Last Updated： Aggregation Period:2025年09月24日～2025年10月21日
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大学・研究機関でグラフェンなど炭化水素系化合物での各種材料開発に適した、管状炉式の高温熱CVD 装置
少量・小サイズのテストピースが簡単な操作で作れるように小型化し、 同時に大幅なコストダウンを実現しました。 また、従来小型では困難とされてきた5～100Pa での圧力コントロール機能を備え、 より多様な処理パターンに対応可能としました。 さらに炭化水素系の可燃性ガスに対しては、警報検出による機器停止、 大気放出ガス希釈ユニットなどの安全装置を備えています。 詳しくは、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
CVD装置
●特徴 本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質（気体、液体、固体）としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる（励起状態にする）手法として、熱、プラズマ、光（レーザー、紫外線など）があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。
10種類以上の半導体ガスを自在にコントロール可能！カスタマイズ可能
縦型、枚葉、ウェハーサイズ、ガス種、フットプリントなど多くの使用に対応。汎用性を重視したハイグレード縦型減圧CVD装置です。標準仕様を基にカスタマイズを施し、より安価に製造することも可能です。 【特長】 ■スモールフットプリントながらウエハーサイズ3" 6" 8"/inchに対応 ■ヒーター昇降機能によりナチュラル酸化を低減 ■常温～900℃まで安定した温度コントロールを実現 ※詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。
簡単に試料セットする事が可能！外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができます
当製品は、高周波加熱コイルの中心に試料ステージ（自動回転機構付き）があり、 外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができるCVD装置です。 サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能。 簡単に試料セットする事ができます。 オプションでチャンバー上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能です。 【特長】 ■外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができる ■サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能 ■簡単に試料セットする事ができる ■上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能（オプション） ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトで省電力！デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験用プラズマCVD装置
ダイヤモンドの単結晶成長(ホモエピタキシャル)が可能な 高純度のダイヤモンド合成実験を行うためのプラズマCVD装置 【特徴】 ○コンパクトで省電力 ○超高真空技術を駆使しており、プラズマが室壁に接触しないため デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験が可能 ○球状コンパクトチャンバー＋特殊電極により、高効率な運転が可能 ○放電状態を見ながらの実験が可能 ○試料導入はロードロック方式への発展が可能 ○完全なシールド構造により、マイクロ波の漏れ対策は万全 ○全て空冷仕様により、電力とガス供給のみでの運転が可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低温成膜。高絶縁、ハイバリア、均一性！
『PEGASUS』は、メモリ、パワーデバイス、MEMSへの 絶縁膜、保護膜の形成プロセスに低温で緻密な安定した成膜が可能な 量産対応型プラズマCVD装置です。 インターロック機構による、高い安全性を持ち合わせており、ウエハ 接触部位に非金属を使用しているため、裏面からの汚染を防止します。 【特長】 ■低温成膜 ■メンテナンス性 ■ウエハ取扱い ■フットプリント ■保守メンテナンス など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
漏洩マイクロ波検出用も付属！試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3インチウェハ対応！コンパクトな設計となっており省スペース化を実現しました
当製品は、酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。 コンパクトな設計となっており省スペース化を実現。 内面処理は電解研磨、チャンバー材質はSUS316です。 また、3インチウェハ対応となっております。 【特長】 ■酸化シリコンを成膜 ■コンパクトな設計となっており省スペース化を実現 ■3インチウェハ対応 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型でスペース効率の優れた装置！基板はφ4インチ対応で、加熱機構・T/S可変機構付き！
当製品は、TEOSをはじめ、液体原料ソースを対象とした シリンダーキャビネット付きプラズマCVD装置です。 液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構を備えており、 内部異常放電防止対策や安定プラズマ生成目的の独自のプラズマ電極を 設計開発。 上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンスでき、小型でスペース効率の 優れた装置です。 【特長】 ■シリンダーキャビネット付き ■液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構搭載 ■独自のプラズマ電極を設計 ■上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンス可能 ■小型でスペース効率が優れている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応
φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
優れた膜厚・不純物濃度の均一性。高生産性と低価格を実現した常圧CVD装置
常圧CVD装置「AMAX800V」は、φ200mmウェーハ対応、モノシランガスの反応特性を応用したUSG、PSG、BPSG等の絶縁膜およびシリコン基板の裏面保護膜を形成する連続式常圧CVD装置です。 搬送機構の改良により高スループットを実現しました。 SiCトレーの採用により重金属汚染は発生しにくくなり、また熱による経年変化が少なく安定したプロセス性能が得られます。 【特徴】 ○高スループット性 ○優れた成膜特性 ○メンテナンス性 ○金属汚染低減(オプション対応) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
