ティー・ケイ・エスの製品・サービス一覧

ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 　誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 　高速スパッタリングと低コンタミの両立 　ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 　グリッドレス構造によるメンテナンス低減 　リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 　ステップカバレージの向上 　クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 　直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜

• スパッタリング装置

-金属ベルトの性質と性能- PureSteel金属ベルトはステンレススチールを使用しているため、過酷な状況下においても長期間使用でき、耐久性があります。ご使用環境や目的に応じて、化学物質、温度、腐食に対する耐性や要求に合わせた合金素材での供給も可能です。 -耐久性- PureSteel金属ベルトは過酷な温度、真空状態、有害・腐食性のある環境に耐性があります。また、長期間使用による摩耗及び伸びや反り等による表面剥離の影響を受けることもありません。 -清潔- PureSteel金属ベルトは潤滑を必要としません。他の素材（樹脂・繊維）などで発生する微粒子やガス放出もありません。オートクレーブでの滅菌、各種燻蒸やガス噴霧での滅菌が可能であるため、清浄度が最重要視される環境での使用に理想的です。 -正確- PureSteel金属ベルトには、他の一般的なベルト素材で発生する脈動がありません。これにより、制御システムの動作プロファイルを正確に伝達できます。非常に厳しい公差により滑らかなエッジと正確な寸法に加工されるため、他のベルト素材と比較して正確性・信頼性がある動作を実現いたします。

• コンベヤコンポーネント
• 医薬品包装機械
• 医薬品関連工場設備

-TKSがご提供する 装置延命化サービス- 国内の半導体や電子デバイス製造には導入から20年を超えて使用されている装置が多く、生産には不可欠な装置も多々稼働中です。 ただ、装置に使用されているモジュールや部品などは既に生産中止になっているものも少なくありません。 消耗・劣化・故障したモジュールの修理・再生にあたり、現行品を使用することで装置の安定稼働につなげます。 また、安定供給やコスト削減を目的とした部品国産化もご相談ください。 -サーボモーター・ドライバー 換装による延命化- 稼働中の装置には多数のサーボモータが使用されていますが装置稼働中にもそのモータドライバとモータは数年ごとに更新され生産中止になります。 長年稼働中の装置に使用されているモータドライバもしくはモータが故障した場合、これまで中古品を探すか修理する以外に対応できませんでした。 この対応では「中古品がない！」「修理不可！」となった場合は稼働可能な範囲で装置を使用するか稼働停止や新規装置購入となりかねません。 弊社ではこのような問題を解決できるよう対応策を模索して実績までに至りました。

• スパッタリング装置
• ソレノイド・アクチュエータ
• 搬送・ハンドリングロボット

HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。

• その他金属材料
• 合金
• 表面処理受託サービス

-昇華- 物質が液相を経ずに、固体相から気体相に直接相転移する現象を指す言葉です。 逆に気体相から固体相に相転移する現象をも指しますが、これらは一般的に凝華・凝固・再結晶などと呼ばれています。 -昇華現象が出現する条件- 一般的な物質は温度変化によって固体・液体・気体の三態を持ちます。その境界温度はそれぞれの物質の「蒸気圧」によって定まります。　相変化温度が蒸気圧によって規定されることから、物質の設置環境（気圧）を変化（減圧）させることによって、多くの物質においても液相を経ずに昇華現象を生じさせることができます。 -昇華現象の応用と昇華精製装置- 多くの化合物はそれぞれ固有の昇華・凝固温度を持っています。この温度差を用いることによって混在する化合物を、有意に分離することができます。 この現象を応用したものが、昇華精製装置として応用されています。 固体相から気体相に直接相転移させられる特性を生かし、特に溶媒での溶解が難しい「難溶性」物質の高純度化に広く用いられています。

