顕微鏡のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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顕微鏡(結晶) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年08月20日~2025年09月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

顕微鏡の製品一覧

1~15 件を表示 / 全 57 件

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【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価

SEMによる結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能です。 EBSD法で得られる結晶情報は主に配向性・結晶粒径などです。

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『FE-SEM(EDS/EBSD付)観察』

細く絞った電子線を試料に照射!結晶方位や結晶構造の解析もできる電子顕微鏡!

『FE-SEM(電界放射電子銃式走査型電子顕微鏡)』は、汎用SEMよりも更に細く 絞った電子線を試料に照射、走査することによって、より鮮明な拡大像などが 得られる装置です。 また、細く絞った強い電子ビームを利用して結晶方位解析法(Electron Back-Scatter Diffraction;略してEBSD)を用いると、結晶方位や結晶構造の解析を行うことも できます。 【適用対象】 ■金属材料全般 ■セラミックス ■繊維(蒸着処理必要) ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 分析機器・装置
  • 電子顕微鏡

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【分析事例】CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価

任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察

EBICとEBSDで電気的性質と結晶の関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能です。

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微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM)

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています

主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM)】 ○高速電子線を薄く加工された試料に照射し、透過および散乱する電子の結像により拡大像や結晶構造の情報を提供する手法。 ○薄膜の構造、結晶性の評価に適している。また高分解能観察により結晶構造の観察が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。

  • 食品試験/分析/測定機器

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【EBSDによる結晶解析】BGA

EBSD法により、結晶状態や残留応力の推測が可能!BGAの解析例をご紹介します

BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 分析機器・装置
  • 解析サービス

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【分析事例】STEM・EDXと像シミュレーション結晶構造評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります

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【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。

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技術情報誌 202001-01 in-situ STEM

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ(magnetic tunnel junction)構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.試料と評価方法 3-1.結晶性の変化 3-2.結晶配向の解析 3-3.面内結晶配向の解析 4.まとめ 5.謝辞 6.おわりに

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  • 技術書・参考書

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『透過型電子顕微鏡(TEM)観察』

結晶性物質の同定や結晶方位の解析ができる電子顕微鏡観察!金属材料全般に適用

『透過型電子顕微鏡(TEM)』は、高い加速電圧の電子線を試料に照射し、 試料を透過した電子線を電磁レンズで拡大することによって透過電子像や 電子線回折像を得ます。 透過電子像では結晶粒界、欠陥、ひずみ、析出物の有無などが観察でき、 電子線回折像からは結晶性物質の同定や結晶方位の解析ができます。 【特長】 ■1,000~1,000,000 倍での観察 ■EDS 分析による超微小領域の元素同定(分析元素:C~U の定性・半定量分析) ■結晶性物質の同定や結晶方位の解析 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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[SIM]走査イオン顕微鏡法

高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能

・高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能(Al、 Cu等) ・分解能はSEM像より劣る(SIM:4nm、 SEM:0.5nm) ■MST所有装置の特徴 ・試料サイズ最大直径300mmφのJEIDA規格ウエハ対応が可能 ・FIB(集束イオンビーム)加工との組み合わせで連続的な断面SIM像の取得が可能(Slice&View)

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STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法

極小に絞った電子ビームを試料に照射!試料内部の原子像分布・形態などを画像化

当社で行っている「STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法」について ご紹介いたします。 原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来、 明視野観察で構造情報を、暗視野像やHAADF像観察で物質の密度・ 元素情報を得ることが可能。 また、物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 観測することが出来ます。 【特長】 ■原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来る ■物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に  観測することが出来る ■高面分解能画像観察により結晶欠陥を直接観察することも可能 ■極微小領域での元素・組成情報を得ることが出来る ■SEM-EDS法では検出できない微小領域や微量の分析が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流(EBIC)を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面のEBSDを測定することにより、起電流の分布と結晶粒との対応をとりました。

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高機能材料の解析に『Materials Studio』

高機能材料などの解析シミュレーション はじめ、さまざまなタイプの材料に対応した材料開発シミュレーションソフトウェア

『Materials Studio』 量子力学(密度汎関数法)、古典力学(分子動力学計算)、 メソスケール(散逸粒子動力学計算など)、統計、分析/結晶化ツールを備えた 次世代材料開発向け分子モデリング/シミュレーションツール群。 【特長】 ■材料開発を効率化するシュミレーションソフト   業界・分野を問わず、研究、開発、設計、製造に従事される方にご利用いただけます ■さまざまなタイプの材料に対応 ■一つのGUI画面上で、結晶構造の作成、計算条件設定、計算結果表示の  全てを行うことが可能 【事例】  トライボケミカル(潤滑)反応 CFRP(炭素系素材)などの解析  結晶成長や薄膜形成、燃料電池、潤滑剤などの研究開発  触媒、ポリマーや混合物、金属や合金、電池や燃料電池など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能 ・FIBで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能 ・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所 ・試料を薄片化する必要がある(一部の試料において薄片化が困難な場合もある) ・単原子を見ているのではなく、試料の厚み方向(通常約0.1μm厚) の平均情報を映し出している ・試料加工および観察により、試料が変質・変形することがある

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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL(フォトルミネッセンス)マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察(HAADF-STEM像)を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。

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