アイテスの製品・サービス一覧

●製品ライフサイクル全般をカバーする総合的な技術サービス 　電子部品の品質向上のために必要な開発時の原材料評価、信頼性試験と結果解析、出荷後の故障解析と結果の開発・製造現場へのタイムリーなフィードバック、さらには品質問題解決のコンサルティングまで、製品ライフサイクル全体にわたりご支援します。 ●信頼性試験の結果を速やかに解析、速報 　信頼性試験での不良に対し、豊富で効率的な解析メニューにより的確でタイムリーな原因特定、考察をご支援します。 ●必要なサービスを必要なだけご利用ください 　決められた評価計画に基づく試験・検査実施から、問題解決のための評価・解析計画立案、結果解析、原因究明とコンサルテーションまで、必要にあわせて自由にご選択頂けます。

株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し 　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法： クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。

■解決する力 　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング 　スピード対応でお客様スケジュールを支援 ■つきとめる力 　故障個所をピンポイントし可視化する技能 　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術 ■特化した設備 　最高180℃での液槽熱衝撃試験 　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験

■総合力 　信頼性試験から電気特性測定、光学特性測定、さらに分析・解析までの一貫評価耐性 ■充実した解析手法 　・順方向バイアス解析/逆方向バイアス解析 　・可視～赤外まで検出 　・発光解析/OBIRCH解析 ■特殊技術 　可視光領域をフィルタリングすることにより、異常部位からの微弱発光を逃さず検出

当資料は、太陽電池モジュールの不具合の紹介と、その解析に当たって 様々な断面加工を行い、観察・分析を行った事例を劣化要因とともに 掲載しています。 「太陽電池の基本構造」をはじめ「非破壊解析と破壊解析」について 図や写真を用いてご紹介。 是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■はじめに ■太陽電池の基本構造 ■非破壊解析と破壊解析 ■種々の不具合モード ■結言 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アイテスでは信頼性試験、分析・解析などパワーデバイスのトータルソリューションサービスを行っております。過渡熱測定を同時に行える「パワーサイクル試験機」をはじめ、「化合物半導体の故障解析」「拡散層の濃度解析」「モジュールの断面解析」など。具体的実績を元にご提案させていただきます。 キーワード：■パワー半導体全般（チップ、モジュールTIM素材など）■信頼性試験/評価　■構造解析（出来栄え・他社品RE）■故障解析（故障箇所特定、原因究明、改善提案） 【試験一覧】 ■パワーサイクル試験 ■液槽熱衝撃試験 ■ゲートバイアス試験 ■半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察 ■パワーチップの故障解析　など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 　ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 　破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 EELS分析とEDS分析は、TEM試料に加速した電子を照射することで 元素同定を行う分析手法です。 「異なるカーボン膜」の事例では、状態分析が特長である EELS分析手法を用いてナノ領域での膜質評価を行いました。 EDS分析ではスペクトルの比較からBottom膜のみN,Oを微量に検出。 EELS分析では2つのSpectrumのショルダー形状が違うことから 有機膜に配合されているN,OとCの結合状態を比較することが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ■重ね合わせ画像 ■吸収電流像（電流センス） ■吸収電流像（電圧センス） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 　をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの 裏面研磨を行います。 これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。 裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、 形状異常の有無も観察できます。 また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で 裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。 【特長】 ■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により 　透過しないため、裏面研磨が必要 ■不良を保持したまま発光を検出できる ■形状異常の有無も観察できる ■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の『化学分析サービス』は、パネル製品、半導体製品、樹脂成形品など 様々な工業製品・材料を分子、原子レベルで分析し、それらの機能や特性、 状態を明らかにして、お客様の課題解決に貢献します。 分析対象の材質や分析の目的に合った分析手法の提案が可能です。 ぜひお気軽にご相談ください。 【分析内容の例】 ◎製品内の異物　◎使用材料の状態 ◎材料の変質　　◎材料に含まれる微量成分・元素 ◎製品や材料の熱による物理特性

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。 更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。 【特長】 ■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定 ■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは 　解析が難しい電子部品を解析する事も可能 ■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の 　特定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

経年劣化により不具合を起こしたアルミ電解コンデンサについて、 内部状態をX線CTにより確認を行ったのでご紹介します。 劣化品は電解液の分解等によるガスにより内部圧力が上昇し、 劣化が進むと圧力弁の開放により電解液が噴出する恐れがありました。 また、ゴムキャップの変形による気密低下で徐々に電解液が揮発し 最終的には容量抜けでオープン不良になると考えられます。 【概要】 ■外観比較 ・正常品と劣化品について、外観確認を行った ■X線CTによる内部比較 ・正常品と劣化品について、X線CTによる内部観察を行った ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

斜めCTの最大のメリットは非破壊でCT観察できることです。 平面情報を取得することに適しており、積層基板では各層毎の情報を 得ることが可能。 また、測長ツールを用いることで長さを測定することもできます。 当社が行った、測定結果は光学顕微鏡像の測定結果に対し約7～14%の 差が見られましたが、非破壊で内部構造を把握したいという場合には 有効ではないか思われます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■非破壊でCT観察できる ■平面情報を取得することに好適 ■積層基板では各層毎の情報を得ることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための 良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます。 「TFTの各温度での電気特性測定」では、表示状態のモニターを解体し、 パネル内の画素TFTに対して、電気特性測定が可能。 「DCバイアスストレス試験」では、Gate,Drainに任意のDCバイアスを印加し TFTにストレスを与えたときのVthシフトを測定し、信頼性確認を行います。 【特長】 ＜TFTの各温度での電気特性測定＞ ■パネル内の画素TFTに対して電気特性測定が可能 ■アニール前後、光照射、加温や冷却下で測定できる ■測定結果からIon、Ioff、Vth、移動度の指標を算出 ■良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

