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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
3L容器までコーティング可能！容器軽量化による物流コストの低減などに貢献します
当製品は、当社が得意としているプラズマCVDプロセス技術を応用し、 樹脂容器材質として一般的に普及している「PETボトル」への DLCコーティングに特化した成膜装置です。 PETボトル内面へサブミクロンオーダーのDLC薄膜コーティングを施すことで、 内容物の酸化による風味劣化防止や、炭酸成分の溶出防止、 また容器軽量化による物流コストの低減などに貢献します。 【特長】 ■必要生産本数により、様々な装置構成のご提案可能 ■3L容器までコーティング可能 ■3L以上の容器に関してもご相談下さい ■PET樹脂以外の樹脂材質に関してもご相談下さい ■金属材質に関してもご相談下さい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型でスペース効率の優れた装置！基板はφ4インチ対応で、加熱機構・T/S可変機構付き！
当製品は、TEOSをはじめ、液体原料ソースを対象とした シリンダーキャビネット付きプラズマCVD装置です。 液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構を備えており、 内部異常放電防止対策や安定プラズマ生成目的の独自のプラズマ電極を 設計開発。 上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンスでき、小型でスペース効率の 優れた装置です。 【特長】 ■シリンダーキャビネット付き ■液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構搭載 ■独自のプラズマ電極を設計 ■上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンス可能 ■小型でスペース効率が優れている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低温成膜。高絶縁、ハイバリア、均一性！
『PEGASUS』は、メモリ、パワーデバイス、MEMSへの 絶縁膜、保護膜の形成プロセスに低温で緻密な安定した成膜が可能な 量産対応型プラズマCVD装置です。 インターロック機構による、高い安全性を持ち合わせており、ウエハ 接触部位に非金属を使用しているため、裏面からの汚染を防止します。 【特長】 ■低温成膜 ■メンテナンス性 ■ウエハ取扱い ■フットプリント ■保守メンテナンス など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃） ■PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
引張り～圧縮の応力制御が可能！スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
広範な膜特性の制御可能！大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
『酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置』は、2周波独立印可方式により、 低応力、高硬度、高絶縁性を実現します。 ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減 および生産性を向上。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い汎用性を備えたシンプルな構造！独自のプラズマ制御方式を採用しています
『立体物用プラズマCVD装置』は、豊富な蓄積データを有し、 独自のプラズマ制御方式を採用しています。 チャンバー容積は1m3。 多段式大量一括処理可能で、高い汎用性を備えたシンプルな構造です。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■チャンバー容積：1m3 ■独自のプラズマ制御方式 ■多段式大量一括処理可能 ■高い汎用性を備えたシンプルな構造 ■様々な製品材質に成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
漏洩マイクロ波検出用も付属！試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
