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独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18ｍ離して設置することができます。
本装置は、4/5/6 及び 8 インチ・ウェハーに対応しており、プラズマ CVD 法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。 基本構成は、プロセス・モジュール及び RF ジェネレータ・モジュール（高周波,低周波各 1Set ）、バキュームポンプ・モジュールの 3 モジュールで構成され ます。
表面処理工程に導入！真空チャンバーの材質は、ステンレス製で到達真空度が1Pa以下の製品の事例
自動車・バイク部品製造業へ「立体物対応実験用プラズマCVD装置」を 製造した実績についてご紹介いたします。 立体物にDLC、アモルファスSiC等が成膜可能な基材加熱機構付き (最高設定温度：500℃)の製品を導入。 また、PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギングが できます。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【実績概要】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基材加熱機構付き(最高設定温度：500℃) ■PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギング ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
