プラズマ・サーモ・ジャパンの製品・サービス一覧

当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 【特長】 ■独自の技術で全ての金属、酸化物ターゲットに対応 ■面サイズは1mmx1mmから300mmx560mm、厚さは25mmまで対応可能 ■異なるサイズへの成膜でも、ハードウェア・ソフトウェアの変更が不要 ■ヨーロッパ各国の研究機関から推薦状をいただいたThin Film Equipment ※英語版資料をダウンロードいただけます。 　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

『KOBUS-F.A.S.T』は、ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを 両立させたF.A.S.Tプロセスのみならず、ALD成膜も可能な高品質 薄膜成膜プロセッシングを実現するソリューションです。 下地層SiO2、バリア層TiO2、メタル層Cu・Coや透明導電体ZnOxのALD及び 良好なカバレッジを維持したF.A.S.Tハイレート成膜の用途で使用。 ALD成膜において膜質やカバレッジを維持したまま成膜速度を向上させる 手法を模索しているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを両立させたプロセス ■ALD成膜も本装置で成膜可能 ■高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE BH/BVバッチタイプスパッタリングシリーズ』は、基板への パーティクルの着膜が極めて少ない垂直搬送方式とメンテナンス性に優れた 水平搬送方式が選択可能であり、各カソード直下での基板高速スキャンにより インライン方式ながら膜厚の精密な制御を実現する航空宇宙工学・医療用 スパッタリングソリューションです。 また、メタル用ハイレートDCマグネトロン、酸化物用RFマグネトロン、 デュアルカソード式ACスパッタが選択可能で、かつハイエンド機能膜の 高スループット生産を可能とします。 ハイエンドバッチ装置を用いた生産用高スループット成膜を模索している エンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■基板ホルダー(パレット)のスウィングによる良好な膜厚分布 ■RF式エッチングチャンバーによるクリーニングプロセスが可能 ■DC基板バイアス(オプション)によるスパッタリングプロセスの拡張性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE ニュースパッタリングシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、金属ナノ粒子、ナノワイヤー、 ナノシートなどのナノマテリアル用メタル膜・誘電体膜の最大800℃までの 高温成膜が可能な小型スパッタリング装置です。 また手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよびPCによる 完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを実現した スパッタリング装置。 ナノマテリアル用薄膜成膜において高い基板加熱温度(最大加熱温度： 800℃)を求めるエンジニアの方におすすめします。 【特長】 ■ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、 　ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適 ■他社装置では困難な800℃基板加熱が可能 ■基板回転付きコスパッタが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ 　フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 　(グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

当社では、研究開発から小規模量産まで対応可能な「イオンアシスト・ スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 本装置は、半導体デバイス、ナノテクノロジー、強誘電性・強磁性薄膜、 超伝導薄膜など、幅広い分野への応用が可能です。 特に、バイアス・スパッタリングの代替技術として、緻密かつ高密着性の 薄膜成膜を実現し、膜応力の制御も容易。さらに、最大基板温度800℃までの 高温成膜に対応しており、絶縁性基板への成膜も可能です。 【特長】 ■高温基板加熱機構とイオンアシスト効果により、緻密かつ密着性の 　高い薄膜を提供可能 ■熱伝導性に優れたウェーハキャリア ■合金成膜、反応性スパッタによる酸化物、窒化物の成膜に対応 ■イオン源は強い指向性と集中イオンエネルギーバンド幅を有する 　エンドホール型(カウフマン型)を使用 ■ラボスケールから小規模量産に対応し、緻密性と密着性に優れた薄膜成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。