金錫（AuSn）合金ペースト　～動画で解説！使用例、特長、工法～

三菱マテリアル株式会社は、xEVや近年急速に発展するAIサーバー用電源など、高い安全性や安定した運用が求められる電子機器の異常電圧（サージ）対策のため、高速応答かつ高サージ耐量を備えた高性能雷害対策部品（サージアブソーバ）「DH53」シリーズを開発しました。 これまで当社はxEV（充電器や車載OBC）や各種電源のサージ対策用にサージアブソーバを供給し、高い評価をいただいてきました。昨今、地球温暖化の進行により異常気象となることが増え、雷雨日が増加するなど、電子機器が予期せぬサージに晒される危険が高まっています。このことから、高い安全性や安定した運用が求められる電子機器には、これまで以上に高い応答性やサージ耐量を備えたサージアブソーバが求められています。 このたび当社は、サージ耐量3,000Aまでであった従来品に対し、高サージ寿命を維持しつつ高速応答かつサージ耐量を5,000Aまで向上させたサージアブソーバ「DH53」シリーズの開発に成功しました。 今後ますます高性能化が求められるxEVの充電機器やAIサーバー用電源などの電子機器の設計自由度の向上や安定的な運用に貢献します。

三菱マテリアル株式会社は、高平坦度かつ低表面粗さを実現した世界最大級の四角形状のシリコン基板「角型シリコン基板」を開発しました。 近年注目を集めているチップレット技術を採用した次世代半導体パッケージは、100mm角程度まで大型化が進んでいます。半導体パッケージの製造工程において、半導体チップを配置するキャリア基板に従来のφ300mmシリコンウェーハなどを利用するWLP（Wafer-Level-Packageでは、ウェーハの面積が小さく円形状であるため、効率よくパッケージをウェーハ基板に収められないことが課題となっています。 この課題を解決するため、当社は、従来から当社グループで培ってきた大型シリコンインゴットの鋳造技術と、当社独自の加工技術を組み合わせた大面積かつ四角形状の「角型シリコン基板」を開発しました。 「角型シリコン基板」は、半導体製造工程におけるキャリア基板としての活用や、半導体パッケージのインターポーザー材料としての適用など、半導体分野における生産性向上に貢献します。

三菱マテリアル株式会社及びその連結子会社である三菱マテリアル電子化成株式会社は、従来の無機黒色顔料「NITRBLACK（ナイトブラック）UB-1」の技術をさらに発展させ、紫外線（以下「UV」）の透過率を従来比50%以上向上させた「NITRBLACK UB-2」を開発しました。 このたび、お客様からのさらなる性能向上のご要望に応えるべく、「NITRBLACK UB-1」の技術を発展させることにより、可視光域の吸収性能は維持しつつ、UV域の透過性を50%以上向上させた「NITRBLACK UB-2」の開発に成功しました。「NITRBLACK UB-2」を用いることにより、樹脂硬化のためのUV照射時間を従来比で4分の1以下（当社試験結果）に短縮でき、より厚い樹脂膜の硬化が可能となります。今後更なる高性能化が進む液晶ディスプレイや光学式センサー、レンズ等向けでの利用拡大のほか、遮光性を有する接着剤等、幅広い用途への展開を見込んでおり、お客様のご使用時のエネルギー効率の改善や温室効果ガスの削減も期待されます。

三菱マテリアル株式会社は、次世代のxEV用高出力急速充電器に対応するため、雷害対策部品（サージアブソーバ）「DA53」シリーズの新製品を開発し、ラインナップ拡充をいたしました。 世界各国で、CO2をはじめとする温室効果ガスの排出量削減の取り組みが進展し、電気自動車をはじめとしたxEVの普及が進むなか、従来よりも短時間でxEVを充電できる急速充電器の普及が求められています。こうした充電器を安定的に運用するためには、落雷などの異常電圧（サージ）から機器を保護する「雷害対策」が極めて重要になります。 今後拡大するxEV市場に対応するため、このたび、より充電電圧が高い急速充電器向けに、「DA53」シリーズの新製品「DA53-102M」、「DA53-152M」を開発し、同シリーズのラインナップを拡充いたしました。これにより、「DA53」シリーズは、主要な規格（CHAdeMO、GBT、CCS、Supercharger）全てに対応可能となり、OBC（On-Board Charger）や普通充電器向けを中心にお客様のご要望に合わせたきめ細かなソリューションをご提供可能となりました。