プラズマ装置のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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プラズマ装置 - メーカー・企業69社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年12月03日~2025年12月30日
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プラズマ装置のメーカー・企業ランキング

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  1. JFEプラントエンジ株式会社 東京都/その他
  2. ジャパンクリエイト株式会社 埼玉県/試験・分析・測定
  3. 株式会社栗田製作所 本社・京都事業部 京都府/産業用電気機器
  4. 4 株式会社魁半導体 京都府/教育・研究機関
  5. 5 株式会社アルス 大阪府/産業用機械

プラズマ装置の製品ランキング

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  1. デジタルオイルチェッカー『Wendy』 JFEプラントエンジ株式会社
  2. ハンディタイプ大気圧プラズマ処理装置『ピエゾブラッシュPZ3』 株式会社アルス
  3. 枚葉式スピンスプレー洗浄装置 SRC-15001 ジャパンクリエイト株式会社
  4. 4 大気圧アルゴンプラズマ装置 株式会社イトー
  5. 5 液中パルスプラズマ発生用電源 MPP-HV04 株式会社栗田製作所 本社・京都事業部

プラズマ装置の製品一覧

121~135 件を表示 / 全 195 件

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医療・バイオ用プラズマ装置

近年医療バイオ分野においてプラズマ技術の応用が進んでいます。 本製品はそんな研究開発にピッタリの2機種をご紹介♪

プラズマの持つ特異な現象を利用し医療分野で応用が進んでいます。 表面改質・表面処理による高性能医療材料の開発(細胞培養用シャーレーなど)滅菌や殺菌用途など、親水性向上による接着強化等 本製品はコンパクトサイズ・ワンタッチの操作性・導入しやすい安価な 価格帯を実現致しました。 ☆製品 ・卓上真空プラズマ装置YHS-R 真空チャンバー内にプラズマを放電し、材料表面を均一処理します。 ※YHS-Rで検索 ・ペン型大気圧プラズマ装置 P500-SM 大気圧中で低温・電荷ダメージなしのプラズマを生成。ワンタッチで簡単にお使い頂けます。 ※P500-SMで検索 ☆効果 ・表面改質/親水処理/細胞培養/滅菌/接着強化 等・・・ ☆特徴 ・ワンタッチの簡易な操作性 ・コンパクトサイズ ・装置のレンタル・受託処理致しております。 ・初回でも処理無償対応。 詳しくはカタログをダウンロード下さい。

  • プリント基板

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プラズマ技術資料プレゼント(魁半導体)

各部材の表面変化(金・樹脂・ガラスなど)・XPS測定での表面組成・経時変化等、プラズマについての技術資料がまとまってます。

目次 1.プラズマとは!? 2.表面改質の原理 3.プラズマ処理の効果 4.表面組成 5.経時変化 6.導入用途 7.真空・大気圧プラズマ 8.チューブプラズマ 9.粉体プラズマ処理 10.技術対応範囲

  • その他洗浄機

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親水・洗浄・密着強化『回転式真空プラズマ装置』

乾式で『粉体や固体全面』の『表面改質(親水・洗浄・密着強化)』を一括処理できる回転プラズマ装置!新技術開発・コスト削減に貢献

『粉体や固体全面』など様々な材料の『親水化』『洗浄』『密着強化』などプラズマの持つ高い反応性を利用し、多岐にわたる表面処理用途にご活用頂ける回転式真空プラズマ装置! 通常のプラズマ装置はサンプルとプラズマが触れていない底面などの接触部分は処理できず裏返す工程が必要となっていました。 本製品はチャンバーが回転する事によりサンプル全面に均一なプラズマ処理一括処理する事ができます。 【特徴】 ・回転チャンバー搭載で全面を一括処理が可能。 ・一括処理で処理時間の短縮!コスト削減。 ・サンプル間の接触部もムラ無く処理。 ・粉体や小さなサンプルへの表面改質!新技術の誕生。 ・脱着式チャンバー・チャンバーの角度調整・回転速度調整・パワー調整など簡易な操作性。 など・・・ 【用途】 ・Oリングなど各種樹脂成型品の密着力強化 ・医療針やチューブなど全面への均一な表面改質が可能。 ・各種粉体の親水化・分散性を高める用途全般 ・コンデンサーなどの微粒子へのコーティング密着力強化 など・・・  デモ処理無償対応させて頂いております。

  • その他半導体製造装置

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大容量真空プラズマ装置:YHS-MS

大きなサンプル・大量のサンプルの表面改質・洗浄にお使い頂けます♪

樹脂・金属・ガラス・繊維など様々な材質への接着・密着強化や親水性の向上・有機物の除去などプラズマの持つ高い反応性を利用し、これらの悩みを解決! 本機種は酸素や窒素・アルゴン・ヘリウムなど様々なガスを導入する事できます。またフロントパネルでパワー調整・ガス流量系・圧力調整が設置されており様々な条件で照射が可能です♪ 電極(棚)サイズは400mmです。

  • その他半導体製造装置

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卓上ダイレクト型大気圧プラズマ装置 TK-50

低価格な小型装置!

