更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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シリコンとの陽極接合可能なウエハレベル実装用多層配線ウエハを提供！
ウエハレベル実装用基板「ビアウエハ」は、セラミック自体がシリコンとの「接合」機能を持った多層配線ウエハです。 ウエハレベル実装での電気的な取り出しを簡便な方法で実現しました。 位置精度の高いキャビティ形成が可能です。 MEMSや端子数の少ない半導体などのセラミックパッケージの用途に最適です。 【利点】 ○小型・低背・軽量な製品が実現可能 ○ウエハ当たりの製品数UPと実装の簡便性による低コスト化 ○電気的な取り出しに関する開発負担減で開発速度UP 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
セラミック材料技術を応用して開発された窒化アルミニウム製品
セラミック材料技術を応用して開発された窒化アルミニウム製品は、優れた熱伝導性、高い電気絶縁性及び、シリコンに近い熱膨張等の特性を持っており、高熱伝導基板用材料として注目されています。 パワートランジスタモジュール基板、発光ダイオード用マウント基板、ＩＣパッケージに使用されています。
金 /銀 / アルミ / ITO コート基板 (スライドガラス / カバースリップ / シリコンウエハ / マイカ（雲母） )
表面プラズモン共鳴(SPR)、マイクロアレイ、バイオセンサー、ナノテクノロジー、神経生物学、自己会合単分子膜(SAM)、X線回折(XRD)、半導体等、多種多様な研究用途に原子間力顕微鏡(AFM)、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)他電子顕微鏡全般でご使用ください。 スライドガラスのみならずシリコンウエハや雲母基板もございます。金(Au)/銀(Ag)/アルミ(Al)/ITOコートがメインです。 高反射率の金蒸着スライドはSEMによる反射電子像【BSE(Back Scattered Electrons)】(10-15 eV)、及び二次電子像【SE(Secondary Electrons)】(5ev)観察に最適です。 反射電子像<BSE>の場合は金厚み10nm、二次電子像<SE>の場合は50 / 100nm 品が推奨です。
セラミック材料技術を応用して開発された窒化ケイ素製品
セラミック材料技術を応用して開発された窒化ケイ素製品は、高強度、高靭性、及び高熱伝導率の特性により、高信頼性要求に適した材料としてパワー半導体用基板などに使用されています。
材質、形状、寸法精度などご要望に合わせてカスタム可能。 開発製品から量産製品に至るまで柔軟に対応いたします。
光通信向け ファイバーアレイ用Ｖ溝基板 高精度Ｖ溝加工が可能 溝ピッチズレ『±０．００03ｍｍ』以下
アルミナ基板 特長 アルミナ基板 厳選された高純度アルミナ原材料を使用し、常に安定した品質と優れた特性を持っています。
厳選された高純度アルミナ原材料を使用し、厳しい品質管理のもとに生産されており、常に安定した品質と優れた特性を持っています。 MARUWAのアルミナ基板には、以下の加工が可能です。詳細についてはお問い合わせください。 グレーズ加工 レーザー加工 多層 メタライズ加工 パンチング加工 表面研磨 機械加工
高い信頼性と技術が実現した、高熱伝導性セラミックスプレート
『デンカANプレート』は、アルミナの約7倍の熱伝導率を有する窒化アルミニウムを 用いた高熱伝導性セラミックス基板です。 主に高熱伝導性と高耐電圧特性が要求されるパワーモジュール用セラミック 回路基板として、標準品(150W/mK)に加え、高熱伝導タイプ(180W/mK)、 耐ヒートサイクル性に優れた高信頼性タイプ、更なる高耐電圧用厚板タイプなど 様々なグレードを用意しております。 【特長】 ■高熱伝導性：アルミナの約7倍 ■高絶縁性：誘電率が低くアルミナ並みの優れた電気特性 ■機械的特性：アルミナ同等の高強度 ■低熱膨張率：シリコンに近い熱膨張率 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
単結晶ニョウブ酸リチウム（LN / LiNbO3）のインゴット、ウェハー、特殊加工をご提供いたします。
商品名：単結晶ニョウブ酸リチウム（LN / LiNbO3） サイズ：Φ２”、Φ３”、Φ４”、Φ６” 方位：指定可能 厚み：250um、350um、500um、指定可能 仕上げ：片面ミラー、両面ミラー、他 数量：10枚～、量産対応可能 製造：日本製、中国製
加工管理、時間の短縮、コスト削減、歩留向上にもお役に立つことが可能！
当社が取り扱う『超高平坦度基板』をご紹介いたします。 通常の半導体向け単結晶基板を小口径基板においても高平坦度化を実現いたしました。 通常加工において、平坦度(TTV)が≦3umが限界の加工精度であったところを TTV≦1um化を実現、ご要求仕様によっては更なる高平坦度化にお応えします。 ベース基板の高平坦度が要求される、接合基板やフォトリソ加工における優位性は もちろん、基板上に形成する様々なデポジション膜への均一性にも寄与する基板となり、 今後精密性を求められるデバイスに用途は広がります。 また、基板メーカーならではのインゴット時からの作りこみとなるため、基板厚み調整、 エッジ形状のシンメトリー化もでき、お客様での煩わしい加工管理、時間の短縮、 コスト削減、歩留向上にもお役に立つことが可能です。 【効果的な事例】 ■接合用支持基板の薄化、平坦度化する時間・コストを削減したい ■外周部の歩留まり改善 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
3次元回路基板【MID配線（Molded Interconnect Device)】/ 電子部品内蔵基板
弊社は、電子機器受託設計開発（ODM）及び、電子機器製造受託サービス（EMS）対応をさせて頂いております。フレキシブル基板の設計製造のみならず、回路設計、構造設計、ソフトウェア開発、ケーブル、ハーネス製作等、企画段階の製品プロダクトデザインから開発担当者様と一緒に製品化に向け検討しております。様々な業界で薄型化、軽量化が進んでいます。 他社との差別化を図り、かつ量産効率を考慮し、フレキ基板にこだわらず、樹脂筐体表面へ導体形成した3D-MID配線ケースや、電子部品をプリント基板に内蔵した、部品内蔵基板等、広い視野でご提案しています。 エッチング めっき 真空蒸着 EB蒸着 スパッタリング 薄膜成膜 フォトリソグラフィ イオンプレーティング 熱CVD プラズマCVD ドライエッチング フィルムITO フィルムメタルパターニング ファインパターン WLP シリコンウエハ RDL バンプ形成 TEG ドライエッチング ウェットエッチング MEMS 有機EL メタライズ ガラスエッチング セミアディティブエッチング 透明レジスト 透明 高耐熱樹脂
