アイテスでは電子部品、実装基板、半導体、化合物半導体、パワーデバイス、 フィルム、樹脂成形品、太陽パネル、液晶ガラスなど さまざまな部品・材料の断面を受託加工作製します。 また作製した断面の観察や分析を行い、不良解析や出来栄え評価などを 受託分析いたします。 【サービス一覧】 ■機械研磨 ■CP加工 ■ミクロトーム ■FIB加工 ■半導体拡散層の解析　など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料では、当社で行ったX線透視やCT検査装置のさまざまな解析事例をご紹介しております。X線透視観察や斜めCT観察の「BGAはんだクラック解析事例」をはじめ、「表面実装LED」や「チップ抵抗の観察事例」などを掲載。 【掲載内容（抜粋）】 ■BGAはんだクラック解析事例（X線透視観察） ■表面実装LED ■チップ抵抗の観察事例 ■リフローシュミレータ ■マイクロフォンの観察事例（X線透視観察＆直交CT観察）... ★現在【X線透視・CT検査装置の事例集】を無料進呈中！ PDFダウンロード”よりスグにご覧いただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

X線観察は、非破壊検査の1手法であり、解析・分析を行う上で始めに行う検査で、 実装基板、電子部品を始め、様々な部品、部材の初期観察に有効です。 またCT検査では、3次元的に構造を捉えることができるため、視覚的な判断が可能。 「Cheetah EVO」には、リフローシミュレータも搭載されているため、はんだ付け 時のボイドの挙動などリアルタイムで観察することができ、リフローの条件出しや はんだの選定などに活用できます。 【装置スペック】 ■YXLON製 Cheetah EVO ・X線発生器：マルチフォーカス透過型 ・管電圧：25-160kV ・管電流：0.01-1.0mA ・管電力：64W ・附属機能：直交CT・斜めCT・リフローシミュレータ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社が導入したYXLON製「Cheetah EVO」の付属機能をご紹介します。 「リフローシュミレータ」では、はんだ付け時のボイドの挙動など、 リアルタイムで観察が可能です。 リフローの条件出しやはんだの選定などに活用いただけます。 【特長】 ■セラミックヒーター＆ランプ加熱 ■対象サイズ：40ｘ40ｘ20mm ■最大設定温度：350度 ■リアルタイムで観察が可能 ■リフローの条件出しやはんだの選定などに活用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『Cheetah EVO』は、リフローシュミレータも搭載されているため、はんだ付け時のボイドの挙動などリアルタイムで観察することができるX線透視・CT検査装置です。リフローの条件出しやはんだの選定などに活用可能。当社は、当製品による「インダクタコイルの観察」をはじめ、「BGAはんだクラック解析」や「IC型コイルの観察」などの事例があります。 【装置スペック(抜粋)】 ■X線発生器：マルチフォーカス透過型 ■管電圧：25－160kV ■管電流：0.01－1.0mA ■管電力：64W ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

IC型コイルの観察事例をご紹介します。 X線による観察では、目的に応じた手法を用いる事で内部の構造を明確に 捉える事ができます。 透過観察では金属異物などを素早く捉える事ができ、CT観察では立体的に 任意の断面の像が得られる為、位置情報や形状が重要な観察に適します。 透過観察と異なりコイル配線の巻具合なども判断出来ます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インダクタコイルの観察（直交CT観察＋断面観察）事例をご紹介します。 動作不良が発⽣したインダクタコイルの中をX線CTで観察。 螺旋状に形成された配線の所々に異常形状が発⽣している様⼦が 確認されました。 X線CT観察では、3次元的に観察できるため、異常個所の状態がよく分かります。 また、異常個所を含む断⾯を機械研磨によって作製し、SEMによる観察を 実施しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

