クオルテックの製品・サービス一覧

当資料は、半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析について ご紹介しております。 「非破壊解析」では、X線透視や超音波探傷などを写真を用いて解説。 この他にも、「電気的特性」では図表と共にご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■本発表の目的 ■サンプルについて ■解析手順 ■EOS破壊サンプルの作製 ■外観と電気的特性の測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーサイクル試験は、デバイスへの通電電流による発熱によりTj (半導体チップ温度)が一定の温度変化を繰り返した際の熱ストレスに対し、 その耐久性を確認する試験です。 パワーサイクル試験では半導体に通電することで加熱。試験では、 半導体チップの温度(Tj)を測定する必要があります。 Tjの測定は、PN接合に電流を流したときの電圧が温度によって変化する 特性を利用。Tjを測定する具体的方法にはいくつか有りますが、試験対象 となるデバイスや試験条件によってメリット、デメリットがあり、試験を 実施するにあたりどの方法で測定するのかを選択することが重要な要素となります。 当社のホームページでは、代表的なTj測定方式の種類とその特長について 説明しています。 ぜひ下記関連リンクページよりご覧ください。 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

一定周波数の電気信号の送信波をパルス発生器でパルス状に整形後、トランスデューサによって、 電気信号から機械振動（超音波）に変換します。発生させた超音波を音響レンズによってサンプル観察面に照射します。 サンプルからの超音波の反射波や透過波を再度電気的な受信信号に変換後、画像処理を行い観察します。 反射波を利用するものを反射型、透過波を利用するものは透過型と呼びます。 クオルテックでは、いずれの方式も対応が可能ですが、実用性の面から反射型を用いる場合が多いです。 【観察の特長】 ■試料の光学的な性質に左右されず、試料表面だけでなく、表面下の内部構造も非破壊で観察する事が可能 ■空気中の界面での反射が大きいことから、パッケージなどの空隙やクラックを高感度で観察できます。 　また、異常箇所（空隙など）の判定は、各箇所における超音波の反射波の形状から判定 ■X線透視顕微鏡では確認できない有機物の観察が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

■パワーデバイスへの対応 パワーデバイスは、通常の半導体パッケージよりも信頼性が高い樹脂を使う傾向があり、 そのため開封の難易度も高くなっています。 ここでは、弊社で実施したIGBT開封の事例を紹介しています。 ■Agワイヤを使用した半導体パッケージの開封 近年、金価格の高騰に伴い、Auワイヤの代替品への置き換えが進められています。 銀（Ag）ワイヤには下記のメリットがあり、今後の増加が予想されます。 【Agワイヤの特長】 ■Auワイヤと比較して低価格 ■Auワイヤと同程度の柔らかさを持ち、ボンディングダメージのリスクが低い ■Auワイヤと同等レベルの高い接続信頼性 ■Cuワイヤと比べてボンディング設備への投資負担が少ない その一方で、 Cuワイヤよりも開封時の薬品ダメージが大きく、開封条件の再検討が必要となっています。 弊社では、Au・Cuで長年蓄積した技術に基づき、Agワイヤの開封も可能にしました。 ※詳細は下記までお問い合わせください。

発熱解析とは、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する手法です。 非常に微小な発熱状態を検知できることから、通常のプリント基板だけでなく、 半導体の不具合解析にもその威力を発揮します。 特にショート箇所の調査においては、複雑な構造であっても短時間で場所の 特定が出来るため、不具合解析の時間を劇的に短縮することができます。 　　　 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■従来のマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックでは、設計開発者のための『パワーサイクル試験機』を 取り扱っています。 電源装置1台で複数DUTを試験できるほか、連続通電試験にも対応可能。 デバイスの状態をリアルタイムに表示し、チップ温度（Tj）の正確な 測定が可能です。 年間200件以上の受託試験を通じて培った実績とノウハウを全て搭載しております。 