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株式会社ハイテック・システムズ

設立1991年5月13日
資本金10000万
従業員数77名
住所神奈川県横浜市西区高島⼀丁⽬1番2号 横浜三井ビルディング19階
電話045-306-9780
  • 公式サイト
最終更新日:2023/11/30
株式会社ハイテック・システムズロゴ
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『中古部品買取・販売/リファービッシュエンジニアリング』のご紹介

約8万点の中古部品在庫を保有し、最短即日出荷。半導体・FPD製造装置の再整備にもメーカー問わずワンストップで低価格対応

当社は、半導体・FPD製造装置を中心に機器の販売等を行っています。 今回は当社で実績のある『中古部品の販売』と 『リファービッシュエンジニアリング』についてご紹介いたします。 【中古部品の販売】 ■約8万点の部品在庫を保有 (表示機器、真空・駆動系・制御系パーツ、付帯機器、ポンプ、計測器など) ■最短で即日出荷が可能 ■生産終了品や新品の部品も提供可能 ■海外からの専用品の取り寄せに対応 【リファービッシュエンジニアリング】 ■生成物の除去、装置の延命化、オーバーホール、クリーンアップに対応 ■複数のメーカー品でも、一括・ワンストップで依頼可能 ■低価格・低コスト化を実現 <SEMICON Japan 2023に出展します> 会期:12月13日(水)~12月15日(金) 10:00~17:00 会場:東京ビッグサイト 当社ブース:前工程ゾーン 東5ホール(小間番号:5147) ※サービス内容につきましては、資料をダウンロードしてご覧ください。

  • その他半導体製造装置

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ICパッケージ開封装置

物理的・電気的なダメージを与えることなくパッケージの除去が可能!高選択性のエッチング

当社では、先端のIC等デバイスのパッケージに適応した故障解析のための 開封装置を提供しております。 独自の新規プラズマ技術MIP(Microwave Induced Plasmaマイクロ波誘導プラズマ)を有し、 O2(酸素)プラズマを用いてパッケージを除去。 また、一つの装置内でエッチング、洗浄、乾燥、一連のプロセスを 自動で行うことが可能です。 【特長】 ■マイクロ波誘導プラズマ ■O2プラズマ ■大気圧下プロセス ■全自動プロセス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • エッチング装置
  • 超音波洗浄機
  • 乾燥機器

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故障解析用検査装置『Magma EFI HiRes』

超電導磁気センサー(SQUID)を搭載!どのような静的欠陥も見つけ出すことが可能

『Magma EFI HiRes』は、故障解析用検査装置です。 超電導磁気センサー(SQUID)を搭載し、極めて高い感度で種々のデバイスの どのような静的欠陥も見つけ出すことが可能。 サンプル表面から電流経路をたどることで3次元構造上の欠陥の位置を 特定することが可能なソフトウェアを有しています。 【特長】 ■超電導磁気センサー(SQUID)を搭載し、極めて高い感度で  種々のデバイスのどのような静的欠陥も見つけ出すことが可能 ■サンプル表面から電流経路をたどることで3次元構造上の欠陥の位置を   特定することが可能なソフトウェアを搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 磁場解析/電磁波解析

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イオンエネルギー分光法『IES』

高品質な薄膜と界面の情報を得ることが可能!プロセスモニタリングのための診断ツール

『Ion Energy Spectroscopy(IES)』は、イオンエネルギー分光法です。 PLD/PEDシステムに対してin-situにおけるリアルタイムでの プロセスモニタリングのための診断ツールを提供。 プラズマプルームによるレーザーのエネルギー論から高品質な薄膜と 界面の情報を得ることができます。 【特長】 ■プラズマプルームによるレーザーのエネルギー論から  高品質な薄膜と界面の情報を得ることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 分光分析装置

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低角度X線分光法『LAXS』

リアルタイムでの薄膜組成の情報を得ることが可能!プロセスモニタリングのための診断ツール

『Low Angle X-ray Spectroscopy(LAXS)』は、低角度X線分光法です。 PLD/PEDシステムに対してin-situにおけるリアルタイムでの プロセスモニタリングのための診断ツールを提供。 RHEEDの補完的ツールでリアルタイムでの薄膜組成の情報を 得ることができます。 【特長】 ■RHEEDの補完的ツールでリアルタイムでの  薄膜組成の情報を得ることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 蛍光X線分析装置

