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UBMを形成するプロセスです。アルミニウム電極とパッケージ端子の接続信頼性を向上できます。
UBMは、Under Bump Metalまたは、Under Barrier Metalのことをいい、半導体チップ上のアルミニウム電極パッドとパッケージ端子をワイヤボンディング、はんだ、銀焼結で接合するために形成される皮膜です。その皮膜は、無電解ニッケル／金めっきや、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきなどから構成されています。当社は半導体・エレクトロニクスの進化を支える数多くの製品を取り揃えていますので、お気軽にご相談ください。
半導体パッケージ基板向け最新表面処理を一挙公開。電子機器の小型・高密度・高性能化をサポートする表面処理・めっき薬品をご提案！
パソコン、スマートフォンなどの電子機器は日々進化しています。それにともない、多層プリント基板にも微細化・高密度化が求められています。 当社はプリント基板の製造に銅張積層板を用いるサブトラクティブプロセス向けに、つきまわり性に優れる無電解銅めっきプロセスを新規開発しました。 奥野製薬工業は、プリント配線板のめっき工程を中心に、湿式工程全般向けに多種多様の処理薬品を取り揃えています。 また、セミアディティブプロセスで製造されるICサブストレート、インターポーザの製造工程全般にも、最新の製品とプロセスをご提案いたしますので、お気軽にお問い合わせください。
プリント基板に。無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能
「半田濡れ性に優れた無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス」は、Auの代わりに特性の似ている４Agを用いためっきプロセスであるため、無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能です。半田濡れ性はめっき直後で、無電解Ni-P/置換Auめっきよりも良好です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
染料系硫酸銅めっきプロセスと比較して、不良率が大きく低減し大幅なコスト削減！
『プリマスEXシリーズ』は、ドイツ・ドクターヘッセ(DR.HESSE)社が 開発した非(少)染料系の硫酸銅めっきプロセスです。 現状主流の染料系硫酸銅めっきプロセスと比較して、不良率が大きく低減し 大幅なコスト削減に寄与します。 染料系に匹敵するレベリング特性の「プリマス EX620-DC」と、ヤケや 過剰添加に対する耐性が非常に高い「プリマス EX-201」をご用意しています。 【特長】 ■冷却費の削減：-37℃の液温条件で問題なし ■生産コストの削減：少量のエアー撹拌、または機械的撹拌で適用可 ■不良率の削減：ピット(ボアー)やエッジビルトアップからの解放 ■活性炭開替ろ過頻度が激減：年間の生産休止日数が少なくなり稼働日数が増加 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
金属意匠の外観と電波透過性・絶縁性を両立！6価クロムを使用しない環境対応型の成膜工程
電波透過性および絶縁性の金属膜は「インジウム蒸着」技術が用いられています。 しかし、レアメタル金属であるためのコスト高や、湿式クロムめっき品との 色調差異が課題となっています。 当社は、『クロムPVD』による電波透過・絶縁性の成膜、安価で調色工程が 不要な技術を確立しました。 【特長】 ■1MΩ以上の絶縁性 ■湿式クロムめっきと同等の色調 ■良好な密着性（サーマルサイクル試験） ■インジウム蒸着膜を超えるミリ波透過減衰量 ■6価クロムを使用しない環境対応型の成膜工程 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
誘電体損失の少ないガラス基板に対して、高密着性を実現した無電解銅めっきプロセスを開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
パナソニック環境エンジニアリング株式会社と共同で、ガラス基板に高密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を新規開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
内層銅と上層めっき層の界面で結晶連続性を確保、最先端のパッケージで要求される高度な信頼接続性を実現
OPC FLETカッパーは、セミアディティブプロセスに適応する、ノーシアン・ロッシェル塩タイプの無電解銅めっき液です。素材表面およびビアホール内への低膜厚で均一な析出性に優れ、フラッシュエッチング時の回路幅細りを低減、さらに、銅上への析出性を抑制し、内層銅と上層めっき銅間で結晶の連続性を実現する、ICサブストレートのファインパターンおよびマイクロビアホール形成用に最適なめっき液です。 【特長】 ・上層めっき銅と内層銅間の接続信頼性に優れる ・素材表面/ビアホール壁面へ、低膜厚で均一、安定した析出性が得られる ・低粗度の素材に対して、ブリスター発生を抑制し、優れたピール強度が得られる ・皮膜は高純度で低い抵抗値を示し、低膜厚でも後工程のパターンめっきを阻害しない
液晶ポリマー（LCP）向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発、トップLECSプロセス
2020年以降、4Gに続いて、5Gの移動通信サービスが日本でも始まりました。5Gは超高速通信を可能にするだけでなく、遠隔地でもロボットなどをスムーズに操作できる超低遅延、スマートフォンやパソコンを多数同時接続できるといった特長を有しています。現在、高速伝送に適した素材として、LCPやフッ素系樹脂のような低誘電材料を用いた高周波対応基板が注目を集めており、特に液晶ポリマー（LCP）は高周波領域での電気特性に優れ、吸水率が低く、寸法安定性に優れているため、5Gやミリ波向けへの採用が進んでいます。当社は、銅めっきの密着が確保されにくいといわれるLCP向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発しました。
高接続信頼性を実現する無電解銅めっきプロセス “OPC SUBLETプロセス”
近年、プリント配線板が適用される環境が拡大し、特に電気自動車や自動運転に関連する分野で、層間接続の信頼性、耐熱性や耐久性の向上が強く求められています。また、RoHS指令などの環境規制に対応して、実装に使用されるはんだは、低融点のSn-Pbはんだ(融点 183℃)から、Sn-Ag系(融点 約220℃)などの高融点はんだへの切り替えが検討されています。そのため、当社は高温・高圧などの厳しい条件でも接続信頼性を維持できる無電解銅めっきプロセスを新たに開発しました。
電極へのダメージが少ない！半導体ウェハ電極上へのバリア層形成プロセス！
『メルプレートUBMプロセス』は、半導体アルミニウム電極上に 無電解ニッケル-置換金めっきによりUBM(Under Barrier Metal)を 形成するプロセスです。 大面積電極を有するデバイスへの安定しためっき処理も可能です。 電極へのダメージが少なく、 バリア性・平滑性に優れる皮膜形成が特長です。 【特長】 ■微小電極への選択的な無電解めっきによるUBM形成 ■多種多様な電極素材に適用可能 ■還元型厚付け金めっきによる電極形成も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プリント基板に。耐食性に優れている無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス
無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセスは、無電解Ni-Pめっきと置換Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。中間層としてPd皮膜を形成していますが、めっき直後の半田濡れ性は無電解Ni-P/置換Auめっきとほぼ同等です。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問合わせ下さい。
プリント基板に。耐食性に優れたPd皮膜を形成させて、耐食性に優れています。
「耐食性に優れた電解Ni/電解Auめっき 代替めっきプロセス」は、.電解Niめっきと電解Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。めっき直後の半田濡れ性は電解Ni/電解Auめっきとほぼ同等です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
パワーモジュールをはんだや銀焼結で接合する際の下地層として最適な無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体（パワーモジュール）としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。 当社は、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少なく、接合信頼性が低下しにくい硫黄フリー低リン無電解ニッケルめっき液「ICPニコロンLPW-LFN」を開発しました。 また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されています。当社は、下地金属の腐食を抑制し、接合強度の向上に貢献する無電解銀めっき「トップシルベACC / トップシルベAG」を新たに開発しました。
めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案 ウエハ上アルミニウム電極 UBM形成 めっきプロセス
UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成 めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。
