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熱伝導率: 最大 1300 W/(m•K) サイズ範囲: 直径 100mm 厚さの選択: 0.5mm ～ 3mm 低い熱膨張係数: < 1.0 × 10‑6 /K 機械的強度: >70 GPa
単結晶構造 厚さ: 0.5mm ～ 5mm 低い熱膨張係数: < 1.0 × 10‑6 /K 熱伝導率：1500W/(m•K) サイズ: 3~25mm。 機械的強度: >90 GPa
多結晶構造: 結晶配列を最適化し、材料の一貫性を向上させます。 熱伝導率：最大1600W/(m•K)と優れた放熱性能を実現 サイズ範囲: 直径 100mm まで、大規模用途のニーズに対応 厚さ: 0.5mm ～ 2mm 光学的透明性: 透過率 ≥90% 低い熱膨張係数: < 1.0 × 10‑6 /K 機械的強度: >80 GPa
サイズ: 3~25mm 熱伝導率：2100W/(m•K)以上で優れた放熱性能を実現 光透過性：光透過率95%以上、⾼精度光学用途に適しています 単結晶構造: 結晶の完全性が優れており、⾼いパフォーマンスを保証します 厚さの範囲: 0.5mm～3mm、カスタマイズ可能。 低い熱膨張係数: < 1.0 × 10‑6 /K、熱応力を大幅に軽減 機械的強度: >90 GPa、優れた耐久性と安定性
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パルス電流/測定モデル ・1us-500usパルス幅 ・±10V/±1.5A ・125Msa/s 高圧半導体パルス源 ・±40V（最高電圧カスタマイズ対応） ・NVM測定対応 ・波形カスタマイズ対応 ・周波数0.1-33MHz
・単一チャネルで4象限の電源と測定機能を統合し、1台の機器で電流と電圧を簡単かつ正確に測定でき、接続を変更する必要がありません ・出力範囲：±3500 V、±120 mA（直流）、複数の低電圧電源を直列に接続することなく高電圧テストを簡単に実現でき、高電圧デバイスの特性テストが可能 ・最小測定分解能は1fA/100uV、以前は高価な半導体デバイスアナライザが必要だった低レベル測定を、低コストのベンチトップSMUで実現 ・高速測定が可能で、最大1MのADCサンプリングレートをサポートし、NPLCやサンプリングレートの設定が選択可能 ・5インチのカラーレジスタタッチスクリーンにより、簡単に使用できるフロントパネルGUIを提供し、フロントパネル上での測定とデータ表示が迅速かつ簡単に行え、インタラクティブなテスト、特性評価、デバッグ操作を大幅に加速 ・PC用の無料のGUI制御ソフトウェアにより、プログラミングを行うことなく、PCからリモートで測定および制御が可能 ・単独または複数台の同期が可能で、純粋なハードウェアによる高速同期により、マルチチャネルの低遅延同期を実現
・最高分解能1fA/1uV ・最大±200V/3A ・シングルチャンネル/ダブルチャンネル/24チャンネル対応
・±200V/±3A(DC)/10A(pluse) ・最小分解能100fA/100nV ・サンプリング最高1M ADC ・5インチLCDタッチパネル
・4象限ソース及び測定 ・高精度な電圧、電流測定対応 ・最高精度1pA ・高速測定：１M ADCサンプリング/NPLC(0.00005PLC-10PLC) ・SCPIコマンド対応
パラメータ 仕様 適用製品 GaN、SiC Wafer 適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer バーンインパラメータ HTGB、HTRB テストパラメータ Igss、Idss、Vth システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D) システムの消費電力 <32 kW 窒素防護 >0.6 mPa 温度範囲 常温-175 ℃ 電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V システムチャンネル 720 システム層数 6層 電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません MESドッキング MESドッキングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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