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高圧反射高エネルギー電子回折『RHEED』

薄膜成長を調節!リアルタイムでのプロセスモニタリングのための診断ツールをご提供

『High-Pressure Reflection High-Energy Electron Diffraction(RHEED)』は、 高圧反射高エネルギー電子回折です。 PLD/PEDシステムに対してin-situにおけるリアルタイムでの プロセスモニタリングのための診断ツールを提供。 振動強度と回折による構造データから薄膜成長を調節します。 【特長】 ■振動強度と回折による構造データから薄膜成長を調節 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他エネルギー機器

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PED装置『Pioneer 180 PED System』

高エネルギーのパルス電子ビームで目的物質を素早く蒸発!全固体物質の成膜が可能

『Pioneer 180 PED System』は、パルス電子堆積法はPLD同様種々の デバイスに対して複雑な物性の薄膜形成が可能な、PED(パルス電子堆積法)装置です。 高エネルギーのパルス電子ビーム(80-100nsのパルス幅、<1000A、15kV)により、 目的物質を素早く蒸発させることが可能で、全固体物質の成膜が可能。 基板サイズが直径10mmから2inch対応で放射加熱により、 850℃まで基盤を加熱することができます。 【特長】 ■パルス電子堆積法は PLD 同様種々の  デバイスに対して複雑な物性の薄膜形成が可能 ■高エネルギーのパルス電子ビーム  (80-100ns のパルス幅、<1000A、15kV)により  目的物質を素早く蒸発させることが可能で、全固体物質の成膜が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 加熱装置

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PLD装置『Pioneer 120 PLD System』

多用途の薄膜形成が可能!導電ヒーターにより950℃まで基板を加熱

『Pioneer 120 PLD System』は、PLD(パルスレーザー堆積法)装置です。 標準的な装置で基板サイズが直径1inchと2inch対応で、 導電ヒーターにより950℃まで基板を加熱することが可能。 また、パルスレーザー(<20nsのパルス幅)により素早く目的の物質を蒸発させ、 その組成を維持したまま薄膜の形成が可能です。 【特長】 ■PLD(Pulsed Laser Deposition) ・パルスレーザー堆積法により多用途の薄膜を形成することが可能 ■パルスレーザー(<20nsのパルス幅) ・素早く目的の物質を蒸発させ、  その組成を維持したまま薄膜の形成が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 加熱装置

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CVD、PECVD横型炉装置『EVADシリーズ』

フロー管理システムが搭載!粉体へも高温でのCVD/PECVDによる処理が可能

『EVADシリーズ』は、ガス、蒸気、液体や固体原料から合成・成膜可能な、 CVD、PECVD横型炉装置です。 シングルゾーン、マルチゾーンによる温度分布を制御し、 回転機構付き高品質ステンレス製チャンバーにより粉体へも 高温でのCVD/PECVDによる処理が可能。 PLASMICON制御システムにより全自動プロセス、データ保存に対応しています。 【特長】 ■FLOCONシリーズのフロー管理システムが搭載 ■PLUMEシリーズのICPプラズマソースを搭載可能 ■ガス、蒸気、液体や固体原料から合成・成膜可能 ■シングルゾーン、マルチゾーンによる温度分布制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • CVD装置

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CVD・MOCVDカスタマイズ装置

多彩なプラズマソースが搭載可能!CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計

当社では、研究開発や小規模バッチ量産向け装置である、 「CVD・MOCVDカスタマイズ装置」を取り扱っております。 CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計で、 PLUM、FLARION及びMIRENIQUEシリーズの多彩なプラズマソースが搭載可能。 また、FLOCONシリーズのフロー管理システムを搭載しております。 【特長】 ■研究開発や小規模バッチ量産向け装置 ■CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計 ■PLUM、FLARION及びMIRENIQUEシリーズの  多彩なプラズマソースが搭載可能 ■FLOCONシリーズのフロー管理システムが搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • CVD装置

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プラズマイオン注入装置『PUPIONシリーズ』

放射性汚染を最小限に抑制!用途に応じたプラズマ励起技術を提案可能

『PUPIONシリーズ』は、プラズマイオン注入装置です。 ナノエレクトロニクス・フォトニクスでのShallow depth dopingや β放射線医療のグレードの放射性同位。 放射性同位元素注入時の放射性汚染を最小限に抑制し、 用途に応じたプラズマ励起技術の提案が可能です。 【特長】 ■ナノエレクトロニクス・フォトニクスでの  Shallow depth dopingやβ放射線医療 ■グレードの放射性同位 ■放射性同位元素注入時の放射性汚染を最小限に抑制 ■用途に応じたプラズマ励起技術を提案可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • イオン注入装置

