アニール炉の製品一覧
- 分類：アニール炉
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
排熱回収型、低ランニングコスト、塗装用熱風乾燥機
- その他塗装機械
- 乾燥機器
- アニール炉
トロリーライン対応 通過型乾燥炉 ドライテック
塗装用乾燥機「ドライテック」は、トロリーライン対応可能です。 山形乾燥炉など、古くからトロリーラインに対応している「ドライテック」は、バッチ式乾燥機もトロリーラインに対応可能です。 立ち上がりが早いドライテックは、生産性が良く、しかも、燃費効率も良い熱交換器を内蔵。 拡張性に富んだパネル構造の天井内部に、トロリーラインを設計。自動式、手動式に対応可能です。
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
- アニール炉
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
- 電気炉
- アニール炉
【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハのバッチ処理が可能であり、欠陥や転位を最小限に抑えます。
- アニール炉
- その他半導体製造装置
- その他金属材料
放熱がひどく環境が悪化していたアニール炉に「えこきーぱー」を施工した事例をご紹介！
- その他安全・衛生用品
- その他
- アニール炉
化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのアニール装置。高温処理型で急冷機構装備。透明電極膜にも対応
- アニール炉
- 加熱装置
小径ウェハ（４インチ）や化合物半導体のニッチプロセスに対応。結晶プロセスにもウェハプロセス（合金化や電極アニール）にも対応。
- アニール炉
- 電気炉
- その他表面処理装置
神港精機の真空半田付装置に新型登場 優れた均熱性・昇降温特性と雰囲気制御性で金属焼結接合を高品質化 次世代型高信頼性燒結接合装置
- アニール炉
- リフロー装置
- 工業炉
用例；EVバッテリー開発（発生水素をオンライで計測）水素ジェット・タービン、船舶。FC評価装置、絶縁油、フォークリフト、原子力、
- その他プロセス制御
- 分析機器・装置
- アニール炉
創立97年を誇るMade in Germany電気溶接機！！ ヘビーユーザーに愛され続け、日本での実績多数あり！！
- 溶接機械
- アニール炉