【特長】 ■デバイスの状態をリアルタイムに表示 ■設計開発者のニーズに応じた試験が可能 ■デバイスの完全破壊前に試験の停止が可能 ■リアルタイムで熱抵抗測定が可能 ■2in1デバイス 6in1モジュール対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックでは、有機材料、発光素子、薄膜･半導体の測定分析装置を 導入いたしました。 ターゲット膜の絶対反射率を測定し、膜厚と光学定数を精度良く計測する 「顕微反射分光膜厚計」をはじめ、非接触、非破壊で仕事関数、イオン化 ポテンシャルを測定する「光電子分光装置」や「分光蛍光光度計」など、 さまざまな測定・分析装置を取り扱っています。 【特長】 ＜顕微反射分光膜厚計＞ ■顕微分光で高精度な絶対反射率測定（多層膜厚、光学定数） ■1ポイント1秒以内の高速測定 ■顕微下で広い測定波長範囲を実現する光学系（紫外～近赤外） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックでは、サンプルを高精度に観察するソリューション・サービスを ご提供しています。 基板スルーホール、パターンの断線観察に適した「X線CT」をはじめ、 「プラズマFIB」や「EBSD」にて対応いたします。 ウェブ会議での対応も可能です。詳しくはお問い合わせください。 【X線CT 特長】 ■CTデータをDVDにコピーしご提供 ■フリービュワーソフトによりお客様ご自身の 　パソコン上で任意位置での状態確認が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

本ソフトウェアでは、深層学習(Deep Learning)の技術を用いることにより、 ボイドを高精度に自動検出することが可能です。 SBD、BGA実装、チップコンデンサ、チップ抵抗等、様々な部品に対しても、 高精度に検出することが可能。 はんだ接合部のボイドの検出をAIが自動で行い、検査の結果をグループ内で すばやく共有することができ、検査時間を大幅に短縮が可能です。 【特長】 ■深層学習(Deep Learning)の技術を使用 ■ボイドを高精度に自動検出 ■様々な部品に対しても、高精度に検出 （SBD、BGA実装、チップコンデンサ、チップ抵抗等） ■検査の結果をグループ内ですばやく共有することができる ■検査時間を大幅に短縮 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料では、信頼性試験の接続信頼性とマイグレーション試験について ご紹介しております。 冷熱衝撃試験結果では、スノーホール全体をはじめ、クラック発生部、 コーナー部の写真を掲載。 ホットオイル試験／導通抵抗値測定では、試験方法や試験結果なども ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■接続信頼性試験法 ■冷熱衝撃試験結果 ■冷熱サイクル試験後断面観察(500サイクル) ■マイグレーション試験 ■ホットオイル試験／導通抵抗値測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『Qualap/QrackDroid3D』は、はんだ接合部のクラックを非破壊で 3次元測定することができ、クラックの経時的な進展観察や寿命予測を 可能とするAI画像検査プラットフォームです。 Deep Learningの技術を用いることにより、 従来のソフトでは自動検出できなかったクラックを高精度に検出。 また、SBD、BGA実装、チップコンデンサ、チップ抵抗等、 様々な部品に対してもX線CTデータを用いて測定することができます。 【特長】 ■AIが非破壊でクラックを3次元測定 ■深層学習(Deep Learning)の技術を使用 ■クラックの3次元構造を可視化 ■クラックを定量評価 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「X線光電子分光法」は、試料表面の元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ ガラス等さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析（定性・定量）：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析（マッピング）や線分析も可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当カタログでは、パワーサイクル連続通電試験機について紹介しています。 パワー半導体の役割とはをはじめ、パワーサイクル試験の仕組みについてや、 パワーサイクル試験機の特長などをわかりやすく解説。 また、妥協なき試料作製技術を駆使して、「完璧な製品づくり」をサポート するトータル・クオリティ・ソリューションについても掲載しています。 