●低価格 ●小型  - 研究室にも置きやすい省スペース  - 他の機器との組み合わせが容易  - 処理部と操作部の一体化で取り回しが良い ●シンプルな構造  - メンテナンス、点検が容易  - 電極(消耗品)を簡便に交換 ●均一性  - ハンディタイプのコロナ処理よりも均一 ●処理効率  - 真空プラズマ処理と比べ真空排気が不要 ●ランニングコスト  - ガス供給なしで使用可能

  • その他洗浄機

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従来の約 1/3 の価格設定!卓上真空プラズマ装置

有機物の除去・クリーニング可能!ガス導入せず残留大気で処理するタイプよりも安定したプロセスが実現

当社の真空プラズマ製品は洗浄やエッチング、薄膜形成など幅広い研究で利用されています。 ガス導入型「YHS-G」は複数のガス導入に対応し流量調整や細かな処理条件の設定が 可能な高機能製品として研究や生産現場でも利用されています。 今回「YHS-O」をシリーズのラインナップに加え、 ガス導入は酸素に限定し、本体の機能や構造を見直して新たに開発しました。 当社従来品の約 1/3 の価格設定で提供、また短納期化も可能にしました。 更に、ガス導入せず残留大気で処理するタイプよりも安定したプロセスが実現しました。 【用途例】 ■有機物の除去・クリーニング  →実験用具のドライ洗浄や接着の前処理 ■表面の活性化、水酸基の付与  →細胞培養容器など、バイオ・医療分野で ■PDMSとガラスの接着剤を使わない貼合わせ  →マイクロ流路の作製  ※お問合せまたは、下記よりカタログをダウンロードしてご覧ください。

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真空装置 基板用平行平板プラズマ処理装置 PC-RIEシリーズ

処理可能基板サイズ550×650mm。無廃液化・低ランニングコストを実現。

「PC-RIEシリーズ」は、中型液晶基板、プリント基板等のアッシング、デスミア、表面改質、F系ガスエッチング等の処理が行えます。チャンバー手動開閉式研究開発用タイプから大気ゲート、搬送機構、カセットステーションを増設した全自動システムまでお客様のご要望に適したバージョンが選択できます。 【特長】 ○真空プラズマ技術は従来の処理に比べて良環境化 →クリーン化,無廃液化 ○低ランニングコスト ○処理可能基板サイズ550×650mm その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

  • プラズマ表面処理装置
  • 真空機器

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真空装置 平行平板評価用プラズマ処理装置  

半導体、液晶の微細パターニング、DNAチップ製造など微細異方性加工に広く利用

チャンバー手動開閉式研究開発用タイプから大気ゲート、搬送機構、カセットステーションを増設した全自動システムまで貴社のご要望に適したバージョンが選択できます。プロセス再現性を重視し電極温調用チラー、APCを標準装備し、高真空プロセス対応のターボポンプを増設することができます。 【特長】 ○RIEプラズマエッチング装置 ○6インチまでのシリコンウエハ、小型角基板の異方性エッチングが可能 ○8,12インチ用装置も設計可能 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

  • プラズマ表面処理装置
  • 真空機器

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CVD装置

CVD装置

●特徴 本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質(気体、液体、固体)としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる(励起状態にする)手法として、熱、プラズマ、光(レーザー、紫外線など)があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。

  • 分析機器・装置
  • その他実験器具・容器

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大電流発生電源『PS-HB0097』

冷却方式は、自然空冷を採用!電源ランプ及び電流計を備えている大電流発生電源

『PS-HB0097』は、手動のスライダックと電流発生トランスをケースに 組込んだ大電流発生電源です。 冷却方式は、自然空冷を採用(時間定格20分において)。 入力電源のON/OFFや過電流保護としてブレーカを設け、電源ランプ及び 電流計を備えています。 【特長】 ■手動のスライダックと電流発生トランスをケースに組込んでいる ■入力電源のON/OFFや過電流保護としてブレーカを設けている ■電源ランプ及び電流計を備えている ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電源装置