• 有機EL

PlasmaQuest社 ヘリコン型 高密度イオンソースの開発販売、及び 応用製品の開発販売で25年の歴史を持つ優良企業です。 グリッドレスで高密度なプラズマを発生させるヘリコンプラズマソースは、多くの装置メーカーにOEM供給を続けていおります。 その高品位なプラズマソースをイオン源として、ターゲットにバイアス印加を行う画期的な手法「HiTUS」システムにより、様々な条件やターゲットを用いてのスパッタを実現しています。 従来のマグネトロンスパッタ装置では困難とされる高磁性ターゲットや高誘電ターゲットのスパッタ、金属とセラミックなどの異種ターゲットを同時に用いるCo-スパッタなど、多用途での運用を可能としています。 研究用途から生産規模の装置まで柔軟に対応できる多性を整えています。

• スパッタリング装置

イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール 　→スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 　→ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 　→イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 　→幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 　→各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 　→ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 　→ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜

• スパッタリング装置
• プラズマ発生装置
• その他表面処理装置

AVP Technology社製イオンビームエッチング装置はICPイオンソースを搭載した高均一・高エッチングレート、かつ稼働再現性・安定性に優れた製造装置です。 他社IBE装置に較べ卓越した制御システムにより、製造設備に必須である安定稼働を実現しています。 最新の駆動機構によりレイテンシー時間を最小限に押さえて生産性を改善しています。

• スパッタリング装置

従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。　 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・希少なターゲットを用いる成膜工程でのコスト削減にも貢献します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 　誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 　高速スパッタリングと低コンタミの両立 　ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 　グリッドレス構造によるメンテナンス低減 　リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 　ステップカバレージの向上 　クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 　直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜

• スパッタリング装置

安定した成膜とコストダウンの両立を実現します。 アメリカオングストローム・サイエンス社製の高機能・高品質な「マグネトロンスパッタカソード」です。 特許技術のShaped Magnet採用により、ターゲットの広い面積を利用するため、エロージョンの進行によるスパッタ状態の変化が起こりにくく、安定した成膜とターゲット交換のためのコスト低減を実現しています。 【特長】 ■Shaped Magnet高効率テクノロジーカソード: 高い成膜効率と安定性を実現 ■継続使用可能なターゲット: お手持ちのターゲットを再利用可能で、コスト減 ■安定した成膜とコストダウンの両立: エロージョンによるスパッタ状態の変化が少なく、ターゲット交換のコストを低減 ■既存各社のスパッタ装置での使用可能: 他社の装置にも適応可能 ■高真空対応: 幅広い用途に対応する高真空環境で使用可能 ■φ1インチからφ12インチ迄の対応: ターゲットサイズの柔軟な選択可能 ■豊富なオプション機構: シャッターやチルトアングルなど、多彩なオプション有 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• スパッタリング装置
• 真空機器
• その他金属材料

『FHR.STAR-400x300SALD』は、200mmウェハあるいは 400x300mmまでの基板やテキスタイルの成膜に対応した 高速成膜ALD（Spacial ALD）装置です。 400x300の基板では10mm厚迄の3次元形状への均一な成膜が可能。 従来のサーマルALD方式に較べ高速で成膜できるためデバイスの量産に 使用が可能でIn-Situのエリプソメーターや透過型分光器に対応する 設計となっていますのでより精度の高いプロセスコントロールができます。 クラスター対応設計により必要に応じて搬送チャンバー、ロードロック、 その他プロセスチャンバーをインテグレーションができ、この設備の 他小口径ウェハ対応の設備も用意しておりますのでお問い合わせ下さい。 【特長】 ■10mm厚迄の3次元形状への均一な成膜が可能（400x300の基板） ■従来のサーマルALD方式に較べ高速で成膜できる ■デバイスの量産に使用可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

有機材料用蒸着源 Creaphys DEシリーズ R&Dや少量生産用にデザインされた蒸着源エバポレーターです。 ・50℃から800℃まで広範囲の温度領域で安定した使用が可能 ・超高真空での使用も可能 ・既存の装置にも用意されたオプションで対応可能 （シャッター、水冷、各種フランジ、温度制御など） 詳細はお問合せください。 また複合型蒸着源についてもお問合せください。

• その他表面処理装置

このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1,700 - 2,000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。