【掲載内容】 ■パワー半導体の役割とは ■パワーサイクル試験の仕組みについて ■パワーサイクル試験機の特長 ■受託パワーサイクル試験サービス ■トータル・クオリティ・ソリューション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックの先進のソリューション・サービスをご紹介します。 Xeを用い、高速かつ大面積の加工が可能な「プラズマFIB」をはじめ、高感度、 低ノイズでの観察、わずか数分での高速動作が可能な「EBSD」や「X線CT」などを ラインアップ。 3サンプルの場合、3～5営業日ほどで対応いたします。なお、「EBSD」は加工時間が プラスされます。 ウェブ会議での対応も可能ですので、まずは各技術担当者へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■X線CT ・CTデータをDVDにコピーしご提供 ・フリービュワーソフトによりお客様ご自身のパソコン上で任意位置での状態確認が可能 ■プラズマFIB ・Xeを用い、高速かつ大面積の加工が可能 ・FE-SEM、EDSを搭載 ■EBSD ・高感度、低ノイズでの観察、わずか数分での高速動作が可能 ・測定生データのご提供可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「パワーサイクル試験」は、チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す 熱ストレスへの耐久性を評価するために、重要性が増しています。 例えば"異なるTj（ΔTj）で同時に試験がしたい""異なる印加電流で同時に試験したい" など、このようなご要望に対し、クオルテックでは、試験機を一から作製し試験を実施。 試験機をカスタマイズする事により、既存の試験機では対応できないきめ細かな ご要望にも対応します。 【特長】 ■パワーサイクル試験に対する多くのノウハウを保有 ■より正確なデータをスピーディーにお客様に提供 ■ご希望の条件に沿った形で試験機をカスタマイズ ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

下記紹介で不明な点がございましたら、お気軽にお問い合わせください。

当社の『パワーサイクル試験機』は、大手自動車メーカー様等、 設計開発者様からの受託試験を通じて100種類を超える試験システムを 開発した経験・ノウハウを元にシステムを統合し製品化したものです。 リアルタイムで熱抵抗測定が可能。 ハイパワーIGBT高電流に対応し、車載用デバイスに好適です。 また、計測データをパワーサイクル試験装置へそのまま取り込み可能な 「K-factor専用測定器」もご用意しております。 【特長】 ■K-factorの自動測定が可能 ■2in1モジュール 6in1モジュール対応 ■リアルタイムで熱抵抗測定が可能 ■デバイスの完全破壊前に試験の停止が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『クオルテック技術便覧』とは、当社が展開しているサービスを 網羅した冊子です。 総ページ数は750ページとなり、さまざまな事例等を図解や画像を交えて 解説しています。さらにエンジニアのための技術資料を、付録としてうち 60ページ以上掲載しています。 便覧をプレゼントしておりますので、まずは当社までお気軽にご連絡ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■トータル・クオリティ・ソリューション ■プラズマFIB（Focused Ion Beam）断面加工・観察 ■バルス通電パワーサイクル試験 ■短絡耐量試験 ■Pbフリーはんだの組成（JIS Z 3282） ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Pbフリーはんだの結晶粒界や ボンディングパッドのボイド、まためっき表面とはんだの 境界面の状況がより緻密に観察できます。 【特徴】 ○アルゴンイオンの均一な照射によってSEM観察にも耐える完璧な覆面仕上が可能です。 ○5mm径の広い範囲を均一にスパッタエッチングでき、50nm/min(Cu)の高いミリングレートで処理します。 ○安定した放電電流（2～6kV）によって再現性のよい試料を提供できます。 ○光学顕微鏡に比べ分離機・焦点深度に優れ、微小領域の観測に適しているFF-SFM、SEM（2台）が24時間体制で対応しています。 ・詳細はお問い合わせ下さい