表面実装型のLEDが過負荷で損傷する瞬間をX線透視観察で捉えた事例を ご紹介します。 表面実装型のLEDを通電した状態で、電圧、電流を定格値から徐々に 上昇させ、過負荷により不点灯となった過程を撮影しました。 また、動画でも不点灯となった過程をご覧いただけます。 【LED不良観察事例】 ■不点灯後 ・溶融、断線 ・ワイヤーのループ形状変化 ・蛍光体の剥離 ・ボイドの形状、サイズに変化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

X線透視・CT検査装置によるチップ抵抗の観察事例をご紹介します。 チップ抵抗は、セラミックスの表面に薄膜状の金属膜(抵抗体)が形成された構造で、 X線像で見られるL字状の線は抵抗値を調整するために施されたトリミング痕です。 CT観察では、所望の断層図を見れて立体的に観察できるため、解析に有効。 X線観察やCT観察で不具合箇所が見つかれば、断面観察や元素分析を行い、 原因を調査します。 【チップ抵抗の観察事例】 ■CT観察 ・所望の断層図を見ることが可能 ・立体的に観察ができるため解析に有効 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

マイクロフォン部品をX線透視観察＆直交X線CTで観察した事例をご紹介します。 MEMSチップやSiチップは透けてしまうので、微かにしか観察できません。 しかし、X線透視像では、ワイヤーボンディングの様子や実装基板の配線 パターンが観察できます。 直交CT像では、MEMSチップやSiチップが透視像に比べ、明瞭に観察できます。 また透視像は、各層が重なった状態での観察となりますが、CT像では 各層ごとの観察が可能です。 【マイクロフォンの観察事例】 ■X線透視像 ・ワイヤーボンディングの様子や実装基板の配線パターンが観察可能 ■直交CT像 ・MEMSチップやSiチップが透視像に比べ、明瞭に観察できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

親知らず(第三大臼歯)をX線CTで観察した事例をご紹介します。 10年以上前、撮影者の抜歯した親知らずをX線CTで観察。 X線透視像に比べ、歯の最表面にあるエナメル質とその下の象牙質が 明瞭に観察できました。 【親知らずの観察事例】 ■X線透視像に比べ、歯の最表面にあるエナメル質と 　その下の象牙質が明瞭に観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

X線透視・CT検査装置によるBGAはんだクラック解析事例をご紹介します。 電気的にオープンとなった基板のBGA接続部をX線透視で観察したところ、 BGAの接続部にクラックが発生している様子が確認されました。 また、X線透視観察にて確認されたはんだ接続部のクラックについて、 斜めCTで観察してみました。 斜めCTでは平面的な情報は綺麗に取れますが、はんだボールやボイドのような 球形は斜めCT特有の要因により、上下方向に延びたような形状になります。 はんだ接合界面に発生しているクラック情報を断面的に得ることは困難ですが、 基板を非破壊で観察できるというメリットがあります。 【解析事例】 ■X線透視観察 ■斜めCT観察 ■直交CT観察 ■断面観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

X線透視・CT検査装置による透過観察と画像処理技術の併用事例をご紹介します。 正常基板の透過X線像や不良基板の透過X線像では、配線が複雑に張り巡らされ 一見しても異常部は見つかりませんでしたが、画像処理により正常品画像と 不良品画像の差分を検出できました。 基板配線のパターン異常などでは広範囲の視野から不良個所の特定は困難ですが、 画像処理ソフトと併用する事で異常部の発見が可能となります。 【透過観察と画像処理技術の併用事例】 ■画像処理により正常品画像と不良品画像の差分を検出 ・NG品のX線透過像で白点個所を確認すると配線の断線らしき形状が 　確認された ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

