更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
身のまわりでもたくさんの製品に利用！半導体の製造工程や活用についてご紹介
当資料では、半導体について詳しく解説しております。 身のまわりで利用されている製品や製造工程、産業革命について 詳しくご紹介。 イラストや画像を豊富に用いてわかりやすく説明しておりますので、 導入検討の際に、ぜひご活用ください。 【掲載内容】 ■半導体とは？ ■身のまわりの半導体 ■半導体はどのようにして作られるのか？ ■シリコンウエハー ■シリコンウエハーの製造の流れ(SUMCO) ■フェローテックのシリコンウエハー生産工程 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
熱酸化膜やパターン加工膜、多層膜加工膜など！膜厚につきましては、都度ご相談に応じます
当社で行う、「薄膜成膜加工」をご紹介いたします。 ダスト保証品も可能な「熱酸化膜」をはじめ、「Poly膜(ノンドープ、 ドープド)」や「チッカ膜(LP・プラズマ)」、「TEOS膜」など 様々な膜に加工。膜厚につきましては、都度ご相談に応じます。 【膜種】 熱酸化膜（ダスト保証品も可能です）／Poly膜（ノンドープ、ドープド）チッカ膜（LP・プラズマ）※12″も対応可能です。 TEOS膜／BPSG膜／TI、TIN膜／CU膜／W膜／パターン加工膜／多層膜加工膜／各種IC種類 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小ロット、短納期、安定供給が可能です！ 半導体向けのシリコンウェハーを各種、多数取り揃えております。
株式会社トリニティーではお客様のニーズに合わせ、各種半導体向けの シリコンウェーハをご提案させて頂きます。 前工程向け「モニターウェーハ」や、後工程向け「ダミーウェーハ」等をラインアップ。 それ以外にも各種膜付きウェーハ、高抵抗値ウェーハ、低抵抗値ウェーハ等各種仕様のウェーハをご提供可能でございます。 ウェーハの詳細スペック、数量、その他仕様についてもお気軽にお問合せ・ご相談下さい。 【特長】 ・2"、3"、4"、5"、6"、8"、12"各サイズにてお取扱いしております。 ・膜付、高/低抵抗値、P/N型等豊富な仕様の在庫を取り揃えております。 ※詳細につきましては、カタログをダウンロードして頂くかお問い合わせフォームよりご連絡下さいませ。
半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。
汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコンのご提供が可能です。
ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A.
2インチから12インチウエハへの成膜が可能です。
株式会社エナテックのCZウエハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウエハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、Al-Si、Al-Si-Cu、Ni、W、W-Si-Cu その他 Poly-Si、a-Si、SiC、Low-k(SiOC系、有機化学系）、グラフェン膜、グラファイト ＊SiO2,SiN,SiONなど膜種により1枚からでも対応が可能です。 ＊Suputter成膜にてTi,Cu,Cr,Niなど対応可能です。 ＊レジスト塗布/露光/エッチングは4インチ～12インチまで対応可能です。 ＊テストパターン付ウエハ（6インチから12インチ）も仕様により一貫で対応致します。 ＊レチクルご支給による、露光/エッチングも承ります。（8インチと12インチ） 詳しくはお問い合わせ下さい。
バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント！
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型＜100＞ 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質：パーティクル管理有（0.2um30個以下） 製造：日本製（Made in Japan） 納期：1-2週間
少数ロットでのご案内も可能ですので、ぜひご相談ください！
当社では、多種多様なニーズにマッチする『シリコンウエハー』を 供給いたします。 低抵抗品、高平坦度品等の「ベアウエハー」をはじめ、「石英製品」や 「SiCウエハー」などをラインアップ。 「ウエハー加工」も少数枚からニーズに合わせて承ります。 また、デバイスメーカー/装置メーカー様向けのご提案も行っております。 【ウエハー加工】 ■再生受託加工 ■成膜受託加工 ■ザグリ受託加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光通信用バタフライパッケージや低速＆低コスト型HTCCパッケージなどをご紹介！
当社では「オプトエレクトロニクス部品」の製造販売を行っております。 好適なワイヤー濡れ性を確保したプレーティング加工の「光通信用Min-DiL, Min-Flat＆Min-Pin;パッケージ・低速＆低コスト型HTCCパッケージ」や AuSn共晶パッドの「Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック」などをラインアップ。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ＜Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック＞ ■CuW/ヒートシンク ■Al2O3,ALN,SiC基板 ■高信頼性薄膜技術 ■AuSn共晶パッド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
少量ウエハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハーフinchから450mmまで幅広く取り扱っております！
【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウエハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウエハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウエハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウエハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウエハへ加工することも可能です。 ＊パーティクル管理されていないダミーウエハ（コインロール）も取り扱っております。 ＊各種加工：成膜・グラインダー(30μm以下も可能）ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生（リクレイム）・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。 シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料・ウエハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さい。 国内外より仕様に合う製品をお探しいたします。 他社でお買い上げ済みのウエハに加工をして納品させていただく事も対応可能です。
パーティクル管理品ウエハー、ダミーミラーウェハーなどのシリコンウェハーをご用意！
当社では、エスエヌケー社の製品を取り扱っております。 SiC基盤(6インチなど)・GaAs・GaN・Ga2o3・Ga2o3Epi・InPウェハー など、サイズ：2～4インチその他のインチもラインアップ。 また、熱酸化膜・SiN・各種金属膜のほか、ポーラスシリコン加工にも 対応しております。 【ラインアップ】 ■シリコンウェハー ■シリコンウェハー以外の各種基盤 ■各種成膜加工 ■各種ウェハー加工 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
お客様のご要望に合ったシリコンウェハーを短納期・低価格で提供いたします！最短即日発送。
当社では、装置の条件出し、ダイサーやBGのプリカット、搬送テストなど の用途にご使用いただける『シリコンウェハー』を取り扱っております。 モニターウェハーはもちろんのこと、各種サイズ、各種厚み、 パーティクルウェハーにも対応可能です。 小口径２インチ～６インチモニターウエハー、８インチ～１２インチモニターウエハーも格安で販売致します。 P型/N型・オリフラ/Vノッチ・結晶方位などお気軽にご相談ください。 【用途】 ■装置の条件出し ■ダイサーやBGのプリカット ■搬送テスト など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