当社の『パワーサイクル試験機』は、大手自動車メーカー様など、 設計開発者様からの受託試験を通じて100種類を超える試験システムを 開発した経験・ノウハウを基にシステムを統合し製品化したものです。 パワーサイクル試験中にあらかじめ設定したスケジュールに基づいて 過渡熱抵抗を測定することで、より多面的なデバイス劣化の情報を 得ることが可能。 車載用デバイスに好適で、大電流（1,800A）にも対応します。 【特長】 ■過渡熱抵抗測定が可能 ■JEITAはじめ各種規格へも対応可能 ■連続通電試験にも対応可能 ■K-factorの自動測定が可能 ■チップ温度（Tj）の正確な測定が可能 ■デバイスの完全破壊前に試験の停止が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

強度試験機とミニホットプレートを組み合わせることで、高温域での接合強度を測定します。 【特長、設備紹介、応用例】 ■試験方法 　ヒータ部に治具プレートを取り付けたヒートブロックを作製して、高温せん断試験のサンプルステージ上に固定します。 　治具プレートは、試験品に合わせて変更し柔軟に対応します。 　同時に、温度調節器や過熱防止の制御機構も作製します。 ■試験結果例 　掲載画像のグラフが、高温せん断試験結果のイメージになります。 　室温（25℃）と250℃における強度を測定、評価します。 ■設備名 　RHESCA製 強度試験機　STR-1000 　白光製 温調器　DG2P ■応用例 　・高温にさらされる実装基板の、高温での接合強度評価。 　・高温にさらされるダイボンド部品の、高温での接合強度評価。 ※詳細は下記までお問い合わせください。

JIS D 0207に準拠する自社開発設備になります。 このJIS D 0207は、自動車部品の塵埃試験通則で規定されているものとなります。 ダストは関東ローム（8種類）、アリゾナダスト等に対応しております。 【ジャンル・カテゴリー】 「自動車」「家電製品」「精密機械」「機械製作」「電子部品」 【設備（一部）】 ・自社開発設備：JIS D 0207準拠 ・制御方式：風洞循環方式 ・風　　速：0.5～15.0m/s ・最大風量：65m3/min ・砂塵種類：関東ローム（8種類）、アリゾナダスト等 ・塵埃濃度：0.0～17.0g/m3 ・温湿度範囲：常温常湿 ※詳細は下記までお問い合わせください。

『CO2レーザ』は炭酸ガス（二酸化炭素）の中に放電を起こさせて励起し、 発振させるレーザです。 高密度化、高微細化の要求が多くなると、パターンと照射位置のズレが 大きな弊害となっていました。 そこで、銅箔を直接レーザで加工する「銅ダイレクトBVH加工」を採用。 レーザ光の吸収率を高めるため、銅層の表面にレーザ吸収層を設けて、 銅層の加工を行えるようにしています。 この他、「ラージウィンドウ加工」や「シリコーンゴム加工」、「市販品 両面テープへの外形加工」などの事例がございます。 【加工事例（一部）】 ■ラージウィンドウ加工 ・予め穴形成周辺の銅層のみ、エッチング除去してから加工を行う ■銅ダイレクトBVH加工 ・銅層の表面にレーザ吸収層を設けて、銅層の加工を行えるようにしている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できるため試験期間の短縮を図れる ■Si、SiC、GaNの材料に対応 ■豊富なチップ温度の測定技術を保有 　（Vf・Vce・Vdsの温度特性より算出、熱電対の使用など） ■パワーモジュールの熱抵抗測定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「パワーサイクル試験」は、大電流の通電による発熱と、強制冷却を 繰り返すことで、IGBT等パワー半導体に熱ストレスを与える試験です。 恒温槽を使用することで、さらに強制的な冷却が行えるため、より強い 付加を加える事が可能。試験期間の短縮や高い信頼性の確認ができます。 関連リンクでは、試験条件事例や、空冷パワーサイクル Tj温度制御事例 について画像付きでご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【パワーサイクル試験原理】 ■試験期間の短縮や高い信頼性の確認ができる ■試験品のチップ温度をリアルタイムで測定しながら試験を行う ■任意の温度を設定して印加ON/OFFができる ■時間での設定や両者の組合せも可能 ■恒温槽を使用することで、さらに強制的な冷却が行えるため、 　より強い付加を加える事が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、一般的なパワーサイクル試験（及び連続通電試験）に加え、パルス状の 試験電流をサンプルへ印加させる『パルス通電パワーサイクル試験』も 実施しています。 応用例として、「IGBT/FWD 交互通電試験」では、パルス通電のノウハウを 駆使し、IGBTとFWDを交互に通電させることで、より実動作に近い環境を 擬似的に構築しました。 その他メリットとしてIGBTとFWDのタイムシェアリングによる効率的な評価が 可能です。 ご不明な点やご相談につきましては、お気軽にご連絡ください。 