更新日： 集計期間:2026年02月18日～2026年03月17日
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処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF、SiH、Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表面状態を反映したフラグメントイオンが検出されています。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
SI解析など、基板上で動作不良になりうる 原因を調査・対策を実施。
伝送線路シミュレーションとＥＭＩ抑制支援ツールを駆使したプリント基板設計技術。
電気的特性評価をはじめ、光学特性評価、結晶性評価、組成評価を実施！
当社の『コンビナトリアル特性解析』では、ご要望により、組成変化に 従った種々の多点物理分析をいたします。 画像の例では、Si基板上のHfO2、Y2O3、Al2O3の正三角形の 3元コンビナトリアル組成傾斜試料にPt電極を形成してC-V、I-Vの 電気的特性を行い、高誘電率層の評価をしたものです。 上から、誘電率、フラットバンド電位、リーク電流の組成マッピングを 示しており、1試料中の246組成が同時評価できます。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【サービス内容】 ■C-V、I-V、半導体特性などなどの電気的特性評価(室温～400℃） ■透過率測定、分光エリプソメトリなどの光学特性評価 ■マイクロビームXRDを用いた結晶性評価 ■マイクロビームXRF、XPS、Auger分光などによる組成評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
対策例をご紹介！信頼と実績による好適な設計をご提案いたします
当社では、片面基板から高多層基板、ビルドアップ基板など高難度な 基板設計までをトータルに手掛けるとともに、伝送経路および ノイズシミュレーション検証にも対応しております。 信頼と実績による好適な設計をご提案いたします。 ご用命の際は当社へお気軽にご相談ください。 【解析(一部)】 ＜SI解析＞ ■品目：反射(クロストーク)／タイミング／伝送特性(Sパラメータ)等 ■ツール：Hyper LynxSI、SIwave ＜PI解析＞ ■品目：電圧降下(DC IRDrop) ■対策例 ・電源供給源となるICから供給先となるIC間の基板配線 ・電源配線幅の調整などレイアウト修正箇所の見極め ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
解析対象、得られる物性情報及び解析事例を紹介します。
解析対象 （計算の実施にあたっては、組成・結晶構造などの情報が必要となります） ?主な解析対象は、結晶など周期性を持つ系 ?アモルファス構造や表面、界面を有する系の計算も可能 得られる物性情報 ?結晶構造パラメータ（格子定数、原子配置など） ?電子構造及びスピン状態(電荷分布、バンド構造、フェルミ面、磁気モーメントなど） ?共有結合、イオン結合などの化学結合状態 ?原子の置換、欠損など格子欠陥が存在するときの安定構造及び欠陥形成エネルギー ?表面や界面の形成エネルギー及び原子配置 ?活性化エネルギーや中間体の構造など化学反応に関する情報 ?誘電関数、電気抵抗、ゼーベック係数など電子の応答特性 ?比熱など固体の熱力学量 ?各種分光学的スペクトル（XPS、XAFSなど）
InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
利便性、迅速性を向上しながらもコストは大幅削減！ノーコードのデータ連携ツールASTERIA WarpとOutSystemsで実現
サカタのタネは一世紀に渡り、サカタブランドの品種改良を続けているタネの 会社で、それ以外にも苗や園芸用品、農業用資材なども取り扱っています。 同社では、これらの販売情報や仕入れ情報、その他各種実績などを保持する 基幹システムと、各部門に散在するファイルとの連携のために、 Peer to Peerのファイル転送ツールをそれぞれのシステムに導入し利用。 しかし、新たな連携ニーズが多数あり、一つ一つファイル転送ツールによる 連携を行っていくと複雑化し管理しきれなくなることや製品保守/SIのコストが 増加し続けることを鑑み、ファイル転送ツールをEAIツールにリプレースし、 連携開発の完全内製化を図ることとしました。 【課題】 ■複雑化 ■高コスト ■情報共有の遅延 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面粗さを考慮した膜厚解析