• スパッタリング装置

FCCL（フレキシブル銅張積層板）製造用高スループットロール to ロール型スパッタリング装置です。 特徴 １．装置構成の自由度が高い ２．高い温度安定性 ３．適正なシード層形成 ４．オプションでクロームフリーの接着層が可能 ５．高剥離強度を実現 詳しくはお問合せください。

• スパッタリング装置

『DSUシリーズ』は、有機エレクトロニクス研究で蓄積されたプロセスデータから開発された “QUANTIpure Technology”を基にした高純度有機材料の昇華精製装置です。 昇華精製工程の再定義から生まれた独自の精製システムにより、高収率と超高純度の両立を実現しています。 原料投入以降はすべて自動制御で運転され、精製終了までオペレーターの操作は必要ありません。 5gの少量精製はもちろん、10kgの大量精製に対応できる機種もご用意。 オペレーター1名で運転準備と製品回収などのバックグラウンド作業のすべてが完結します。 【特長】 ■開発から量産まで幅広いニーズに対応 ■オートプロセスコントロールによる温度・圧力制御 ■実験や開発に適した5gから量産用の10kg/runを精製 ■純度99.99％・歩留まり98％(2回目の精製後) ■縦型のため省スペースで設置可能 ■オペレータ１名ですべての作業が完結 ※「PDFダウンロード」より製品資料(英語)をご覧いただけます。 　お問い合わせもお気軽にどうぞ。 ※ 本画面下部にて関連製品動画もご覧いただけます。

• その他半導体製造装置
• 精製・抽出装置
• 有機EL

AVP Technology社製 HR-PVDスパッタリングモジュール ・ヘリコンプラズマイオンソースを用いたリモートプラズマソースによりICPソースと比べ高いイオン化効率を実現しています。 ・傾斜角方向からの優れた直進性により、膜厚均一性およびステップカバレッジにおいても優れた結果を得ています。 ・リモートプラズマにより、基盤を低温に保っての成膜を実現します。 ・ターゲット利用効率においても優れた結果が得られています。 ＊詳細はお問い合わせください。

• スパッタリング装置
• プラズマ発生装置

MBraun社はドイツ・ミュンヘンに本拠地を置く科学機器の専門メーカーです。 高品位なグローブボックス製品を主力として、真空昇華精製装置・真空蒸着源など製品は多岐に渡ります。 MBraunブランドは、高品質かつ高機能な製品の代名詞として世界各国の研究機関や開発企業で好評を博しています。 MBraun社は有機材料を昇華精製する設備のご提供のみならず、開発した装置・設備により受託精製サービスをご提供をいたしております。 極少量の試験昇華精製から量産スケールまで柔軟に対応いたします。 自社開発した先進の昇華精製装置により、超高純度と超高収率を両立した精製を実現しています。 従来とは一線を画す高収率により、原料物質のロスを極小に抑えた高純度化を実現し、コスト低減に力を発揮します。 サービスのご提供にあたってはNDAの締結をいたします。 先端素材の昇華精製にあたりましても、安心してご利用いただけます。 【ご用途の例】 ■有機エレクトロニクス材料の精製 ■高純度先端半導体原料の精製 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 有機EL

MBraun社は独ドレスデンに拠点を置く、有機材料用プロセスの 専門メーカーです。 有機エレクトロニクス材料を成膜するためには組成分解のない 真空蒸着が好適です。 MBraun社はその有機材料に関するノウハウを元に実験用の 少量蒸着ソースから生産用の大型リニアソース並びに実験用の蒸着装置を ご提供いたします。 【概要】 ■有機材料用蒸着源（ポイント及びリニア型） ■メタル材料用蒸着源 ■有機材料成膜システム並びに使用コンポーネント製造 ■装置改造 ■開発並びにエンジニアリング業務受託 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 真空機器

