更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能です！
『ロードロック式スパッタリング装置』は、ムービングマグネットにも対応し 全面エロージョンが可能です。 当社独自のスパッタカソードや急速昇降温基板加熱機構を搭載し 基板温度900℃を実現。 発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、 高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜ができます。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現 ■高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能 ■リフトオフ等低温プロセスも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発！実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能
『NS-023』は、三種のターゲットを同時に成膜可能な三元マグネトロン スパッタリング装置です。 多元同時スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化 （ヒータ温度：950℃）や反応性スパッタなど様々な使い方に対応しています。 また、アシスト用プラズマ源も対応可能（ECR、ICP、他）です。 【特長】 ■三種のターゲットを同時に成膜可能 ■多元同時スパッタ以外にも、様々な使い方に対応 ■実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能 ■アシスト用プラズマ源も対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1 700 - 2 000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。
R&Dやニッチプロセスへの対応に特化 量産用装置では困難な少量生産や試作・研究開発のための新型マルチチャンバスパッタリング装置
先端薄膜プロセス開発・少量生産専用の低コスト型マルチチャンバスパッタリング装置。 膜厚制御性に優れた高効率カソードと豊富なオプション機構により幅広い分野に対応 Ｓｉ半導体の電極・配線膜だけでなく、マイクロ磁気デバイスやＭＥＭＳ用の磁性体膜・絶縁膜・保護膜など各種プロセスに実績 蒸着・アニール・ＣＶＤなどの異種プロセス室も装備可能で実績のあるメインフレーム（搬送システム）に各プロセス室を自由に接続できるフルカスタム・オーダーメイド製作が特徴
基板温度900℃を実現！基板ステージに3軸機構を搭載し、均一な膜厚分布を実現
『多元スパッタリング装置』は、最大4台のスパッタカソードを搭載し、 金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能です。 CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能。 また、基板ステージに3軸機構（昇降、公転、自転）を搭載し、 均一な膜厚分布を実現します。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し、基板温度900℃を実現 ■最大4台のスパッタカソードを搭載し、金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能 ■トレイ搬送にも対応 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar O2 N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃ 800℃ 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1 120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar O2 N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃ 800℃ 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1 120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！） ● スパッタカソード x 3：自動連続多層膜 2源同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション：基板回転・昇降、基板加熱（Max500℃）、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ3源+3系統（MFC制御）、RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）連続多層膜・2源同時成膜（RF/DC、又はDC/DCのみ）、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ 2 カソード x 最大3源 ◉ 7 タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力コントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2 O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！） ● スパッタ源 x 3：連続多層膜膜制御 同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ源3源+3系統（MFC制御）、RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）連続多層膜・2源同時成膜（RF/DC、又はDC/DCのみ）、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：2 （1〜3源）、もしくは4 （1源） ◉ 2 カソード x 最大3源 ◉ 7 タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2 O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング。 ◉ 他、多彩なオプションを用意
電波透過膜を高品質に実現する枚葉式スパッタリング装置です。
特長 ■減衰率の低い電波透過膜（不連続膜） ■枚葉式だから自動化が容易 ■国内トップシェアの実績
均一性プラズマ閉じ込めによる高品質スパッタリング
「ユニフォームプラズマスパッタ装置」はいわゆる対向ターゲットスパッタ方式を採用しています。従来の対向ターゲットスパッタ方式はミラー磁場をそのまま利用したものですが、ミラー磁場の特性を生かしつつスパッタリングすることを目的として改良されています。 ミラー磁場を利用したプラズマ閉じ込め方式をスパッタに利用するのはとても有効で、スパッタ利用のためにその形態を大きく変える必要がなくターゲットを2枚対向させることでそれらの間にプラズマが大変効率よく閉じこめられます。これに対しトロイダルコイルなどを利用したプラズマの閉じ込め方式ではトカマク型がありますがこれをスパッタに利用するには困難で、現状では通常トロイダルコイルを輪切りにしたような形態を利用しています。この場合ドリフトが発生しプラズマが十分に閉じ込められず容器内で広がってしまいます。 しかしながらミラー磁場というだけではスパッタに利用した場合ターゲット間でのプラズマ閉じ込めには有利ですが均一性は期待できません。 そこでプラズマ閉じ込めと均一性を両立させたのがユニフォームプラズマスパッタ装置です。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF DC電源 パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF DC電源 パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
コンパクト・ローコスト・充実機能、研究開発用ローコストスパッタリング装置 サンプルテスト＆装置見学対応中
少量生産対応可能な上位機種の能力を手動操作型の簡易実験機で実現 ８インチ対応の多元高周波スパッタリング装置。高速排気と高いプロセス性能によりＭＥＭＳ・化合物半導体・電子デバイスの基礎研究に対応 電子部品の量産対応実績を持つバッチタイプスパッタリング装置シリーズ