サンプル表面に粗さがある膜の場合は、膜の理論反射率と異なるため解析が難しくなります。 OPTMでは粗さ層はEMA法（有効媒質近似法）でモデル化して評価することが可能です。
傾斜モデルを用いたITOの構造解析
液晶ディスプレイなどに用いられる透明電極材料であるITO（Indium-tin-oxide）は、製膜後のアニール処理（熱処理）によって導電性や色味が向上します。その際、酸素状態や結晶性も変化しますが、この変化は膜の厚みに対して段階的に傾斜変化することがあり、光学的に組成が均一な単層膜として見なすことができません。 このようなITOに対し、傾斜モデルを用いて、上部界面と下部界面のnkから、傾斜の度合いを測定した事例を紹介します。
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
繰り返し荷重や交番荷重の疲労寿命と疲労限度安全率の算定します
一組の応力振幅、平均応力および常時応力の疲労強度を評価する場合、FEMFAT basicは理想的なツールです。 FEMFAT basicにより、繰り返し荷重や交番荷重を受ける部品の疲労寿命または疲労限度安全率の算定を行うことができます。 疲労に対する様々な影響因子を同時に考慮し、シーム溶接やスポット溶接などの接合構造を母材と同時に解析し、 適切な疲労寿命予測を同時に得ることができます。 400を超える材料データベースを標準で搭載しています。 また新しい材料データを作成する場合には、“マテリアルジェネレーター”を用いることにより、 少ない材料強度のデータからでも、FEMFATで必要な材料データセットを作成可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
設計から流路3Dモデル作成、流動解析、成型までの一連の流れがテスト可能！
アクスモールディングでは、スペシャリストが対応し、開発･設計の コンサルタンティングまで一連で請け負うことが可能です。 当社では、設計から流路3Dモデル作成、流動解析、実際の成形までの 一連の流れがテストできます。 曲面が多く複雑な、押出流路の3Dモデル作成が可能。 また、解析ソフトは日本製のHASL社のソフトを使用します。 【解析ソフト】 ■Materialfi 樹脂計算式定義 ■FLATSimulator Tダイ解析用 ■SpiralSimulator 丸ダイ解析用 ■SingleSrewSimulator 単軸スクリュ解析用 ■FlowSimulator3D 3D・異形・多層解析用 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Unity、iOS/iPadOS、Androidに対応！マーカレスでお手軽モーションキャプチャが可能な姿勢推定AIエンジン
『VisionPose Single3D』はカメラ1台で3D座標を取得し、人の骨格情報をリアルタイムに検出する姿勢推定AIエンジンのSDK（ソフトウェア開発キット）です。 キャリブレーション不要で手軽にモーションキャプチャが可能。 2D画像から3D座標を推定する技術を利用し、2D座標で最大30キーポイント、3D座標で最大17キーポイントの骨格情報を検出します。 解析から得た骨格データは、用途やジャンルを問わず商用利用や研究・開発に利用できます。 ■特長 ・カメラ1台で3D座標を手軽に取得 ・Unity、iOS/iPadOS、Android対応 ・商用利用を含め、用途に制限無し ・すぐに使える２つのアプリを標準添付 └リアルタイム骨格可視化サンプルアプリ「BodyAndColor」 └動画＆静止画解析アプリ「VP Analyzer」※iOS/iPad版とAndroid版を除く ・追加学習が可能 ※追加学習はオプションです
AI半導体やメモリ市場の最新動向を網羅し、先端技術情報や市場予測も確認可能！サイトの無料登録で最新情報をお届け！
TechInsightsの半導体市場サイトでは、最新の市場動向や技術トレンドをリアルタイムで把握できます。AIや高性能メモリなど急速に拡大する分野の情報を分析し、今後の市場予測や競合状況も確認可能です。 業界に関わる企業や研究者は、このサイトを活用することで、最新動向を迅速に把握し、戦略的な意思決定をサポートできます。 半導体市場の動向を理解し、将来のビジネスチャンスを逃さないために、TechInsightsのサイトに登録して情報をチェック可能です。 ■サイト上からご覧いただける情報（抜粋） ・Semiconductor Market Dynamics ・Special Content for Chip Makers ・The Future Logic Technology Roadmap ・The Future DRAM Technology Roadmap ・The Future NAND Technology Roadmap ・TechInsights Webinars ※詳細はPDFをダウンロードいただくか、「ご登録はこちら」のリンクからサイトへアクセスください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ
