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TOF-SIMS、 GS/MSによる有機物の同定
リチウムイオン二次電池のバインダは活物質同士の結着剤としての役割の他、電解液に対する不溶性 も必要となります。その為、正極、負極、それぞれに適した材料選択が重要となります。 本資料では、各電極シートに用いられているバインダの成分について、正極バインダをTOF-SIMS、負 極バインダをGC/MSにて測定を行い、材料ライブラリーデータと照合することで材料を同定した事例を紹介いたします。
試料の切断加工から変色・腐食の原因調査までワンストップで対応します
様々な分野で使用されるSUS等の金属製配管の内壁は、流入する気体や液体と反応して変色や腐食 が発生し、設備の機能低下の原因となります。変色・腐食の生じやすい位置やその原因を把握すること は、設備保全において重要な課題です。MSTではこのような評価を、試料の切断加工から分析まで一貫 してお引き受けします。本資料では真空装置に用いられていたSUS製配管の内壁に見られた通常部位 と変色部位について、XPS分析を行った事例を紹介します。
![研究開発を加速する、[新]表面分析サービス開始！](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/480/2001535453/IPROS2944828896955495055.jpg?w=280&h=280)
最表面だけでなく、30nmの深部まで ～表面と材料内部の化学状態を同一箇所・非破壊で定量評価！～
XPS/HAXPESによる新サービスを6月より開始しました！ 複雑化する材料や微細構造試料に対し、表面から材料内部（～30nm）までの組成・化学結合状態を、同一箇所・非破壊で評価できます。 ・着目の元素や分析対象領域・深さに応じてX線源（Al Kα/Mg Kα/Ga Kα/Cr Kα）を使い分け、適切な測定条件での評価を実現 ・大気非暴露測定、 Arモノマー/GCIBスパッタエッチング、加熱前処理の併用が可能 ・UPS/LEIPSによる半導体試料の電子状態評価（イオン化ポテンシャル/電子親和力/バンドギャップ）が可能
表面処理による改質層や変質層の評価が可能！
TOF-SIMSは深さ方向分解能が良く、また結合状態に対応したフラグメントイオンが得られるため、 表面数nm付近の層構造の評価が可能です。 本資料では、スズ酸化物、酸化スズ水和物の各標準試料の測定から得られた フラグメントイオンの情報をもとに、スズ板表面の層構造を分析した事例を紹介します。 この技術を応用することで、表面処理による改質層や変質層の評価が可能です。
Niめっきの膜厚や濃度測定、表面汚染レベル測定などXPS、AES、GD-OES各装置での表面分析および測定事例をご紹介します
当事例集では、『表面分析』にかかる事例をご紹介します。 「めっき基板の洗浄評価（GD-OES測定）」の目的や手法と結果をはじめ、 「XPSによる表面汚染分析」の特長や分析事例、「鉄サビの分析 （ラマン分光分析）」の特長や分析事例など多数掲載。 他にも、解析結果や状態解析、組成測定などご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■めっき基板の洗浄評価（GD-OES測定） ■XPSによる表面汚染分析 ■酸化銅の状態解析（XPS・AES分析） ■鉄サビの分析（ラマン分光分析） ■変色したステンレスの組成調査 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
代表的な表面分析であるEPMAやAESなどを解説した技術資料
技術資料『表面分析の概要』は、近年、製品開発や不具合の対応などで益々重要になっている、表面や界面の構造・組成の把握に用いられている、様々な「表面分析方法」について掲載した資料です。 本資料では、表面分析の基礎の基礎として、代表的な表面分析であるEPMAやAES、XPS、SIMS、TOF-SIMSを簡潔に解説しています。 【掲載内容】 ■表面分析の種類と特徴 ・EPMA ・AES ・XPS ほか 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
市販のマンガン酸リチウムを用いて、Mn価数を解析した事例などをご紹介
『-LIBの分析-ESCAによるMn価数解析』についてご紹介した技術資料です。 市販のマンガン酸リチウムを用いてMn価数を解析した事例を、図表と共に わかりやすく掲載しています。 【掲載内容】 ■概要 ■分析事例の紹介 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可能！飛行時間型原子散乱表面分析装置【依頼分析賜ります！】
『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される ※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単 ※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。
