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PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing.
Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose." , We can provide a simulation. (This service presupposes a request for ion implantation.)
We can perform ion implantation processing under various conditions according to customer requirements, with a wide variety of samples from chips to 12-inch wafers. The implantation conditions range from 10 to 8,000 KeV, from room temperature to high-temperature heating (600 ° C), and about 60 types of ionic species can be handled.
DLC(ダイアモンドライクカーボン)の結晶性、膜厚の構造、水素量、密度、硬度の評価を紹介いたします。
半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。
弊社では、高精度なTEM観察用薄片サンプル作製と高度なTEM観察技術から鮮明なサブナノオーダーの構造観察が可能です。
SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。
お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）
SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 【掲載内容】 高温イオン注入 キャップ膜成膜 高温アニール処理 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。
室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10～8,000KeVまで、室温から高温加熱（600℃）まで、イオン種は約60種の対応が可能です。
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルファスとは？」や 「サンプルなどの情報の機密保持は？」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容（抜粋）】 ■Q.イオン注入とは？ ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えてください。 ■Q.イオン注入を立ち合いで確認することはできますか？ ■Q.アモルファスとは？ ■Q.サンプルなどの情報の機密保持は？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識
弊社のイオン注入サービスは装置を多数所有しているため、多種多様なニーズにお応えすることが可能です。 【特徴】 ・約60種の多様なイオン種に対応 ・小片から300mm（12インチ）まで幅広いサイズに対応 ・半導体はもちろん有機物などへの対応も可能 ・室温~600℃までの高温注入へ対応 【その他】 ・イオン注入のシュミュレーションにも対応しております。 ・高温アニール含めイオン注入前後工程のご相談ください。 ・イオン注入評価を中心に受託分析も対応しております。
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、セラミックス、半導体材料等の 表面処理等の加工 ■物理分析評価サービス業務 ■技術情報提供サービス業務 ■大学及び研究機関における研究成果および特許権、実用新案権、意匠権、 商標権等の産業財産権その他無形財産権の事業支援とその仲介 ■測定器、分析器等精密機械器具の企画、開発、製造、販売並びに技術指導 及び研究に関する業務の受託 ■電子部品及び自動制御機器の企画、開発、製造、販売並びに技術指導及び 研究に関する業務の受託 ■経営コンサルティング業務 ※詳しくは外部リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を 掲載しています。 【掲載概要】 ■深さ分解能測定の結果 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当事例集では、400LPIの銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）を マイクロESCA（Quantum-2000）により分析した結果を紹介しております。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行った結果 二次電子像に対応した銅の分布が得られ、さらにこのデータから測長機能を 利用してメッシュ間距離などを測ることができます。 【掲載概要】 ■マイクロESCAによる分析 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA （Quantum-2000）によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結果 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡（HR-TEM）】 ○高速電子線を薄く加工された試料に照射し、透過および散乱する電子の結像により拡大像や結晶構造の情報を提供する手法。 ○薄膜の構造、結晶性の評価に適している。また高分解能観察により結晶構造の観察が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 X線光電子分光分析（ESCA・XPS）】 ○X線をサンプルに照射して表面から数nmの深さから放出される光電子のエネルギー分析により元素を同定し組成・化学結合状態を分析する手法。 ○絶縁物の表面分析に適しており、Arイオンエッチングによる深さ分析や10μm径のビームによる局所分析が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 二次イオン質量分析（SIMS）】 ○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が1mm 程度ですが、当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子を決定する必要があります。 もう一点は、Si と Ge の組成比が変化する事により分析点毎のスパッタリング レートが変化するので、組成比とスパッタリングレートとの関係を求める 必要があります。 この2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析し、RSF と スパッタリングレートが決定しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビームを最適化したところ、Al0.28Ga0.72As 膜と GaAs 膜の界面での 27Al のプロファイルの傾きから深さ方向分解能を5nmまで高める事が出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/cm2] ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 (ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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