プラズマCVD装置
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
- 企業:株式会社日本生産技術研究所
- 価格:5000万円 ~ 1億円
更新日: 集計期間:2025年09月24日~2025年10月21日
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パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
漏洩マイクロ波検出用も付属!試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現!
『VC-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
φ200mmウェーハまで対応!成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現!
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。