【技術事例】MapleSim Heat Transfer ライブラリで、熱を考慮したシステムモデリングの効率化を！
『MapleSim』は、製品全体で熱現象を捉え、パラメータスタディ可能なモデルを1D CAEで構築することができます。 この事例では、サーマルヘッドによる紙の加熱に加え、紙の搬送による熱輸送を考慮したモデルを作成し、プリンタ筐体内部の空気の温度上昇や、印字部の紙面温度の過渡応答を評価します。 MapleSim の Heat Transfer Library は、次の特長により、標準ライブラリでは難しい伝熱モデリングを可能にします。 ◆ 形状を考慮した伝熱特性の表現と可視化 ◆ 可変境界条件やモデルのノード分割、モデリングの効率化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
試行錯誤の限界を超える、熱流体解析ツール
一般的な熱流体解析ソフトでは、設計者の考えた設計案をインプット条件として気流の流れや温度分布をシミュレーションによって求めるだけでした。そのため当初の設計条件では目的とする設計目標値を達成できない場合は、設計目標を満たす改善条件を、設計者自ら何度も考え直さなければなりません。 設計目標を満たすことのできる改善案を見つけるためには、膨大な数の解析を繰り返す必要があります。限られた設計検討期間内に、設計目標を達成する設計案をみつけるにはどうすればよいか？FlowDesignerの逆解析機能は、その答えを導いてくれる唯一のシミュレーションソフトです！
予測構造の急増とその課題や、類似ポケット構造検索による新たな構造活用についても掲載！
PSILOは、ウェブブラウザーを介して利用するタンパク質立体構造 データベースシステムです。 分散する公共データやインハウスデータを一元管理し、独自の検索機能や 解析機能により創薬研究を支援します。 近年、AlphaFoldをはじめとする深層学習モデルの出現により、 予測構造が加速度的に増加しており、それらのデータを適切に 管理して活用することの重要性が高まっています。 本資料では、AlphaFold構造に関連するPSILOの機能を紹介します。 【掲載内容】 ■はじめに：予測構造の急増とその課題 ■PSILOによる構造データの一元管理と検索機能 ■AlphaFold構造に対する専用の可視化・解析機能 ■類似ポケット構造検索による新たな構造活用 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です。
本レポートは、Mediatek MT6592 オクタコア (8コア) アプリケーションプロセッサの詳細構造解析です。 MT6592は、ARM Cortex-A7プロセッサを搭載し、「真のオクタコア」と謳 (うた) われるSoCで、GPUは4コアARM MaliTMを採用し、フルHDディスプレイ、最大1、600万画素のカメラ、マルチモード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアルワーク ファンクション メタルゲート ○nMOS(NiSi)およびpMOS(NiSiGe)ソース/ドレイン領域、およびlow-k層間絶縁膜 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
3D-RISM 法に基づいて分子周辺の水分子の役割を高速かつ高精度に解析
MOE に搭載されているSolvent Analysis は、3D-RISM 法に基づいて、 分子周辺の水分子の役割を高速かつ高精度に解析することができます。 分子系における水分子の確率密度分布を計算し、さらに結合自由エネルギーにおける水分子の寄与を計算します。 Solvent Analysis は溶媒効果を可視化することで、タンパク質－リガンド間の相互作用の理解と新規リガンド設計を支援します。 【Solvent Analysis の特長】 ■3D-RISM 法に基づいて1 分子系あたり数分で計算 ■複合体、リガンド、受容体の各分子系を同時に処理 ■計算には水分子の相関を考慮 ■水分子だけでなく、イオンや疎水性原子の存在確率も可視化 ■長時間のシミュレーションが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
