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高品質・高性能！最短2日で高多層プリント基板を納品
富士プリント工業株式会社では、多層プリント基板の短納期を実現しました。 シビアな精度、精巧さが求められる高難度基板こそ、私たちの本領分野。最先端の基板づくりで培った技術力が、すべての製品に息づきます。 10層以上の高多層プリント基板を高品質・高性能で最短2日で納品致します。 【ラインナップ】 ○片面プリント基板 ○両面プリント基板 ○多層プリント配線板 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
新たな製品の開発をあらゆる段階から支援！モノづくりをサポートします。
電子機器の開発・設計・製造から製品化のサポートに至るまで、富士プリント工業グループは最先端のモノづくりを支える役割を担っています。 手掛ける領域も、電子機器に関するほぼすべてのカテゴリーをカバー。さらに、必要な業務をコンサルティング～製造までのいかなるパートからでも発注いただける体制を整え、お客様指向のフレキシブルな対応を実現しています。 【特徴】 ○新規設計だけでなく、リニューアル設計も対応 ○ASICや1チップマイコンの設計対応可能 ○設計変更・工程変更も提案 ○表面実装・ディスクリート・混載基板、 形状・サイズは大型・異形や多層基板と対応可能 ○各種調整・検査についても対応可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高い放熱性を実現！熱伝導性の高い銅板を放熱部品の下に埋め込んだ軽量基板
『銅埋め込み (銅インレイ) 基板(implanted copper substrates)』は、熱伝導性の高い銅板(398W/mk)を放熱部品の下に埋め込む基板です。放熱したい箇所に局所的に銅板を埋め込む為、銅コア基板より安価、且つ軽量化が出来ます。 【本製品が選ばれるポイント】 ○どんな基材にでも対応！ ○銅を厚くするよりも安価に放熱対策！ ○ヒートシンク利用に比べて場所を取らず、小型化を実現！ ○埋め込む銅のサイズは幅2.0mm～（応相談） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
シールド効果を実現！側面部分にハーフスルホールを形成可能な側面めっき基板
名東電産株式会社では、「側面めっき基板」「異種材張合わせ基板」「キャビティ基板」等のプリント配線板の製造･販売を行っております。 「側面めっき基板」は基板の外形端面にめっき処理を行うことにより、シールド効果を実現します。 「異種材張合わせ基板」は高周波材とエポキシ樹脂の張り合わせ等、ご希望に合わせた組み合わせが可能です。 「キャビティ基板」は電子部品を基板に埋め込む構造よりも簡単に製作できます。 【特長】 ○側面めっき基板： →側面部分にハーフスルホールを形成可能 →基板側面部分の全周にメッキを形成することも可能 ○異種材張合わせ基板 →多層ワークサイズは少量多品種に備えて様々なサイズをご用意 →耐熱フラックス、無鉛半田レベラー、金めっき処理等の表面処理に対応 ○キャビティ基板 →モジュールの低背位化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、直接お問い合わせください。
産業社会を支えるハイテクノロジー！その一翼を担う名東電産株式会社
名東電産株式会社は、1967年創業にて電気絶縁材料等の加工・販売を開始し、1983年にはプリント配線板の製造・販売を開始致しました。 取り扱う製品群の用途は、車載用、通信機器用、住宅関連、及び産業機器用･･･etc と幅広く利用されております。 より高精度を求める当社の主要設備をご紹介いたします。 【主要設備】 ○設計課：設計室、レーザープロッター室 ○第三工場：NCドリル、NCルーター ○清水工場：デスミアライン、銅メッキライン ○第二工場：露光室、エッチングライン、AOI検査室、スクリーン印刷機 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
『基板の放熱性向上』のハンドブック進呈！製品の小型化には基板の高放熱化が不可欠！銅・アルミを用いたメリット・デメリットなど掲載
製品の小型化においては、基板の高放熱化が不可欠です。 放熱性を高めるためにヒートシンクが用いられますが、 余計にスペースを取ってしまい、小型化と相反してしまうのがネックです。 名東電産では、基板の導体としてアルミや銅を用いる事で、 基板の放熱性を向上させる加工を得意としています。 ★車載基板やLED基板等、各分野で採用実績があります！ ただ今、基板の放熱性向上に関する技術資料を無料進呈中！ 銅・アルミを用いた基板のメリット・デメリット等も掲載しています。 ※技術資料をご希望の方は、ダウンロードいただくかお気軽にご連絡ください。。
大電流基板用途に！銅コア基板より軽量な「アルミコア基板」全体で放熱性の向上も
「アルミコア基板」は、基板全体で放熱性を向上し、かつ銅コア基板より軽量化したい際に適した基板です。 【特長】 ●優れた熱伝導率 ●業界最高の絶縁破壊電圧 ●エポキシ樹脂基板と比較して低い誘電率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか直接お問い合わせください。
ポリテトラフルオロエチレン材で製作した非貫通のIVH基板！独自の技術で高品質・高信頼のオーダーメイド製の基板もご提案
PTFE_IVH基板は、ポリテトラフルオロエチレン材で製作した非貫通のIVH基板のです。 弊社は、異種材料の張り合わせで構成した複合多層基板を製造しています。（その他基板製作多数）テフロン材＋FR‐４材、PPE材＋FR‐４材などの複合材料でのIVH、BVH構造が可能です。 銅、アルミと基板材料、または多層基板との張り合わせも可能で、今まで培った加工技術を発展させ、ご要望に合った基板をオーダーメイドできます。 【基板スペック】 ●張り合わせ基材厚さ：0.1ｔ～ ●ラインスペース：100/100μm 交差±50μm ●表面処理：水溶性耐熱フラックス、鉛フリー半田レベラー、Auフラッシュ など… ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、直接お問い合わせください。
