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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

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SIRM300

最終更新日:2020年07月17日

日本セミラボ株式会社 新横浜本社
日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。

    半導体検査/試験装置その他計測・記録・測定器分析機器・装置
SIRM300_R.jpg

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

SIRM300_R.jpg
SIRM300_R.jpg
  • 関連リンク - http://www.semilab-j.jp/

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基本情報

結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。

価格情報

-

納期

詳細はお問い合わせください

用途/実績例

- 非破壊なのでサンプルを無駄にしません - ウェハー裏面の状態を問いません - 高ドープウェハーの測定が可能です(epiの場合: 3mΩcm) - パーティクル検出限界: 20nm - 300mmまでのウェハー測定可能 - 自動ウェハー搬送(エッジグリップハンドリング) - レーザーマーキングオプション

企業情報

日本セミラボ株式会社

日本セミラボ株式会社 新横浜本社

電子部品・半導体

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