製造・加工機械の製品一覧
- 分類:製造・加工機械
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100万回繰り返しても壊れない!確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
従来の90Lクラスのミキサーではなし得なかった、均一で保形性のあるきめ細かいホイッピングを実現
- 食品加工装置
人・台車・一時的な障害物が行き交う現場でも、止まらず、待たせず、自律搬送
- 搬送・ハンドリングロボット
- その他搬送機械
- その他 搬送装置
医療機器にCFRP(炭素繊維強化プラスチック)をなぜ使用するのか、メリットやCFRPの特長について事例を交えて紹介
- 複合材料
- 搬送・ハンドリングロボット
- その他産業用ロボット
包装工程の省人化と品質安定化を同時に実現。製品のキズ・錆・破損対策にも貢献
- 真空包装機
真空蒸着(金属・有機蒸着源)、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
【TEKLA STRUCTURES活用】各種架台をお客様のご要望に合わせ一品一品設計・製作致します!
- 製造受託
- 端子台
- 機械・設備据付/解体/移設
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
「止まってもすぐ戻る」保全性設計。異常箇所を可視化し、ライン停止時間を極小化。
- 機械・設備据付/解体/移設
- 機械設計
- その他FA機器
上昇時の偏荷重を抑えた平行リンク内蔵「リンク式パワーベース」精密組立の安定性とメンテナンス性を向上させた製品です
- その他搬送機械
- コンベヤ
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。
- スパッタリング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
標準モデル登場!低コスト・短納期で提供可能になりました。 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- その他半導体製造装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)、有機蒸着源(有機材料)、マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ スパッタリング:2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着:抵抗加熱蒸着(最大2)、有機蒸着(最大4) ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用(6inch〜8inch)
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気: ・真空中、又は不活性ガス(Ar, N2) ◾️ 到達真空度:10-3 Pa台(@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力(オプション)
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:10-3 Pa台(@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水:3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系(真空ポンプ、真空計、バルブ類) ・特注るつぼ ・架台 他
肉厚3mmの薄肉形状でも変形を抑え安定した品質を実現!専用治具の設計や切削条件の最適化により課題を解決した事例
- アルミニウム
- 製造受託
- 加工受託
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用(6inch〜8inch)
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気: ・真空中、又は不活性ガス(Ar, N2) ◾️ 到達真空度:10-3 Pa台(@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力(オプション)
反りや曲がりが生じやすい長尺アルミ部品の課題を解決!精密砂型鋳造と五軸マシニングセンタによる一貫生産事例
- アルミニウム
- 製造受託
- 加工受託
小ロットの切削品で、調達先にお困りではありませんか? カルモ鋳工では、アルミを中心とした総切削加工品の製作実績が豊富にあります。
- 加工受託
- アルミニウム
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)、有機蒸着源(有機材料)、マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ スパッタリング:2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着:抵抗加熱蒸着(最大2)、有機蒸着(最大4) ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
小ロットの切削品で、大物加工品の調達先にお困りではありませんか? カルモ鋳工では、大物総切削加工品の製作実績が豊富にあります。
- 加工受託
- アルミニウム
小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。
- 蒸着装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。