電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。

【発光解析/OBIRCH解析　特長】 ■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定 ■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能 ■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 　Siチップサイズ：200um～15mm ・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　　　　　　　　　感度：数十pA 　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・エミッション解析：　～2kV　まで対応 　　　　　　　　　　感度：数nA 　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um ・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 ・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能 　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり ・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k） ・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k） 　

■エミッション発光にて特定した故障部位は 　FIBにより薄片化しながら観察します。 ■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて 　故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し 　最適な像を得ることができます。 ■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき 　2%以下の誤差で測長することもできます。

半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 １）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。 ２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。 ３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。 ４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(mm） ・パワーデバイスアナライザによる特性評価 　最大電圧　3000V、最大電流　20A 　小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応 ・絶縁性評価イオンマイグレーション試験 　高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター 　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察

■LEDの信頼性試験 　・光学特性評価　-紫外光域/可視光域 対応- 　　LED製品の光学特性値は、製品の検査及び品質状態の把握に利用可能 　・電気特性評価 　　LEDの電気的な不良或いは劣化の状態を把握 　・高温動作試験・高温高湿動作試験 　　In-Situ常時測定装置の使用により、試験動作中の電圧モニターを実施可能 　・信頼性試験 　　LEDの使用環境を考慮した信頼性試験評価の実施 　・点灯試験 　　単体のLEDデバイスから1200mm蛍光灯管サイズまで試験可能 　・非破壊検査 　　X線によるLED内部構造の透過観察を実施 　・ESD試験 　　HBM(人体モデル）とMM（機械モデル）の2種類 ■LEDの分析・解析 　・LED不良モードの切り分け 　　不具合部位を特定、最適な解析手法をご提案 　・順方向、逆方向バイアスに対応した発光解析 　　様々な手法にて、LEDのリーク箇所を検出 　・LED素子の裏面研磨と裏面発光解析 　　リーク箇所の断面観察より、リーク発生原因を解析 　・橙色LEDの構造解析例 　　断面SEM観察より、構造を解析

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【解析内容（抜粋）】 <光学観察> ■分類 ・パネルLCM/Cell ・Cell解体後の光学観察 ■評価項目 ・COG接合/FOG接合 ・SEG-LCD_PIN接合 ・引き出し配線/周辺回路 ・セルシール ・表示部 ・TFT/CF構造 ■分析手法 ・OM観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【EELS分析とEDS分析との比較】 <EELS> ■分析に使用するパラメータ：エネルギー損失電子 ■エネルギー分解能：1eV以下 ■長所：状態分析軽元素分析（Li,B） ■短所：広範囲の元素を同時分析が困難 ■測定時間：5s ■TEM試料厚：約50nm以下 <EDS> ■分析に使用するパラメータ：特性X線 ■エネルギー分解能：100eV前後 ■長所：全元素についての分析 ■短所：近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難 ■測定時間：30s ■TEM試料厚：約300nm以下 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】 ■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定 ■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工 ■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価 ■TEM観察による結晶構造観察、元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【対象パネル】 ■セグメント液晶 ■パッシブ液晶 ■アクティブTFT液晶(車載,モバイル,TV,etc) 【ご用意いただくもの】 ■不良パネル ■点灯冶具(パネル表示不良写真でもOK) ■Refパネル(ご提供可能であれば) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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当社は半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える 様々なサービスを提供しております。 製品開発、不良・故障解析、信頼性評価などでお悩みの方はぜひご相談ください。

【装置仕様】 ■観察視野サイズ：9.5x7.5mm～1.2x0.96mm ■検出波長領域：3.7um～5.1um ■最大印加電圧、電流：1.5kv/120mA 3kV/20mA ■ロックイン周波数：0.1Hz～83Hz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【積層基板の観察事例（斜めCT観察）】 ■Cheetah EVOでは、凹凸が少なく大きさが200mmほどの試料であれば破壊することなく、 　そのままCT観察することが可能 ■X線による透過観察では、斜めCTで像を取得することで各層のパターンを確認することが可能 ■測長ツールを用いることで長さを測定することもできる ■測定結果は光学顕微鏡像の測定結果に対し約7～14%の差が見られたが、非破壊で内部構造を 　把握したいという場合には有効 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他特長】 ＜DCバイアスストレス試験＞ ■Gate、Drainに任意のDCバイアスを印加し、TFTにストレスを与えたときの 　Vthシフトを測定し、信頼性確認を行う ■加速試験として、加温状態でも測定できる ■複数のパネルメーカにて測定を行い、Vthシフト量を比較することで、優位判定も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【FIB-SEM複合装置概要】 ■垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載 ■FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能 ■加工位置精度の向上 ■大気非暴露で観察、分析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【このようなパネルの不良発生に】 ■セグメントパネル 　・SEGの表示欠け 　・SEGの部分表示欠け 　・全体が薄表示 ■TFT液晶パネル 　・輝線/滅線 　・輝点/滅点 　・ムラの発生 　・異常加熱 　・外観破損 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【セル解体観察の観察内容】 ■シール材とPI膜の状態確認 ■画素部のTFTに形状異常や腐食、異物はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【概要(一部)】 ＜構造解析＞ ■パネル解体 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ＜不良解析＞ ■微小異物分析 ■発光/OBIRCH 解析 ■TOF-SIMS 分析 ＜信頼性試験＞ ■高温高湿バイアス試験 ■目視検査と特性評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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