LCD解析でお困りのあなたに、 私たちアイテスが解決のお手伝いをします！ 構造解析： 　刻々と進化するFPD製品・先端技術が組み込まれた製品に対して、 　特性・構造上の潜在的問題点がないかを評価しご報告します。 不良解析： 　増え続ける海外製造品の製造不良に対して、 　最短ルートでアプローチ・原因究明いたします。 信頼性試験： 　お客様の目的・必要性に応じて、豊富なノウハウにより 　最適な信頼性試験手法・条件のご提案を行います。 【掲載内容】 ■　知ってた？知らなかった？ディスプレイとは？ ■　パネル解析事例 ■　もっと教えて！アイテスのLCD解析 ■　アイテスではこんな解析ができます！

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！ 今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。 パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の 断面観察・分析を高スループットで実現。 最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、 FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が 可能です。 【Helios 5 UCの主な特長】 ■高速・大面積FIB加工 ■低加速仕上げによるダメージ層低減 ■Cryo-FIB加工 ■3Dイメージング ■TEM試料加工の完全自動化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

信頼性試験によって破壊した酸化物系全固体電池に対して、故障箇所 特定～断面観察までの一連の解析を実施した事例をご紹介します。 発熱解析により側面で発熱が強い傾向が認められ、X線透過観察では、 X線透過像で発熱が認められた境界付近に白い線状のコントラスト異常 が見られました。白線部で何らかの異常が発生している可能性が疑われます。 異常が見えていた箇所に対して、CP断面SEM観察を実施すると、層剥離が 認められ、信頼性試験によって正(負)極層が膨張、収縮を繰り返す事で 集電体や電解質層間に剥離が発生したと推測されます。 【事例概要】 ■サンプル情報：充放電試験による劣化が発生した酸化物系全固体電池 ■発熱解析結果：側面で発熱が強い傾向が認められた ■その他解析内容 ・X線透過観察 ・SEM観察によるCP断面観察、元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

電源が入らなくなった家電のスイッチ部にて故障が推測されたことから、 解析事例を作業フローと共に紹介します。 最初に外観の観察にて、膨れや⻲裂、変⾊などの形状変化がないか確認。 電気的な確認では不具合が再現されるか確認したりオープンなのか ショートなのか等を確認します。 X線での内部観察を行い、スイッチ内部の接点端子が溶融、 ⾶散し消失した事によるオープン不良と判明しました。 最終的には原因考察も含め報告書として提出させていただきます。 また非破壊検査後の解析相談も承っておりますので、お気軽にご相談ください。 【非破壊観察の基本】 ■その1：外観確認 ■その2：電気的な確認 ■その3：X線での内部観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、FPDを様々な角度から徹底評価、検証いたします。 構造解析では、FPD製品・先端技術が組み込まれた製品に対して、特性・構造上 の潜在的問題点がないかを評価し、ご報告。不良解析では、増え続ける 海外調達品の製品不良に対して最短ルートでアプローチ・原因究明いたします。 また、信頼性試験では、お客様の目的、必要性に応じて、豊富な ノウハウにより好適な信頼性試験手法・条件のご提案を行います。 【当社の強み】 ■解決する力 ・液晶製造工程を熟知した解析手法のご提案 ■つきとめる力 ・技能深い洞察力と高度かつサブミクロンレベルの微細な試料加工技術 ■特化した設備 ・多様な分析機器を組み合わせた考察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

COG実装の導電粒⼦形状観察についてご紹介します。 ICと液晶パネルはACF(異⽅性導電フィルム)を⽤いたCOG⽅式により実装。 核に樹脂ボールを使⽤し、その表面に導電のための⾦属層(ニッケルや⾦など) が成膜されており、接続時に粒⼦が適度に変形し、ICとパネルを電気的に接続。 粒⼦の変形具合や接続状態を確認するため、断面観察を⾏ったところ、 粒⼦変形量は「中」であり、適度な変形具合であることがわかりました。 平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との関連性 を探ることができます。パネル関連の不具合調査はお気軽にご連絡ください。 【概要】 ■実装されたICでは、わずかに「反り」や「傾き」により、IC端部と中央部 　で粒⼦の変形量に差が⽣じ、表⽰不良の原因となる場合がある ■平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との 　関連性を探ることができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

FIB-SEMのSlice＆View機能を用いた、故障箇所の三次元再構築について ご紹介いたします。 構造物の連続SEM画像を取得し、得られた像を三次元構築ソフト(Avizo)で、 SEM画像間のパターンの位置ズレを補正し立体的に可視化。 故障箇所に対して断面出しをする位置特定技術とSlice＆View機能を 組み合わせることで不良状態を保持して異常部前後の情報を含めた 連続SEM画像を取得することができます。 【掲載内容】 ■Slice＆Viewと三次元再構築について ■OBIRCHにより特定した故障箇所の連続SEM観察と三次元再構築 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、UVレーザー照射によりこれまで通電しなければ顕在化されなかった 欠陥をあぶり出し、研究開発の評価サイクルを短縮するSiC欠陥検査装置です。 【特長】 ■UV照射 ・チップのような小さいサイズからウエハ全面まで均一なレーザ照射を実現 ・エピ厚、ドーピング濃度からホール濃度を計算し、電流密度に相当する放射照度を提案 ■PL測定機能 ・380nm、420nm、over700nmの波長で欠陥を多角的に観測 ・画像処理技術により積層欠陥の発生箇所、分類が可能（バッファー層、ドリフト層、基板界面） ・欠陥発生箇所座標付きマッピング機能付き ※まずはお気軽に、トライアル測定（無償）をご検討ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。