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『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。 また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・ 低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。 【特長】 <RIE-800iPC> ■最大Φ8”ウエハ対応 ■放電形式に誘導結合プラズマを採用 ■真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れる ■ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保 ■TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し、交換が容易 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
『AD-230LP』は、原子レベルの膜厚制御が可能なALD装置です。 有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜。 ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に 優れた成膜が可能です。 また、容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化 しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化します。 【特長】 ■上部、中部、底部とコンフォーマルな成膜 ■原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能 ■高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能 ■面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現 ■独自の反応室構造により、パーティクルを抑制 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
『RIE-800BCT』は、放電形式に誘導結合プラズマを採用した 生産用シリコン深掘り装置です。 高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の 高アスペクト比加工や低スカロップ加工が可能。 また、ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したまま スカロップの低減ができます。 【特長】 ■ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能 ■最大Φ8”ウエハ対応 ■50以上の高アスペクト比加工 ■低スカロップ加工 ■豊富なプロセスライブラリ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
『Aqua Plasma』は、水蒸気(H2O)を用いた新しい処理法です。 酸化した金属の還元、樹脂接合、親水化、有機物の分解を効率的かつ 安全に行うことが可能。 省スペースモデルの「AQ-500」をはじめ、大面積基板対応モデルの 「AQ-2000」や、マガジンモデルである「AQ-100M」などをラインアップ しております。 【ラインアップ】 ■省スペースモデル AQ-500 ■大面積基板対応モデル AQ-2000 ■Φ8″ダブルカセットモデル AQ-200C ■マガジンモデル AQ-100M ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
当資料では、マイクロLED向けのICPエッチングの加工例を ご紹介しています。 実験及び結果として、GaNマイクロLEDメサ加工の結果や GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■実験及び結果 ■GaNマイクロLEDメサ加工の結果 ■GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データ ■まとめ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、アクア プラズマの画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術を ご紹介しています。 Aqua Plasmaの効果として、銅サンプル表面の酸化深さをESCAで Arビームエッチングを用いながら組成分析した結果などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■はじめに ■Aqua Plasmaの効果 ■ESCAによる表面―深さ分析結果 ■フォトレジストの除去レート ■新製品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データについて ご紹介しています。 RIE-800iPを用いてノンボッシュプロセスで加工したシリコンエッチング結果 などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■プロセス ■高アスペクト ボッシュプロセス加工結果 ■順テーパー形状加工結果 ■シリコン側壁観察SEM結果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。 また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応で きる装置を提供。 当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工を ご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■トレンチMOSFETの模式図 ■GaNのトレンチ加工 ■エッチング結果 ■最後に ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、多種多様な材料のプラズマダイシングについて ご紹介しています。 プラズマダイシングの利点、サムコの技術などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■プラズマダイシングの利点 ■サムコの技術 ■多種多様な材料の加工が可能 ■おわりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『Aqua Plasma クリーナー』は、主に水蒸気を用いた プラズマ処理装置です。 金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、フォトレジストアッシング、 親水化などの表面処理を、安全に効率よく行うことができます。 銀電極、銅電極の還元、改質、洗浄やその他酸化金属の還元、 樹脂の表面改質、親水化、アッシングなどに応用可能です。 【特長】 ■金属酸化膜の安全な還元と洗浄を実現 ■酸素の添加により洗浄速度の高速化が可能 ■水蒸気生成、供給量の自動コントロールシステムを内蔵 ■専用デザインにより、設置面積を従来の60％に削減 ■多段処理に対応（最大3段） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
反応室内に電極棚を複数段装備できるため、小型部品からFPD用角型基板に至るまでさまざまな形状の基板の多数処理が可能です。また、三種類の処理モード（RIEモード、プラズマモード、ダウンストリームモード）を選択できるため、基板の種類に応じた最適な処理を行うことが可能なプラズマクリーナーです。
本装置では、RIEモード、プラズマモードから処理モードを選択できるため、基板の種類に応じた最適な処理を行うことが可能です。また、省スペースで場所を選ばす、卓上型で非常にコンパクトな設計のプラズマクリーナーです。
UV-300Hは、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として開発された洗浄装置です。本装置は従来のUV/O3処理に比べ、高速処理が可能です。
UV-300は、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として開発された洗浄装置です。
UV-1は、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として開発された研究開発用の洗浄装置です。
● 高い選択比と高精度のエッチングが可能。 ● PLCコントロールによる自動運転およびプロセスパラメータの保存が可能。 ● 試料はφ8インチまで対応可能。 ● 高速排気エッチングが可能。 ● コンパクト設計
● 大気圧作動であるため真空システムが不要 ● コンパクト設計 ● 操作が簡単、メンテナンスが容易 ● 低コスト
● ワンタッチ操作のみで特別な操作が不要です。 ● 設置スペースが小さく場所を選びません。 ● 試料はφ4インチまで対応可能。 ● 専用機であるため低価格。
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
工事不要で使えるガス式の自動給油器。防爆エリア対応で廃棄も簡単
工場の省エネ・CO2排出量削減について解説。マンガ資料無料進呈