実装基板に反り、たわみ、捻じれ等の応力が加わると、 MLCC（積層セラミックチップコンデンサ）内部にクラックが 生じることがあります。 また、内部で発生したクラックは電極に隠れている場合が多く、 外観からではクラックを確認することが出来ない場合があります。 そんな時はX線で確認してみてはいかがでしょうか？ 【観察内容】 ■斜めCT観察 　実装基板を破壊せず、そのままの状態でCTを行うことが可能 ■直交CT観察 　部品の形状をそのままの状態で観察することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスは、アイソメットによるスライス加工を行っています。 複数列あるコネクタピンの全てを断面観察したい場合、削り進めて次の列へ… という手順が通常ですが、スライス加工を行えば、作製した断面をそのまま 残しておくことが可能です。 また、複数列あるコネクタピンのスライス加工の事例もございます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスの、ワイヤーソーによる切断加工についてご紹介します。 単体試料で行う複数回の断面作製もワイヤーソーなら切り分け分割が可能。 削り進めないので観察や分析なども再度行うことができます。 また、カット事例では、微小で脆い白米も割れや欠けを生じず分割する事が できています。 カット加工のみから観察・分析までご要望がございましたら、お気軽に お問い合わせください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスが行う、断面観察前処理(試料切断・樹脂包埋)について ご紹介します。 大型の基板や厚みのある部品を切断するのに適したバンドソー 「HOZAN K-100」をはじめ、アイソメット「ビューラーLow speed saw」 などの試料切断用の装置を使用。 「HOZAN K-100」では、X150mm、Y230mm、Z70mm程度までの大きさの 試料を切断できます。 また、切断後の試料をエポキシ樹脂等で包埋しますが、先に樹脂包埋してから 切断することも可能です。 【ラインアップ】 ■バンドソー ■アイソメット ■多機能型ダイヤモンドワイヤソー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

CP法は、機械研磨法に比べ、研磨によるダメージがない状態で断面を 観察することが可能です。 当社の冷却機能付トリプルイオンミリング装置は、3方向から照射する イオンビームにより、高い加工精度と広い加工領域を実現。 熱に弱い材料の場合には冷却機能でダメージを軽減しながらの加工も可能です。 【特長】 ■加工幅約4mm/加工深さ約1mmと広範囲での加工が可能 ■硬軟材において平坦性が高く、物理的ダメージの無い断面の作製ができる ■位置精度が良い断面の作製が可能 ■冷却（クライオ）しながらの加工ができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では『実装部品・電子部品の断面研磨』を行っております。 様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供するため、 1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工しております。 ぜひ一度、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供 ■1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では『表面実装電子部品の断面観察』を行っております。 機械研磨後の断面観察により、実装基板上の電子部品のはんだ接合状態 （クラックやボイド有無）、部品の内部構造を詳細に観察することが可能。 「SOP部品」では、断面全体像から半田接続部まで詳細な観察ができ、 「アルミ電解コンデンサ」では、電解コンデンサ部品の内部構造から 基板への接続状態まで観察可能です。 【特長】 ■SOP (Small Outline Package) 部品 ・SOP部品の断面全体像から半田接続部まで詳細な観察が可能 ■チップセラミックコンデンサ ・部品材クラックから、はんだ部のクラックまで詳細に観察可能 ■アルミ電解コンデンサ ・電解コンデンサ部品の内部構造から基板への接続状態まで観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、電子部品ばかりではなく無機・有機素材をはじめ、多くの製品、 部品、素材を故障・不良解析、構造解析、良品解析、信頼性評価といった面で お客様の課題・問題解決に向けてサポートしています。 当資料は、分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介。 お客様にとっても問題解決の端緒と紐解きの一助となれば幸いです。 【掲載内容】 ■はじめに ■接合のイメージと当社の評価・解析技術の位置付け ■不具合要因 ■手法 ■終わりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。 特にはんだ接合部においては、形状のみならず、 金属組織の観察が重要になります。

フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。 パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封し、EBSDによるチップ表面の Alパターンの解析を実施。 その結果、Al配線に配向性が見られました。 法線方位が分布しており、結晶が多く存在していると考えられます。 【概要】 ■解析方法 ・パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封 ・EBSDによるチップ表面のAlパターンの解析を実施 ■結果 ・Al配線に配向性が見られた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認する ことができます。 今回はネジの谷部分の方位差が大きいことがわかり、残留応力が 大きいことが推測されます。 また、ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も 観察されました。 【概要】 ■解析方法 ・EBSDにて結晶構造を観察 ■結果 ・ネジの谷部分の方位差が大きいことがわかった ・残留応力が大きいと推測 ・ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社アイテスは、パイプのEBSDによる解析を実施しています。 EBSD法により結晶サイズの分布を確認することや、配向性を 確認することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた 特長を可視化できます。 【概要】 ■結晶サイズの分布、配向性を確認 ■グラフに現れた特長を可視化できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を 紹介致します。 EBSD法により結晶サイズの分布や、残留応力を推測することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPFマップ ・GRODマップ ・結晶粒分布map ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

高融点はんだ(Snを少量含むPb基はんだ)について、EBSDによる 解析例を紹介致します。 EBSD法により結晶粒分布や、残留応力を推測することが可能。 また、結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 それぞれの金属で各データの取得ができます。 【特長】 ■結晶粒分布や、残留応力を推測できる ■結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 　それぞれの金属で各データの取得が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

鉄板(Fe)について、EBSDによる解析例を紹介致します。 ヒストグラムのグラデーションと対応する結晶粒分布 map、 IPF map、結晶粒分布などを用いて、EBSDにて結晶構造を観察。 EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認でき、 マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPF map ・結晶粒分布 map ・結晶粒分布 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

SEM像、Phaseマップ、結晶粒ごとにHigh lightするCu6Sn5のIQマップ、 粒界の回転角をHigh lightするCu6Sn5のIQマップを用いて、 EBSD法による結晶を解析しました。 Cuパッド/はんだ界面にはCu6Sn5やAg4Sn等の化合物が成長しており、 ヒストグラムにより結晶サイズや結晶傾角の分布を示すことができます。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・SEM像 ・Phaseマップ ・Cu6Sn5のIQマップ(結晶粒ごとにHigh light) ・Cu6Sn5のIQマップ(粒界の回転角をHigh light) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 　変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 例えば、SEM中で試料を大きく傾斜し電子線を照射したとき、試料が結晶性 の物であれば、試料内で電子線回折が生じます。そのパターンを指数付け することでその点の結晶方位を求めることが可能となります。 結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ■結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 408nmレーザーを用いて観察、計測を実施。測定結果は国家基準につながる トレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。 レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定ができ、透明体の膜厚形状や 透明体越しの表面形状測定が可能です。 【特長】 ■試料表面の凹凸形状の3D測定が可能 ■透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能 ■408nmレーザーを用いて観察、計測 ■測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づく ■測定機器として非破壊測定に活用できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができ、対象の サイズや求める精度により、適した対物レンズを選択し、観察や測定を実施。 範囲はレンズに応じて異なりますが、連結機能を有しているため、広範囲での 観察、計測も可能です。 【特長】 ■平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができる ■対象のサイズや求める精度により、適した対物レンズを選択 ■連結機能を有しているため、広範囲での観察、計測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、半導体パッケージにおけるCuワイヤボンディングの 接合界面について解説しています。 目的とワイヤ接合をはじめ、Cuワイヤボンディングの特長や 接合中央部のCu-Al化合物と微小ボイド、Cu-Al化合物の成長（拡散）などを 図や写真と共に詳しく掲載しています。 【掲載内容（抜粋）】 ■目的とワイヤ接合 ■試料及び方法 ■手順、流れ ■Cuワイヤボンディングの特長 ■断面作製法の選択 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、半導体パッケージにおけるCuワイヤボンディングの 接合界面について掲載しています。 試料及び方法をはじめ、各種ワイヤボンディングや結果及び考察などを 図や写真と共に詳しく解説しています。 【掲載内容】 ■緒言 ■試料及び方法 ■各種ワイヤボンディング ■結果及び考察 ■結言 ■参考文献 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

