更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
16～19 件を表示 ／ 全 19 件
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
電極へのダメージが少ない！半導体ウェハ電極上へのバリア層形成プロセス！
『メルプレートUBMプロセス』は、半導体アルミニウム電極上に 無電解ニッケル-置換金めっきによりUBM(Under Barrier Metal)を 形成するプロセスです。 大面積電極を有するデバイスへの安定しためっき処理も可能です。 電極へのダメージが少なく、 バリア性・平滑性に優れる皮膜形成が特長です。 【特長】 ■微小電極への選択的な無電解めっきによるUBM形成 ■多種多様な電極素材に適用可能 ■還元型厚付け金めっきによる電極形成も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プリント基板に。耐食性に優れている無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス
無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセスは、無電解Ni-Pめっきと置換Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。中間層としてPd皮膜を形成していますが、めっき直後の半田濡れ性は無電解Ni-P/置換Auめっきとほぼ同等です。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問合わせ下さい。
プリント基板に。耐食性に優れたPd皮膜を形成させて、耐食性に優れています。
「耐食性に優れた電解Ni/電解Auめっき 代替めっきプロセス」は、.電解Niめっきと電解Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。めっき直後の半田濡れ性は電解Ni/電解Auめっきとほぼ同等です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
