エッチング装置の製品一覧
- 分類：エッチング装置
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電池の基本概念から、利用目的・実現方法による分類までを体系化。複雑な電池選定の第一歩を、初心者目線で分かりやすくまとめました
- 電池・バッテリー
- 技術書・参考書
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高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
中赤外波長可変レーザーOPPO MIRは 2.8～4.2umの波長範囲で調整が可能なピコ秒パルスレーザーです。最大出力1W以上。
- エッチング装置
先端パッケージへの展開 □300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します！JIS V溝フランジ用標準化
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付圧力Y『超高真空用デルタシール』
デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付圧力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量：*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.) *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
液晶ガラス基板の薄肉加工ケミカル研磨の自動装置として、G6世代までの薄肉化処理に適しています。
- その他加工機械
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- その他表面処理装置
