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微細配線へのめっきに最適なファインパターン性に優れた無電解ニッケル/金めっきプロセス
電子機器の軽量化、薄型化、小型化、高機能化が進むにつれて、 半導体部品を搭載する半導体パッケージ基板にはパターンの微細化が求められています。 当社は、ボイドやピンホールの発生を低減し、高い接続信頼性があるファインパターン対応の無電解ニッケル/金めっきプロセスを新たに開発しました。
耐熱性に優れたパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。そのため、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少ない皮膜が要望されています。また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されており、接合強度の向上を目的に銀めっきが要望されております。 そこで、当社はパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセスを新たに開発しました。
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