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パルスレーザー成膜装置『GLAZEシリーズ』

800℃以上の基板加熱と反応性成膜が可能!高効率・高品質な成膜が可能なパルスレーザー成膜装置

『GLAZEシリーズ』は、先端の薄膜成膜用パルスレーザー成膜装置です。 ハイブリッドプロセスによる高効率・高品質な成膜が可能。 800℃以上の基板加熱と反応性成膜が可能で、 マグネトロンカソードも搭載が可能です。 【特長】 ■先端の薄膜成膜用パルスレーザー成膜装置 ■ハイブリッドプロセスによる高効率・高品質な成膜が可能 ■800℃以上の基板加熱と反応性成膜が可能 ■マグネトロンカソードも搭載可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • レーザーマーカー

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カーボンナノチューブ合成装置触媒蒸着

PLUMEシリーズのプラズマソースを搭載可能!PVDやPECVDプロセスに対応

当社では、カーボンナノチューブ合成装置触媒蒸着を取り扱っております。 ハイブリッドリアクター構成によりPVDやPECVDプロセスに対応。 大気開放せずCNTやグラフェン合成の全てのステップ処理を実現し、 基板表面クリーニング、バッファー層成膜、触媒層を含めた 合成ステップに対応しております。 【特長】 ■MAGNIONシリーズのマグネトロン装置に  PLUMEシリーズのプラズマソースを搭載可能 ■ハイブリッドリアクター構成により  PVDやPECVDプロセスに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • チューブ

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マイクロ波プラズマソース『MIRENIQUEシリーズ』

MWPECVD用R&D装置に好適!MW-SURFATRONSは常圧または減圧に対応

『MIRENIQUEシリーズ』は、マイクロ波プラズマソースです。 PECVD用やダイアモンド・DLC・CNTやプラズマアシスト重合など向けで、 リアクター及びプラズマソースは、MWPECVD用R&D装置に好適。 MW-SURFATRONSは常圧又は減圧に対応しています。 【特長】 ■PECVD用やダイアモンド・DLC・CNTやプラズマアシスト重合など向け ■MWPECVD用R&D装置に適したリアクター及びプラズマソース ■MW-SURFATRONSは常圧又は減圧対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • プラズマ表面処理装置

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ロール to ロール装置『ATMOS-R2Rシリーズ』

同一チャンバーに搭載可能!マルチゾーン化によりクロスコンタミを低減

『ATMOS-R2Rシリーズ』は、ロール to ロール装置です。 様々なタイプのフレキシブルなフィルムへの表面トリートメント・成膜し、 同一チャンバーのマルチゾーン化によりクロスコンタミを低減。 各種の成膜用ソースやトリートメント用ソースが 同一チャンバーに搭載可能で、FLOCONシリーズのガス、 蒸気や液体制御システムの統合による高い対応性があります。 【特長】 ■様々なタイプのフレキシブルなフィルムへの  表面トリートメント・成膜 ■同一チャンバーのマルチゾーン化により  クロスコンタミ低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他表面処理装置

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プラズマ成膜及びエッチング装置『FLARIONシリーズ』

プラズマアシストリアクティブ成膜可能!インテグレーション用オプションなどにも対応

『FLARIONシリーズ』は、プラズマ成膜及びエッチング装置です。 PLUMシリーズのシームレスICPによるプラズマアシストリアクティブ成膜が可能。 また、基板回転機構、バイアス機構やプログラム制御された 軸動作機構の搭載が可能で、カスタマイズやインテグレーション用 オプションに対応しています。 【特長】 ■PLUM シリーズのシームレスICPによる  プラズマアシストリアクティブ成膜可能 ■基板回転機構、バイアス機構や  プログラム制御された軸動作機構搭載可能 ■カスタマイズやインテグレーション用オプション対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • プラズマ表面処理装置