鉛フリー半田が普及する一方、Snメッキあるいは半田付け部から発生 する金属結晶のウィスカは電子部品の信頼性に大きな影響を与えます。 当社では、信頼性試験から解析まで一貫したウィスカ評価が可能です。 基板中のどの部品、どのピンにウィスカが発生しているか検査員が 逃さず観察します。 【特長】 ■信頼性試験後に実装基板の外観観察を行い、ウィスカ有無の判定 ■外観観察にてウィスカが検出されたらデジタルマイクロスコープで 　観察・測長 ■より詳細に観察、分析を行いたい場合は、表面SEM/EDX分析を実行 ■必要に応じて、断面観察（SEM）や結晶方位解析（EBSD）などの観察、 　解析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

セラミック（Al2O3）について、EBSDによる解析例を紹介致します。 「観察/元素分析」では、EDXによる元素分析からAl2O3と判断され、 マップよりSiが点在している様子が観察されました。 「EBSDによる解析」では、EBSD法により結晶サイズの分布や配向性を 確認でき、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【解析概要】 ■観察/元素分析 ・SEMによる観察とEDXによる元素分析 ■EBSDによる解析 ・EBSDにて結晶構造を観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「超微⼩硬度計による材料評価」では、⾦属・⾼分⼦・ プラスチック・セラミックス等の材料の超微⼩硬度測定を行えます。 また、硬さを数値化できるため、経年の品質管理にも役⽴ちます。 圧⼦に荷重をかけている状態で、くぼみの押し込み深さを直読し、 硬さを求めます。回復挙動における特性値を求めることも可能です。 【装置概要】 ■試験⼒レンジ0.4mN～1000mN 精度±0.02mN ■押し込みレンジ1nm（0.01μm）～700μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料では、ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、 機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を 紹介しています。 ICパッケージの表面SEM像をはじめ、断面SEM像などを掲載しています。 EBSD法により測定された結晶粒と結晶粒界が一致していることがわかります。 ぜひご一読ください。 【掲載事例】 ■観察/断面作製 ■EBSDによる解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

こののたび当社では、MEMS加工サービス/MEMS ファウンドリサービスを開始いたしました。国内最大規模の8インチＭＥＭＳラインを有するオムロン　野洲事業所（滋賀県野洲市）にてウェハ工程の試作から量産までお客様の様々なご要望にお応えいたします。 ＵＲＬ：https://www.ites.co.jp/wafer/foundry.html ■特徴 ・お客様設計仕様に基づく試作 ・製品設計段階でのプロセス提案から参画しての試作 ・量産ラインの構築 ・生産量強化のためのセカンドファブの立ち上げ ・試作から量産まで一気通貫でのスピード立ち上げ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

CCDカメラモジュールは、小さな筐体の中にセンサや制御素子、AF駆動機構など 電子技術と機械技術を融合した複雑な構造で構成されています。 また材料も金属、ガラス、樹脂など多数使用されており、断面作製は困難な 部類となります。 当社では、高い技術で、このような難易度の高い試料の断面も作製できます。 【CCDカメラモジュール断面】 ■小さな筐体の中に複数のレンズやフィルターが内蔵 ■AF機能を有する製品では焦点調整の機構や制御素子なども内蔵されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、機械研磨法による加工ダメージについてのご紹介をしています。 機械研磨は歴史の長い断面作製手法であり、断面作製領域が最大で数cmから 10cm程度と広範囲で断面を作製することが出来ます。 しかし、加工に伴う変質層や段差、延び（ダレ）、刺さりなどのダメージが 生じ「有るはずのものが無い」、「無いはずのものが有る」といった問題が 発生することがあります。 アイテスでは、長年培った技術と経験により、信頼度の高い断面作製を 行っています。 【掲載内容】 ■機械研磨法における主な加工ダメージ ■材質特性に合わせた研磨仕上げの重要性 ■はんだ（BGA）での事例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。