【特長】 <RIE-400iPC> ■最大Φ4”ウエハ対応 ■高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現 ■反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現 ■干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• エッチング装置

【特長】 <PD-2201LC> ■広範な膜質制御 ■コンパクトな省スペース装置 ■トレイによるウエハ搬送 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他理化学機器

【その他特長】 ■熱ALDとカソードCVDによる二層成膜により、優れた特性を持つゲート絶縁膜を形成 ■容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化 ■ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に優れた成膜が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他理化学機器

【その他特長】 ■独自のプラズマ発生源と反応器構造を有し、垂直なエッチング形状を維持した状態で、高アスペクト比加工ができる ■ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したままスカロップの低減が可能 ■蓄積してきたプロセスライブラリにより様々な形状、材料の加工が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他加工機械

【製品特長】 ＜省スペースモデル AQ-500＞ ■金属酸化膜の安全な還元と有機物の洗浄を実現 ■樹脂の常温接合と超親水化 ■オールインワンによる省フットプリント(500 mm (W) x 650 mm (D)) ■水蒸気生成ユニットのワンタッチ起動 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他理化学機器

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• CVD装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• CVD装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• CVD装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• CVD装置

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• CVD装置

【その他特長】 ■タッチパネル操作による自動運転およびレシピの保存 ■ユーザーレベルと運転モードの切り替え機能付き ■各種インターロックと異常検知機能付き ■ライトタワー標準装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他洗浄機

【特徴】 ○三種類の処理モード（RIE、プラズマ、ダウンストリームの各モード）を選択できるため、基板の種類に応じた最適な処理が可能 ○大型の電極棚を複数段装備できるため、量産処理が可能 ○全自動運転が可能 ○コンパクト設計 ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。

• その他洗浄機

【特徴】 ○コンパクトな設計で卓上に設置できます ○自動運転及びタッチパネルによる手動運転が可能です ○プロセスパラメーターを保存できます（100レシピ、各10ステップ） ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。

• その他洗浄機

【特徴】 ○従来のUV/O3処理に比べ、高速処理（200～300nm/min）が可能 ○非貴金属系触媒のオゾン除去器を内蔵しているためオゾン処理設備が不要 ○大気圧作動であるため真空システムが不要 ○ワンタッチで自動運転が可能 ○コンパクト設計 ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。

• その他洗浄機

【特徴】 ○基板回転機構の採用により均一な処理が可能 ○基板径はφ370mmあり、大面積または多数枚の試料処理が可能 ○非貴金属系触媒のオゾン除去器を内蔵しているためオゾン処理設備が不要 ○大気圧作動であるため真空システムが不要 ○コンパクト設計 ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。

• その他洗浄機

【特徴】 ○大気圧作動であるため真空システムが不要 ○コンパクト設計 ○操作が簡単、メンテナンスが容易 ○低コスト ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。

• その他洗浄機

RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装置は、価格が低廉でありながら搭載されたPLCにより各種エッチング条件の管理を行うことができるコストパフォーマンスに優れた装置です。

• エッチング装置

UV-1は、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として開発された研究開発用の洗浄装置です。

• オゾン発生装置
• アッシング装置
• その他半導体製造装置

FA-1は、ICチップ上の各種不良解析のためのパッシベ-ション膜の剥離や各種シリコン薄膜のエッチング、フォトレジストのアッシングなどを効率よく、かつ低損傷で行うドライエッチング装置です。操作方法は簡単で、試料をセットしてボタンを押すだけで使用できます。また、省スペースで場所を選ばず、床置型、卓上型のどちらにも対応が可能です。

• エッチング装置
• アッシング装置
• その他半導体製造装置

PD-220NLは、納入実績の豊富なプラズマCVD装置『PD-220シリーズ』での経験をもとに開発したロードロック式装置です。本装置は、コンパクトな設計でありながら基板有効径がφ220mmあります。各種シリコン系薄膜（Si3N4、SiO2等）の形成を目的としており、最先端の研究からセミ量産まで幅広く対応可能です。

• CVD装置

PD-220LCは、各種シリコン系薄膜（Si3N4、SiO2等）を形成するための量産型プラズマCVD装置です。トレーカセット方式、真空カセット室を採用し、φ4インチウエハー月間3000枚の高スループットを実現しています。本装置では、化合物半導体プロセスでのパッシベーション膜や層間絶縁膜などの均一性とステップカバレージに優れた形成が可能です。

• CVD装置

RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 　Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 　Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 　Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 　採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた 　エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での 　エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供

• エッチング装置
• ウエハ加工/研磨装置

PD-270STPは、液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜（SiO2）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を低ストレスで形成することが可能です。

• CVD装置

VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション（張り付き）の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。

• エッチング装置