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MAGNION、FLARION、EVADシリーズ

シングル・マルチカソード対応!グローブボックスとのインテグレーションも可能

『MAGNION、FLARION、EVADシリーズ』は、卓上薄膜蒸着及び プラズマ装置です。 マグネトロンスパッタPVD装置は、シングル・マルチカソード対応。 熱蒸着装置は、有機・無機材料向け蒸発ボート・小クヌーセン・ セル(K-セル)で、グローブボックスとのインテグレーションも可能です。 【特長】 ■マグネトロンスパッタPVD装置:シングル・マルチカソード ■熱蒸着装置:有機・無機材料向け蒸発ボート・小クヌーセン・セル(K-セル) ■グローブボックスとのインテグレーションも可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • プラズマ表面処理装置

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プラズマソース『PLUME シリーズ』

多目的用途に対応可能なICP、中性原子、イオンソース!プラズマソースをご紹介

当社で取り扱う『PLUME シリーズ』をご紹介します。 粉体やインライントリートメント用、リモートプラズマソース/ イマースドプラズマソースとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■多目的用途に対応可能なICP、中性原子、イオンソース ■粉体やインライントリートメント用 ■リモートプラズマソース/イマースドプラズマソース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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熱蒸着装置『EVAD シリーズ』

金属、誘電及び有機膜成膜!熱蒸着装置をご紹介

当社で取り扱う『EVAD シリーズ』をご紹介いたします。 当製品はPID温度制御された低温蒸着セルによる有機分子成膜の熱蒸着装置。 また、電子ビームや各種抵抗加熱による金属、誘電及び有機膜成膜です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■電子ビームや各種抵抗加熱による金属、誘電及び有機膜成膜 ■PID温度制御された低温蒸着セルによる有機分子成膜 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 蒸着装置

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DLI-CVD/DLI-ALD装置『MC-100/MC-200』

最大成膜温度は800℃!チャンバー加熱機構で最大4x DLI気化器を搭載可能

『MC-100/MC-200』は、スチールステンレス製チャンバーの DLI-CVD/DLI-ALD装置です。 最大200mm径基板対応、マスフローコントローラーは最大「MC-100」が8、 「MC-200」は6で、ターボポンプ搭載可能となっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板対応 ■最大成膜温度:800℃ ■最大4x DLI気化器を搭載可能 ■マスフローコントローラー:最大 8 ■スチールステンレス製チャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • CVD装置

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DLI-CVD/DLI-ALD装置『MC-050』

ランプ加熱式の為にRTP、RTCVD処理可能!クオーツ製チューブ型チャンバー

『MC-050』は、最大50mm径基板対応のDLI-CVD/DLI-ALD装置です。 最大成膜温度は1100℃(ランプ加熱方式)で、最大6×DLI気化器を搭載可能。 また、マスフローコントローラーは最大8、ターボポンプ搭載可能です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大50mm径基板対応 ■最大成膜温度:1100℃(ランプ加熱方式) ■最大6x DLI気化器を搭載可能 ■マスフローコントローラー:最大8 ■クオーツ製チューブ型チャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アニール炉

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RTP装置『AS-Master 200』

ターボポンプ搭載可能!低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーター

『AS-Master 200』は、アニール処理後急速冷却機構のRTP装置です。 最大200mm径基板対応(基板上部ランプ加熱式)しており、 真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能。 また、大気・真空下プロセスに対応しており、ターボポンプ搭載可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板対応(基板上部ランプ加熱式) ■低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーター ■アニール処理後急速冷却機構 ■大気・真空下プロセス対応 ■ターボポンプ搭載可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アニール炉

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RTP装置『AS-Premium』

最大156mm×156mm基板対応!真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能

『AS-Premium』は、大気・真空下プロセスに対応しているRTP装置です。 アニール処理後急速冷却機構(上部ランプ加熱式のみ)で、 低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーターとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大156mm×156mm基板対応 ■低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーター ■アニール処理後急速冷却機構(上部ランプ加熱式のみ) ■大気・真空下プロセス対応 ■ターボポンプ搭載可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アニール炉

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RTP装置『AS-One 100/150』

アニール処理後急速冷却機構!Annealsys社の高速熱処理装置をご紹介

『AS-One 100/150』は、大気・真空下プロセス対応のRTP装置です。 ターボポンプを搭載可能で、マスフローコントローラーは最大5と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■アニール処理後急速冷却機構 ■大気・真空下プロセス対応 ■ターボポンプ搭載可能 ■マスフローコントローラー:最大5 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アニール炉

