最小寸法0.5um、Line　Space 0.8umまで描画可能。 選択できるWrite Mode(最小寸法0.5um　または0.8um) 高出力DPSSレーザー 最大描画面積　300x300mm2 リアルタイムオートフォーカス オートローダー 基板検出機能 裏面アライメント機能 Zerodur採用 高精度微分干渉計によるステージ制御

• その他半導体製造装置

プリントサイズ：100mm x 100mm以内 プリント高さ:　1cm以上 最小寸応: 100nm以上（Lateral) 表面粗さ: 10nm以上 再考造形速度: 1000mm/秒 光源: 522nm フェムト秒レーザーシステム 主な加工材料: ハイブリッドポリマーORMOCERs、SU-8、AZシリーズ、ma-P 1200、金属（銀、金、Crなど） 環境チャンバー付属（幅1300mm x 奥行1100mm x 高さ1950mm)

• 樹脂加工機
• その他加工機械

【基本性能】 ■最小図形寸法：　500nm ■描画速度: 580mm2/分（FXモード時）、325mm2/分（QXモード） ■ラインエッジラフネス：20nm(QXモード） ■CD均一性：30nm(QXモード） ■オーバーレイ: 30nm（QXモード） ■ポジション精度:40nm(QXモード） ■最大描画エリア：228mm x 228mm(オプション　最大400mm x 400mm) ■マスク用オートローダー ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電子ビーム描画装置
• フォトマスク
• ステッパー

【描画モードの一例】 ■描画モード：HR(High Resolution Mode 0.3um) ■最小アドレスグリッド（nm）：5 ■最小描画サイズ（μm）：0.3 ■エッジラフネス（3σ、nm）：50 ■CD均一性（3σ、nm）：60 ■重ね合わせ精度（3σ、nm）：500 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電子ビーム描画装置
• その他半導体製造装置
• ステッパー

【描画性能】 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.75 ■エッジラフネス [3σ、nm] ： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 65 ■重ね合わせ精度 [3σ、nm] ： 225 ■対応基板サイズ　　　　　　：～最大1,400mm角 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電子ビーム描画装置
• その他半導体製造装置
• ステッパー

【装置性能】　＊バイナリ描画時、Write Mode1選択時 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.5 ■最小 L&S [HP, μm] ： 0.7 ■ラインエッジラフネス [3σ、nm]： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 60 ■レジストレーション [3σ、nm]： 200 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電子ビーム描画装置
• その他半導体製造装置
• ステッパー

NanoFrazorリソグラフィシステムは、熱走査プローブ方式のリソグラフィー技術をベースとしています。NanoFrazorのコア技術は超シャープな加熱可能なプローブにあり、複雑なナノパターンの描画およびイメージングを可能としています。 加熱されたプローブの先端は、レジストの局所昇華によって任意の高解像度ナノ構造を作成します。その後リフトオフやエッチングのような標準的なパターン転送方法を適用することができます。 またプローブ先端近傍に備えられたセンサーでイメージングを行いながら、パタニングへのフィードバックとトポロジー情報を取得でき、高精度の位置合わせも可能となります。

• その他半導体製造装置

NanoFrazorリソグラフィシステムは、熱走査プローブ方式のリソグラフィー技術をベースとしています。NanoFrazorのコア技術は、複雑なナノパターンの描画およびイメージングに使用される超シャープな加熱可能なプローブにあります。 加熱されたチップは、レジストの局所昇華によって任意の高解像度ナノ構造を作成します。その後リフトオフやエッチングのような標準的なパターン転送方法を適用することができます。 またプローブ先端近傍に備えられたセンサーでイメージングを行いながら、パタニングへのフィードバックとトポロジー情報を取得でき、高精度の位置合わせも可能となります。

• その他半導体製造装置

描画領域：5 mm〜100mm角（オプション　125mm角へ拡張可能） 最小図形寸法：最小0.6 µm（最小寸法1um, 3umレンズセット有り） リアルタイムオートフォーカスシステム（標準：空圧式、オプション：光学式） 使いやすい操作ソフトウェア オプション多数有り：フィールドアライメント、ベクターモード、ドローモード、高速化、専用テーブル。 キーワード：レーザー露光装置、直描装置、直接描画装置、マスクレス

• フォトマスク
• ステッパー

最小基板サイズ：5 mm x 5 mm 最大露光面積：6インチx 6インチ（オプションで8インチx 8インチ） 0.6μmまでの最小構造サイズ リアルタイムオートフォーカス（標準：空圧式、オプション：光学式） 前面と背面の位置合わせ（オプション：バックサイドアライメント機構） 高アスペクト比モード（超厚レジスト露光） 使いやすい操作ソフトウェア キーワード：レーザー露光装置、レーザー描画装置、直描装置、直接描画装置、マスクレス、微細加工

• フォトマスク
• ステッパー

最大露光面積：300 mm x 300 mm 最小フィーチャサイズ：1.5μm 最小ラインアンドスペース：2 µm 最大書き込み速度：5000 mm2 / min（@405 nm、1モジュール時） リアルタイムオートフォーカス 前面と背面の位置合わせ フルオートローダー 複数モジュール搭載可

• ステッパー
• フォトマスク
• その他半導体製造装置