【試験実績】 ■オン中の周波数：～1KHz（Duty：～80％） ■通電電流：～400A ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）を用いた、故障解析事例をご紹介します。 今回はシステムレベルの規格として広く用いられるIEC61000-4-2に倣って、 人体からの放電を模擬したESD破壊の再現実験を行いました。 チップ表面の観察後に、ロックイン発熱解析を行い、微小な故障箇所を特定。 プラズマFIB装置を用いて断面を観察した結果、表面のクレーターから、 トレンチゲート及びその直下のコレクタ領域まで広く破壊されている様子が 確認されました。 【故障解析　手順】 ■初動調査（外観観察、電気的特性測定） ■非破壊検査（X線観察、超音波顕微鏡など） ■故障箇所特定（ロックイン発熱解析、IR-OBIRCHなど） ■物理解析（断面研磨、SEMなど） ■詳細解析（FIB、FE-SEM／EDS、STEMなど） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ELITE』は、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する発熱解析が可能な装置です。 最大約20cm角の広角カメラにより、大きな基板等のサンプルでも 解析可能。 また基板解析の経験は豊富にございますので、その経験を基に不良箇所の 特定や、断面解析による原因特定にも対応します。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■一般的なマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

時下ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。 平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。 当社は、2023年7月28日、東京証券取引所グロース市場(証券コード：9165) に上場いたしました。 ここに謹んでご報告申し上げますとともに、これまで当社を支えて頂いた お客様、お取引先様、株主様をはじめとする皆様のご支援の賜物と心より 御礼申し上げます。 当社は、工場の品質改善、技術指導からその業務をスタートしました。 現在は、分析、信頼性試験、試料作製、再現実験、共同研究にいたる まで、「トータル・クオリティ・ソリューション」を提供しています。 化学、物理学、金属工学、電気工学、電磁気学といった学術領域を 修めたスペシャリストと、めっき、実装、電子回路、EMC、バイオなどの 固有技術を持ったプロフェッショナルが揃っています。 それらを結集し、お客様が直面している不良や故障の真因を追究し、 製品の安全・環境・快適性を向上させる改善提案をしてまいります。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アバランシェ破壊の実験環境を社内で構築し、再現実験を行った 事例をご紹介いたします。 ボンディングワイヤの間に形成されたクレーターに注目し、 断面観察と元素マッピングを行いました。 その結果、内部に空洞が形成され、Al電極、はんだを溶かした 様子が確認できました。 【事例概要】 ■再現実験サンプル ・RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT） ■非破壊解析 ・X線観察、超音波探傷 ■詳細解析 ・断面研磨、FE-SEM、EDS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックではパワーサイクル試験に対する多くのノウハウを 保有しており、より正確なデータをスピーディーにお客様に 提供する事により、お客様の故障解析のお手伝いをいたします。 試験前後でのLAP評価(電気特性確認、超音波解析、X線解析)、 試験後の断面解析等、トータルでサポート。 試験機をカスタマイズする事により、既存の試験機では対応できない きめ細かなご要望にも対応します。 【こんなお悩みに】 ■異なるTj(ΔTj)で同時に試験がしたい ■異なる印加電流で同時に試験したい ■一度に多くのサンプルを試験したい ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体チップ温度Tj測定法の種類と特長について説明します。 パワーサイクル試験は、デバイスへの通電電流による発熱により Tj(半導体チップ温度)が一定の温度変化を繰り返した際の 熱ストレスに対し、その耐久性を確認する試験。 試験では、半導体チップの温度(Tj)を測定する必要があります。Tjの測定は、 PN接合に電流を流したときの電圧が温度によって変化する特性を利用します。 