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クラスターツール『3ICP+2cassetteモジュール』

SI 500-1M、SI 500 PPD-1Mなど搭載可能!搬送チャンバーは3種類から

『3ICP+2cassetteモジュール』は、さまざまなモジュールを 搭載可能なクラスターツールです。 ICPRIEモジュールの「SI 500-1M」をはじめ、RIEモジュールの 「SI 500 RIE-1M」や、PECVDモジュールの「SI 500 PPD-1M」、 ALDモジュール「SI ALD-1M」などを搭載可能 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【搭載可能モジュール】 ■SI 500-1M:ICPRIE モジュール ■SI 500 D-1M:ICPECVD モジュール ■SI 500 RIE-1M:RIE モジュール ■SI 500 PPD-1M:PECVD モジュール ■SI ALD-1M:ALD モジュール ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • CVD装置

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レーザーエンドポイントモニター『SLI 670』

透過膜のエッチングや成膜のIn-situでの膜厚モニターに!スポットサイズ100μm

『SLI 670』は、波長が670/980nmのプラズマ装置用 エンドポイントモニターです。 プラズマ装置の上部の窓からレーザービームを照射し サンプルからの反射光を測定し膜厚を測定します。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■波長:670/980nm ■スポットサイズ:100μm ■モーター駆動ステージ ■反射率、干渉モード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 膜厚計

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ICPECVD『SI 500 D』

ICPパワーによるイオン密度の制御!低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現

『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10^12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の  間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • CVD装置

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ICP-RIE『SI 500』

高選択性エッチング!ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化

『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10^12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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サーマルALD装置『Firebird』

トップクラスのスループット!柔軟性のあるモジュール化されたデザイン

『Firebird』は、大規模量産の為のクラスターツールタイプ サーマル式のALD装置です。 実績のあるVeecoの自動化システムを搭載しており、 基板への衝撃の少ないバッチ搬送。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■トップクラスのスループット ■低所有コスト ■実績のあるVeecoの自動化システム ■柔軟性のあるモジュール化されたデザイン ■基板への衝撃の少ないバッチ搬送 ■Veecoの世界規模のセールス・サービス・サポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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サーマルALD装置『Phoenix G2』

量産に必要な多くの安全対策仕様!コンパクトな装置サイズで成膜温度50~285℃

『Phoenix G2』は、中規模量産に適したサーマル式のALD装置です。 優れたプロセスフレキシビリティーで実証されたリアクターデザインで、 多用途に対し容易に使用可能。 また、セミオートローダー又は真空ロードロックに対応しており、 適切なチャンバーサイズ(<370mm×470mm)となっております。 【特長】 ■優れたプロセスフレキシビリティーで実証されたリアクターデザイン ■多用途に対し容易に使用可能 ■量産に必要な多くの安全対策仕様 ■セミオートローダー又は真空ロードロック対応 ■適切なチャンバーサイズ:<370mm×470mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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プラズマ/サーマルALD装置『Fiji G2』

500℃ウエハステージ!プラズマダメージの無いリモートICPソース採用

『Fiji G2』は、サーマル式とプラズマ式の研究開発用ALD装置です。 プラズマ源にICPリモートプラズマを採用し、基板搬送に 真空ロードロックを搭載し、高品質の酸化膜、窒化膜、メタル膜の ALD膜が成膜できる設計。 また、簡易除害ユニットALD Shield Vapor Trapを標準搭載しており、 プラズマガスラインは最大6ラインとなっております。 【特長】 ■500℃ウエハステージ ■プラズマダメージの無いリモートICPソース採用 ■超高アスペクト比(<2000:1)対応モード(サーマル) ■プラズマガスライン:最大6ライン ■プリカーサライン:最大6ライン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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サーマルALD装置『Savannah G2』

研究開発用、小規模バッチ用!簡易除害ユニットALD Shield Vapor Trap標準搭載

『Savannah G2』は、シンプルで使いやすく研究開発から 少規模の量産まで対応可能な柔軟性のあるサーマル式のALD装置です。 高い成膜性能をシンプルなシステムで実現しており、 用途と予算に合わせた構成選択可能。 ご要望の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■高い成膜性能をシンプルなシステムで実現 ■超高アスペクト比(<2000:1)対応モード ■用途と予算に合わせた構成選択 ■プリカーサライン:最大6ライン ■簡易除害ユニット:ALD Shield Vapor Trap 標準搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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scia Cube 300/450/750

