Si異方性エッチングは、Siの結晶軸方位を利用してハーフ穴及び貫通穴を施す技法です。 例えば、Siウエハー（＃100）型を異方性エッチングした場合、 結晶軸方向の54.7度の角度にて、シャープで高精度なパターン加工が可能です。 詳細はお気軽に「お問い合わせ」ください。

【掲載内容】 ○ご挨拶 ○加工技術のご案内 →試作加工：お客様の草案・設計をもとに研究・開発品の試作を承ります。 →製品受託加工：お客様の製品仕様をもとに安定した品質のものを生産します。 ○代表的な加工技術 ［研磨加工］ →ガラス等の基板を高精度に切削･研磨処理 →創業時から磨き上げた技術でニーズに合わせた加工が可能 ［成膜加工］ →主にガラス・Siウエハ・有機材などの基板へ膜付け加工 →ご要求の仕様にあわせて膜付け方法を選択致します。 →真空蒸着法・スパッタリングが代表例 →各種電極膜や光学用薄膜として精度の高いものを提供致します。 ［パターニング］ →主にフォトファブリケーション技術を用いたパターニング →代表例としてフォトエッチング法は高精細のパターニングが可能 →用途･目的に合わせた加工方法を提供致します。 ○会社概要 ○会社沿革 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。