成膜技術と薄膜加工技術を需要が高まるサブマウントに応用！
当社では薄膜磁気ヘッド（HDD・FDD）や光学プリズム部品の製造で 培った成膜・薄膜加工技術を応用発展させ、セラミック基板などの母材に 合わせた薄膜電極・抵抗膜・はんだ膜などを高精度な微細回路パターンで 形成することができます。また、立体面へのパターニングや厚膜Cuめっきも対応可能です。 お客様は日本に限らず、アジア・欧米など世界各国でお使いいただいております。 これからも益々新しい技術を開発していきます。 ■標準基板材料（熱伝導率 Ｗ／m・Ｋ） AlN （170~230） AlN/Cu（~270） SiC （~370） ■アプリケーション レーザーダイオード（LD）実装基板 発光ダイオード（LED）実装基板 フォトダイオード（PD）実装基板 ■レーザー市場用途 可視光半導体レーザー 光通信（FTTｘ・データセンター・モバイル基地局） 民生産業用（センサー・LiDAR・レーザー加工・医療） 照明（プロジェクター・自動車ヘッドライト） など
スイングアーム式金型移送装置付です。
多様な素材に応した高精度の油圧式成型機を ご提供します。 素材の特性を熟知したスタッフが 個々のユーザーの仕様や環境に合わせ 専用設計し、製作いたします。 高品質・高耐久性はもちろんのこと お客様の加工工程の短縮・高効率化を実現し 高い評価を頂いております。
驚きのノウハウが満載のレポート無料進呈中！量産工場ならではの経験、知識により、試作工場にはできない試作サービスを提供！
開発・設計者の悩みを解決する「提案型試作」は弊社で永年量産生産をする中で、設計起因の不具合によく遭遇します。問題提起すると決まって「試作の時は問題無かったんだが」という言葉をよくお聞きします。また、今更設計変更ができないということで手間がかかることを承知で量産することも珍しくありません。 量産時に問題が発覚して設計者の皆様は社内の製造部門や品質部門から「設計の問題だ！」と厳しい言葉を言われることも多々あるのではないかと思います。 レシップ電子では、車載、産機、民生、アミューズと幅広い分野での量産実績を持っており、各市場での特徴も熟知しております。 その知識と経験を活かし、試作時点でも量産を見据えた改善点を抽出し、量産時に起こる品質問題やコスト問題に至らないような改善案をご提案させていただきます。 ※試作プラン１：とにかく機能評価ができれば良い。 ⇒とにかくご要望に添って製作致します。 ※試作プラン２：試作最終的な機能評価をするが、この設計をベースに量産になると思う。 ⇒試作の中で量産時で想定される品質リスク、効率生産するための課題を抽出し、改善案をご提案させていただきます。
設計・調達・生産・組立まで一貫生産に対応！レシップ電子を支える技術部門のご紹介！
当社の"基板CAD課"は、レシップグループの基板設計を社内で行うために、 1992年にレシップ（当時の三陽電機製作所）にて業務をスタートしました。 当資料では、「基板CAD課の紹介」をはじめ、「保有設備」、「工場見学の 見所」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（一部）】 ■基板CAD課の紹介 ■保有設備 ■DENSHiコラム ■工場見学の見所 ■工場見学の流れ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モジュールの小型化に有利な基盤技術！
セラミック加工は、熱膨張係数がシリコンに近いガラスセラミック基板を 使用した加工技術です。 ガラスセラミック基板は、1000℃以下で焼成できるため内部導体としてAg、 AgPd、Auの使用が可能であり、誘電率がアルミナ基板より低いので信号遅延も 小さく、熱膨張係数がシリコンに近いため、基板への直接ダイボンディングや フリップチップ(FC)接続が容易です。 【特長】 ■モジュールの小型化に有利 ■基盤に直接イボンディングやフリップチップ(FC)接続が容易 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に
近年、発光ダイオードやレーザなどの発光素子に用いる半導体材料として、III族窒化物半導体（GaNやInGaN）が着目されている。この窒化物半導体は、赤外光から紫外光の広い波長範囲に対応するバンドギャップエネルギーを有し、青色や緑色などの発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製することが可能となった。本発明では、成長基板の主表面上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程から、複数の窒化物半導体自立基板を作製する工程までの、全7工程を備える。
安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能！
紫外発光素子は、蛍光灯の代替、高密度ＤＶＤ、生化学用レーザ、光触媒による公害物質の分解、Ｈｅ－Ｃｄレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。 この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるＡｌＧａＮ系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したＡｌＮ膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。 本発明は、サファイア上に成長したＡｌＮ膜を有する基板をＮ２／ＣＯ混合ガス中で熱処理して形成するといった簡単な方法でＡｌＮ膜の結晶性を飛躍的に向上させるものである。