基板バイアス機構!当社のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置をご紹介

『scia Cube 300/450/750』は、300×300mm、450×450mm、 750×750mm基板対応のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置です。 プロセスは、マイクロウエーブPECVD、反応性イオンエッチング(RIE)と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■300×300mm、450×450mm、750×750mm基板対応 ■基板バイアス機構 ■基板冷却加熱機構(-10~850℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • エッチング装置

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イオンビームスパッタ装置『scia Coat 200/500』

最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載!イオンビームスパッタ装置をご紹介

『scia Coat 200/500』は、最大200mmウエハ基板又は 300mm×500mm基板対応の製品です。 プロセスは、イオンビームスパッタリング(IBS)、 イオンビームエッチング(IBE)、デュアルイオンビーム スパッタリング(DIBS)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板又は300mm×500mm基板対応 ■最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載 ■RFソース(120mm~350mm) ■リニアマイクロウエーブECRソース(2×380mm長) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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マグネトロンスパッタ装置『scia Magna 200』

最大200mm径基板!ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP)

『scia Magna 200』は、回転式単体マグネトロンの マグネトロンスパッタ装置です。 アプリケーションは、TC-SAW向け温度補償膜(SiO2)、AlN等圧電膜、 光学用高・低屈折膜、絶縁膜(Si3N4, SiO2, Al2O3)です。 また、プロセスはマグネトロンスパッタとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板 ■回転式単体マグネトロン(最大径300mm) ■共焦式4マグネトロン ■ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スパッタリング装置

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イオンビームトリミング装置『scia Trim 200』

メカニカルクランプ又は静電チャック対応!サブナノメーターエッチング機構

『scia Trim 200』は、高精度・高スループットによる 膜厚エッチング制御のイオンビームトリミング装置です。 最大200mmウエハ基板対応しており、歩留改善。 また、プロセスはイオンビームトリミング(IBT)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板対応 ■歩留改善 ■高精度・高スループットによる膜厚エッチング制御 ■メカニカルクランプ又は静電チャック対応 ■サブナノメーターエッチング機構 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • エッチング装置

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イオンビームミリング装置『scia Mill 150/200』

最大150又は200mmウエハ基板対応!エッチング角度及びステージ傾斜・回転機構

『scia Mill 150/200』は、マイクロウエーブECRソース(218mm径)の イオンビームミリング装置です。 プロセスは、イオンビームエッチング/ミリング(IBE/IBM)、 反応性イオンビームエッチング(RIBE)、ケミカルアシストイオンビーム エッチング(CAIBE)となっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大150又は200mmウエハ基板対応 ■マイクロウエーブECRソース(218mm径) ■RFタイプソース(350mm径) ■エッチング角度及びステージ傾斜・回転機構 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • エッチング装置

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約10万点在庫の中古パーツ販売<取り扱い部品等の一覧表進呈>

お客様の欲しいパーツを短納期・低コストで提供。国内大手企業との取引実績多数。買取査定も受付中

【こんなお困りごとはありませんか?】 「故障した設備を直したいが、部品の生産が終了している」 「部品が手に入らず、製品の納品が間に合わない」 当社では、中古品・生産終了品・新品の各種パーツ類および補機を 約10万点以上保有しており、要望に応じて素早く提供可能です。 最短で即日出荷が可能。海外からの専用品の取り寄せにも対応し、 急な設備トラブルや納品トラブル時に貢献します。 【取り扱い品(抜粋)】 ◎表示機器  :モニター・タッチパネル ◎真空パーツ :ゲートバルブ・電磁弁・真空計 ◎駆動系パーツ:ペンダント・ロボット・LM ◎制御系パーツ:PLC・インバーター・電源 ◎付帯機器  :コンプレッサー・チラー・ブロアー ◎各種ポンプ :ドライ・ターボ・クライオ・オイル ◎測定・計測器:顕微鏡・速度計・流量計 そのほかモーター、ドライバーやFA汎用品も多数ご用意 ★買取査定も受付中。設備としての価値がなくても部品や有価材として査定します。 「PDFダウンロード」より、取り扱い部品等の一覧表をご覧いただけます。

  • その他電子部品
  • その他機械要素
  • その他半導体

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海外の先端システムとお客様のニーズをつなぐ エンジニアリング技術