2023年、CreaPhys社はMBraun社との経営統合により事業部門となりました。MBraun社は全世界で研究実験設備などの製造販売を行うグローバル企業です。統合されるCreaPhys社はMBaun社がDresden大学Karl Leo教授門下の研究者に出資し、設立したグループ企業です。 有機エレクトロニクス分野において20年以上の歴史を有し、有機材料の 昇華精製装置、蒸着ソース、並びに評価装置をご提供しております。 【製品並びに受託サービス】 ■有機材料真空蒸着システム ■計測分析システム ■有機材料の精製 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 真空機器

当資料は、Belt Technologies社製の金属ベルトの設計および用途の基本を 解説しています。 「貴社の設計に金属ベルト導入を検討する理由」をはじめ、「金属ベルト、 駆動テープおよび各種用途」や「設計における考慮事項」などを掲載。 皆様に金属ベルトの多くのメリットをご理解いただく一助となり、必要な 基本事項としてお役に立てることを希望しております。 是非、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■貴社の設計に金属ベルト導入を検討する理由 ■金属ベルト、駆動テープおよび各種用途 ■プーリー ■表面処理 ■設計における考慮事項 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 技術書・参考書
• ベルト・プーリ

FHR Anlagenbau GmbHは、真空プロセスおよび薄膜技術の分野における 革新的な企業です。 1991年にドイツのドレスデンにおいて薄膜の複数アプリケーション向けに 新しいコンセプトとソリューションの開発と販売を目的として開発と設計に 優れた技術力を持ったエンジニアのグループによって設立されました。 FHRは薄膜技術を提供し、世界中の顧客に幅広い用途向けにカスタマイズ された機器を提供しています。 【FHRテクノロジーポートフォリオに含まれるもの】 ■マグネトロンスパッタリングとCVDによる高度なメタライゼーション技術 ■酸化物および窒化物の堆積のための反応性スパッタリング技術 ■高密度プラズマ源のサポートによる高度なエッチング技術 ■半導体、金属、セラミック、ナノ構造、フォトニック材料の処理と改質の 　ためのフラッシュランプアニーリング（FLA） ■複雑な3D形状において高度な成膜制御により優れた均一性を持った 　単層結合のための原子層堆積（ALD）技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他

原子層堆積（ALD）はCVDの中でも特別なコーティング方法になります。 ALDプロセスにおける補完的で自己制限的な表面反応は、ナノメートル スケールまで制御された厚さの均一なフィルムと、複雑な3D表面形状への 優れたステップカバレッジを備えたコンフォーマルフィルムを提供。 ALD処理のために、FHR AnlagenbauGmbHは、R＆D活動および工業規模での 量産用に設計されたカスタムメイドのリアクターツールを提供しています。 【コーティング方法】 ■少なくとも2つの化学反応物（前駆体）の交互の基板露光によって実行 ■最初の1つの前駆体が基板上にフラッシュ ■前駆体は、未反応の表面部位がなくなるまで（飽和）、反応性の表面部位と反応 ■最初の前駆体のガス状反応残留物が不活性ガスでパージ ■2番目の前駆体がフラッシュされ再び表面反応が起こり、飽和に達するまで置く ■反応をパージした後、2番目の前駆体の残留物の場合、最初の前駆体を 　フラッシュすることでサイクルを再開 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他加工機械

今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルターの安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソース搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜 など、高品位な光学薄膜成膜に特化した装置です。 特徴 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型カソードとスパッタアップとの組み合わせによる 　膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■In-situモニタリングによる、成膜状態の連続監視 ■完全に自動化されたプロセス制御　 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• スパッタリング装置

当社では、独FHR社の『Star.500-EOSS(R)』を取り扱っております。 『Star.500-EOSS(R)』は、光学フィルター成膜用として設計された マグネトロンスパッタシステムです。 成膜用のパーティクルを最小限にするためスパッタアップの方式を採用。 200mm径までのフラット並びに曲面の基板まで対応しており、 基板加熱機構も組み込みできます。 【特長とメリット】 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型スパッタカソードとスパッタアップとの組み合わせによる 　膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■円筒型ターゲットによる長寿命ターゲットライフと 　成膜レート変動の最小化 ■完全に自動化されたプロセス制御　 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• スパッタリング装置