲット

タングステン(W)ターゲット 純度≧5N

■高純度半導体用Wターゲット ■粉末冶金法で製造 ■W合金も多種類出荷 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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