成膜サービス・サポート体制が充実したナノテクノロジーや3次元加工アプリケーションなどのテクノロジー装置を販売する先端システム事業

海外の先端システムとお客様のニーズをつなぐエンジニアリング技術を提供します。 欧米諸国で評価の高い、薄膜関連装置を国内のお客様に供給するにあたり、それを提供するエンジニアを育てることを大切にしています。 また装置の輸入販売だけではなく、デモ機による性能評価から立ち上げ後のアフターサポートはもちろん、生産性向上のための改造まで対応します。それが、ハイテック・システムズの先端システム事業です。 【特長】 ◆成膜サービスが充実 ◆サポート体制が充実 ◆日本人エンジニアが充実 【製品】 ◆Veeco/CNT(U.S.A.) ◆scia Systems (Germany) ◆ANNEALSYS (France) など ※詳しくはカタログをダウンロード頂くか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他産業用ロボット

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高い技術力で中古導入を成功に導く リノベートテクノロジーサービス

リノベートテクノロジーと先端薄膜システムの提供という二つの柱を中心に、半導体・FPD業界に新しい時代をご提案【カタログ進呈中】

ハイテック・システムズは、リノベートテクノロジーのリーディング・カンパニーとして、高い技術力で中古導入を成功に導きます。 リノベートテクノロジーと先端薄膜システムの提供という二つの柱を中心に、半導体・FPD業界に新しい時代をご提案します。 私たちの身の周りにある家電、携帯電話や医療機器・産業機器にはたくさんの電子デバイスが用いられ、日々進化を続けています。その進化の過程で製造工場では、既存ラインを活用し新たなデバイスを製造するという難題を乗り越えていかなければなりません。 半導体・FPD業界における中古装置の再生・導入には「診断・査定」「洗浄・無害化」「解体・復旧」「物流」「ライン構築」「改造・再生」「精度調整」など多岐にわたる技術・ノウハウが必要となります。ハイテック・システムズではこれら中古活用に必要な総合技術=「リノベートテクノロジー」を提供していきます。 【事業内容】 ◆リユース事業 ◆エンジニアリング事業 ◆先端システム事業 ※詳しくはカタログをダウンロード頂くか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他産業用ロボット

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イオンビームミリング装置

イオンビームミリング装置

独scia Systems GmbH(スキアシステムズ社)は、独Roth&Rau AG, MicroSystems GmbHのイオンビームトリミング(トリミング加工、IBF)装置IonScan装置のソフトウエア、ハードウエハを開発した主要なスタッフにて設立されました。スキアシステムズ社はユニークで且つ独自の最先端のイオンビームやプラズマ技術を開発し、研究開発装置から量産向け装置を取り扱っております。

  • その他加工機械

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デュアルイオンビーム成膜装置

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  • その他加工機械

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PVD装置

ダブルリングマグネトロンDRM400を搭載したPVD装置

独scia Systems GmbH(スキアシステムズ社)は、独Roth&Rau AG, MicroSystems GmbHのイオンビームトリミング(トリミング加工、IBF)装置IonScan装置のソフトウエア、ハードウエハを開発した主要なスタッフにて設立されました。スキアシステムズ社はユニークで且つ独自の最先端のイオンビームやプラズマ技術を開発し、研究開発装置から量産向け装置を取り扱っております。

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イオンビームトリミング装置

基板面内を局所的に且つ高精度にエッチングします。

独scia Systems GmbH(スキアシステムズ社)は、独Roth&Rau AG, MicroSystems GmbHのイオンビームトリミング(トリミング加工、IBF)装置IonScan装置のソフトウエア、ハードウエハを開発した主要なスタッフにて設立されました。スキアシステムズ社はユニークで且つ独自の最先端のイオンビームやプラズマ技術を開発し、研究開発装置から量産向け装置を取り扱っております。

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大型基板用ALD装置

4.5世代、5.5世代角基板を成膜します

ハイテックシステムズは、ALD(Atomic Layer Deposition)装置の世界的リーディングカンパニー、Veeco/CNT社の販売代理店です。 Veeco/CNT社は米国Veeco社のALD(Atomic Layer Deposition)事業部門で先端のALD(原子層堆積)技術開発を行い、世界の研究機関、大学、企業にて最も使われている開発用、量産試作用、ALD装置のメーカーです。量産用ALD装置、大面積基板ALD装置についても市場にて実績があり、ご要望に対応しております。

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