【Tj(チップ温度)測定法の種類(抜粋)】 ■Vf法1：内蔵ダイオード、ボディダイオード ■Vf法2：感温ダイオード ■Vth法：IGBT、MOSFET ■Vds法1：IGBT ■Vds法2：IGBT、MOSFET、ダイオード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、試料に生じる「反り」や「うねり」の様子を分析し、評価する 体制を、愛知県豊明市の"名古屋品質技術センター"と、大阪本社に整えました。 -60〜350℃の温度下において、μmスケールでの反り計測が可能な 「TDM COMPACT3」、常温で試料全体をスキャンし、3D画像として 表示する「VR-5000」を用いています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【TDM COMPACT3 仕様(一部)】 ■計測方式：プロジェクション・モアレ式 ■最大サンプルサイズ：515mm×370mm×115mm ■測定精度：±1.5μmもしくは測定値の2％(どちらか大きい方) ■反り(Z)分解能：1μm ■空間分解能(X,Y)：5～150μm(測定視野による) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面～数nmの深さ)の 元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等 さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析(定性・定量)：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、薬液条件の改善と共に、レーザ開封設備も併用することで薬品の 浸漬時間を短縮し、ワイヤへのダメージ低減ができる開封を実現しています。 ワイヤダメージが少ない、あるいは、ほぼ無い状態で開封することができます ので、故障解析における故障個所の観察や良品解析におけるワイヤの接合試験 の評価を行うことが可能。 また、レーザ開封設備に関しては薬液ダメージ低減だけでなく、高い加工位置 精度を有しておりますので、微小ICの高精度加工も可能となっています。 【Auワイヤ・パッケージの薬液開封】 1.サンプル前準備 2.薬液準備 3.薬品浸漬 4.洗浄 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行う『アバランシェ試験/連続アバランシェ試験』をご紹介いたします。 Tj(接合温度)をリアルタイムに測定しながら、エンジンルームなど 実使用に近い環境下で挙動を確認可能。 また、独自開発した水冷制御システムを用いて、試験中に発生する熱を 冷却しながら、連続で試験を行うことにより、アバランシェ耐性を 確認する事も可能です。 【特長】 ■シングルパルス、ダブルパルス、連続パルスなど、多彩なパルス出力が可能 　繰り替えし回数：1億回以上 ■複数デバイスを異なる条件で、連続パルスアバランシェ同時試験が可能 ■リアルタイム温度測定(モニターダイオード、FRD、FWD)が可能 ■電圧、温度、電流をモニター可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「短絡耐量試験」は、負荷短絡の状態でデバイスをオン状態にし、 破壊に至るまでの時間Tscを測定する試験です。 破壊の過程で、パッケージが大音響で破裂する場合もあり、 危険を伴います。 パワー半導体を使った機器を設計する場合に負荷短絡状態になっても デバイスが破壊することが無い様に、保護回路を設ける必要があり、 Tscより十分短い時間で、保護回路が動作するように設計します。 【試験の全景】 ■デバイスは破裂してパッケージが飛び散る場合があるため、 　厚さ10mmのアクリルケース内で試験を実施 ■大電流を供給する大容量のコンデンサとDUTは低インピーダンスで接続する 　必要があり、特殊構造によりこれを実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、二年間でおよそ100種類以上のパワーサイクル試験を受託しており、 この間に蓄積されたノウハウを活かしたパワーサイクル試験装置を 開発、製造、販売することになりました。 近年、HEVなどの車載用を中心に産業用機器や発電装置など、パワー半導体が 幅広い分野で使用されるようになり、開発競争も激しくなっています。 その市場背景を反映し、安価で高性能なパワーサイクル試験装置のご要望を 頂くようになりました。 