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大気圧プラズマ装置 「Preciseシリーズ」

従来比50%の性能UP!低N2消費(約45%削減)の大気圧プラズマ装置

大気圧プラズマ装置 「Preciseシリーズ」は、窒素ガスをベースとし、誘電体バリア放電を利用しワーク自体を電磁界エリアから隔離し、リアクター内で励起されたラジカル等のみを使用した装置です。 これによりワークへのダメージを与えない状態で連続処理が可能になりました。 また、ワークが帯電した状態でも除電され、処理後の気中のパーティクル付着もありません。 【特徴】 ○低温処理 ○ダメージフリー ○ESDフリー処理手前でのイオナイザー装置が不要 ○2年間メンテナンスフリー ○小型軽量(他社比較:約体積比率1/2以下、約重量比率1/3以下) ○半永久的長期寿命の誘電体電極 ○パーティクルフリー ○幅広ワークへの均一処理 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」

ダメージフリー・パーティクルフリーの大気圧プラズマ装置

大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」は、窒素ガスをベースとし、誘電体バリア放電を利用しワーク自体を電磁界エリアから隔離し、リアクター内で励起されたラジカル等のみを使用した装置です。 これによりワークへのダメージを与えない状態で連続処理が可能になりました。 また、ワークが帯電した状態でも除電され、処理後の気中のパーティクル付着もありません。 【特徴】 ○電極交換(誘電体部)不要 ○幅広処理(100ミリ~3000ミリ) ○ダウンストリーム型電極形式の為、処理面に対しダメージ発生がない。 ○2年毎のメンテナンスのみ 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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今さら聞けない大気圧プラズマ装置の選び方 ※解説資料進呈

大気圧プラズマ装置の「処理形態」や"当社独自の装置特長"などについてプラズマ装置の基礎から紹介!技術資料進呈

ここではコロナ処理や、アーク等を用いた装置ではなく、 完全なるバルクプラズマを発生させた大気圧プラズマ装置を主体に置き、説明しております。 特殊電極構造を用い、窒素ガス・希ガス等をベースに高周波電力を電極に印可し、 高密度プラズマを発生させることによりが生成された高密度の活性種が ワーク表面に官能基や水酸基、アミン基を付与し、 濡れ性や、塗布性能、有機物除去等の処理が可能になります。 添加ガスを変えることにより、選択的に付与される分子を生成され、 撥水化、還元等、薄膜体積、ドライエッチング等の処理が可能になります。 また、洗浄工程や、メッキ処理時前にプラズマ処理を行うことで、 処理表面を活性化し薬液との反応性を高め洗浄性能の向上や 気泡の除去等に役立ちます。 処理に関してワークの性格や、次工程への状況を踏まえ、 下記に纏める大気圧プラズマ装置選定時の最適化のご参考になれば幸いです。 また、接着材を用いない接着剤レス接着に関して、  銅箔との分子結合を主体とした接着技術が伝送ロスを低減し、 5G、6G向けのFCCL等の製造に寄与できるものと考えます。

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いまさら聞けない大気圧プラズマ装置の選び方!

大気圧プラズマ装置の「処理可能プラズマ処理幅」をはじめ「当社独自の装置特長」などをご紹介!

当ページでは、コロナ処理や、アーク等を用いた装置ではなく、 完全なるバルクプラズマを発生させた大気圧プラズマ装置を主体に置き、説明しております。 ワーク(被処理物)の性格や、次工程への状況を踏まえ、 大気圧プラズマ装置選定時の最適化のご参考になれば幸いです。 酸素ラジカルやOHラジカルなどでのドライ洗浄や、官能基等の親水処理化など、接着材を用いない接着剤レス接着に関して、銅箔、基材間との分子結合を主体とし、エッジ効果を排除した接着が可能で、今後の5G、6G向けのFCCL等プリント基板や実装工程に寄与できるものと考えます。 また、リチュウームイオン電池への電解液含浸プロセスの時短、電極形成時の異種材接着へのダメージレスダイレクト接着工程への応用。 詳しくは、下記の関連リンクよりご覧ください。 【掲載内容】 ■使用目的(大気圧プラズマ装置で可能な処理) ■大気圧プラズマ装置の処理形態を大きく分類すると3種に大別される ■被処理物とプラズマ形態 ■当社独自の装置特長(ダウンストリーム型) ■誘電体バリア(DBD)放電の内部模式図 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【大気圧プラズマ装置 課題解決例】テフロン表面への超親水化処理

大気圧プラズマ装置によるテフロン(PTFE・PFA)への超親水化、5度近傍(純水での接触角)に成功。

大気圧プラズマ装置による課題解決事例をご紹介いたします。 この度、フッ素樹脂(PTFE、PFA)への表面改質を 5 度近傍(純水での接触角)に成功しました。 従来 50 度近傍が最大値でしたが、 今回レシピ等の最適化等に伴い実現いたしました。 テフロン表面のC・Fの架橋をプラズマで切断後、それぞれに親水基または官能基で終端させることで 超親水化を実現しました。 今後、6G 向け FCCL 銅箔等へのダイレクト接着にも寄与すると確信しております。

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