MOSFETのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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MOSFET - メーカー・企業24社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年11月26日~2025年12月23日
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MOSFETのメーカー・企業ランキング

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  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
  3. イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  4. 4 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫  グループ会社 エレクトロン(長野県松本市) 東京都/商社・卸売り
  5. 5 リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体

MOSFETの製品ランキング

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  1. パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
  2. インフィニオン最新世代SiCパワー半導体 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
  3. 【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫  グループ会社 エレクトロン(長野県松本市)
  4. 4 ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』 イサハヤ電子株式会社
  5. 5 D2PAK-7パッケージ搭載 SiC MOSFET 1200V インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

MOSFETの製品一覧

91~105 件を表示 / 全 142 件

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車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現!

『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25%向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて  低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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産機&民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です!

『産機&民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の  リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Analog Power Inc

低電圧MOSFET

アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国(カリフォルニア州サンノゼ)、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。

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Goford Semiconductor

1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。

1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。 香港、オーストラリア、シンセンおよび江蘇省にオフィスがあります。 当社は、パワーMOSFET製品の研究開発と販売に常に力を注いでいます。 私達はエネルギー効率、移動性および市場に費用効果が大きいプロダクトを提供する信頼性に焦点を合わせます。

  • ダイオード
  • トランジスタ

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スーパージャンクションMOSFET

高耐圧600V以上のパワー MOSFET!低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

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ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ 15A , 600V GEN2 スーパージャンクションMOSFET

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ 32A , 600V  フルパックで0.1ohm を切る低オン抵抗を実現。

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ 25A , 650V  TO220FullPak パッケージ

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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Super Junction Catalogue 2025

アバランシェ耐性の強いMEMSベースのSuper Junction MOSFET

弊社GEN1シリーズのMOSFETは2011年よりリリースし、音響、産業用や医療用電源など様々な分野で使われております。

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ICE20N60T 20A,600V POWER MOSFET

製品の小型化に必要なLeadless Package TOLLが登場

20A,600V,170mΩのリードレスパッケージの製品です。

  • 電子管
  • 電源
  • トランジスタ

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ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現!

『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に  ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ダイオード
  • トランジスタ

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大電流、高耐圧MOSFET

高速スイッチングが可能!大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介!

当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、  ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • DCモータ
  • LEDモジュール
  • トランジスタ

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SOT-89パッケージ大電流MOSFET

小型PKG(SOT-89)MOS-FET大電流製品群をラインナップ!

当社の小型PKG(SOT-89) MOS-FETラインナップに今までになかった大電流で使用できる製品を新たに追加いたしました。 開発品種においては、特性、早見表および互換表をご確認ください。 また互換表においてはRE社製品のEOLに伴い相当品としてピックアップしておりますのでご参照ください。

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200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET

熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます

『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60~220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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