【特長】 ■デバイスの破壊の前兆を検知し、破壊に至る前に試験を停止させることが可能 　その結果、破壊初期のサンプルを確保することが可能 ■要望に応じた制御方法や試験条件にカスタマイズ ■タイムシェアリング方式による複数個のDUTの同時試験が可能 ■パワーサイクル試験規格(ED4701/600)の試験が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『HAST(PCT)』は、樹脂封止された半導体等の電子部品を通常の使用環境より 高い水蒸気圧の雰囲気に晒すことにより、短時間に供試品の内部に水分を 侵入させ、樹脂封止の気密性を評価することを目的にした試験です。 その試験のうち、JIS C 60068-2-66の不飽和加圧水蒸気における 通電試験も可能。 当社で保有する装置は、半導体や多層の基板評価等に適した試験装置です。 【概要】 ■HAST(不飽和加圧蒸気試験) ・電子部品の信頼性試験(評価)に採用されたもので、デバイスに温度と 　湿度ストレス、場合によってはバイアスを同時に加える方法が 　とられており、並列複合試験の代表的な試験方法 ■PCT(飽和加圧蒸気試験) ・飽和水蒸気での高温試験で、HAST以上に厳しい試験条件設定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を 　行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 　用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社クオルテック(本社：大阪府堺市、以下「クオルテック」)は、 「滋賀県立テクノファクトリー」内に、新規半導体材料を使用した パワー半導体の製膜における研究開発拠点を開所しました。 開所式にはクオルテックが本研究開発に関して資本業務提携し、 「琵琶湖半導体構想(案)」を推進する立命館大学発ベンチャー、 Patentix株式会社(本社：滋賀県草津市)も出席し、開所式を行いました。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【本拠点開所の背景】 ■「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」のPhantom SVD法による4インチ 　Siウエハ(100)上への製膜に成功 ■二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO2薄膜の電気特性評価や 　膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を 　進めていくため ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社クオルテックは、2025年1月、大阪府堺市津久野町に 「パワエレテクノセンター」を新規に設立します。 開設に向けて現在準備しており、2024年5月より改装工事を着工。 現在3か所に分散しているパワー半導体評価拠点を当センターに集約し、 効率化を図ると同時に、パワー半導体評価の更なる需要拡大に対応するため、 現行の1.5倍となるよう評価設備の増設を段階的に行います。 【当センターの取り組み】 ■パワー半導体評価技術の研究開発 ■パワー半導体評価の受託試験の増加に対応すべく、試験設備の拡充 ■ユーティリティの冗長化による安全・安心の試験業務システムの構築 ■先進セキュリティシステムによる顧客情報の機密管理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、信頼性試験、再現実験後の実装基板の素子を剥がし、素子の 下部(基板表面)や、素子の裏面でイオンマイグレーションなどの不具合が 発生していないか、顕微鏡等で観察を行います。 観察を取り扱う品目については、電子部品や一般の電子機器が多数を占めますが、 様々な状況に対応してご提案できればと考えております。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【設備概要】 ■ソニックカッタ(超音波カッタ) ■主に使用工具・冶具・備品として、チップカッタ、ニッパ、プライヤ ■ピンセット、両面テープ、基板保持バイス、スペーサ 　(基板の保護・素子の保護)など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で行っているパワー半導体における信頼性評価では、一般的な半導体の 評価試験とは別に個別試験が実施されます。 動作寿命試験として、パワーサイクル試験、連続通電試験、高低温逆バイアス 試験に加え、高低温下でのスイッチング試験が実施される場合があります。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■環境温度、印加電圧やスイッチング周波数を任意に設定可能 ■放熱対策などご要望に合わせた対応が可能 ■試験前後や途中取り出ししての電気特性測定も対応できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。