『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 難しいエッチングプロセスや薄膜形成アプリケーションにおいて、 プロセス結果を実現できるエッチング・成膜装置です。 当製品のMarathon grids技術は、重要な要素となっており、現在お使いの 既存のシステムに設置する事も可能。 世界の多くのお客様が、grid技術で既存装置の性能を向上させ、寿命を 2倍以上に伸ばすことに成功しております。 【特長】 ■均一性<2% 3σ(200mmウエハ)、スキャニングモーションを 　取り入れることにより<0.6% 3σも達成可 ■従来と比較しMTBMを2倍にしたIon Source、Marathon Grid、 　Dual PBNは、他社の既存装置でも搭載可能 ■当社のPVD、CVD等とのクラスター可が可能 ■150mm、200mm ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。

『Plasma POD シリーズ』は、小型でコンパクトな 卓上タイプエッチング・成膜装置です。 設置スペースに限りがあり、低コストでエッチング・成膜装置の 導入をご検討されている方にお勧め。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■装置最大サイズ 80cmx80cmx80cm(高さ） ■タッチパネルで簡単操作 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱う、「イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)」を ご紹介いたします。 標準的なエントリーモデルから、膜厚均一性等の精密な制御が可能な ハイエンドモデルまでラインアップ。企業、アカデミアでの研究開発向けに、 グローブボックス付属等の特殊仕様にも対応します。 また、R＆Dのラボスケールから量産まで対応し、難エッチング材料のエッチング プロセスや、デュアルイオンガンシステムを搭載した様々な材料の均一性及び 膜厚分布を重視した成膜が可能です。 【特長】 ■標準的なエントリーモデルから、膜質等の精密制御の可能な 　ハイエンドクラスまで、要求性能に合わせたモデルのご提案が可能 ■R＆D、アカデミアでの研究用途に、グローブボックスの接続やその他の 　特殊仕様にも対応が可能 ■膜厚均一性は200mmウェーハで＜0.6％(3σ)達成 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 　容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた 　ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する 　マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 　(サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 　0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 　約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールによる 精細な薄膜成膜アプリケーションを実現したイオンビーム成膜プロセスを 可能にするダメージフリーイオンビーム成膜ソリューションです。 独自開発のMarathon-grids技術の応用をはじめとしたメンテナンス周期の 延長は生産上重要な要素であり、現在お使いの既存のシステムに 設置することも可能。 ターゲットは設定したエネルギーのイオンビームでスパッタリングされるため 広いプロセスウィンドウを有します。 【特長】 ■RFシャントによるイオンソースの短絡を防止するREDEPブレーカー ■イオンソースのアノード消失を防止する補助電極システム ■機械式シャッターが不要なバーチャルシャッターの採用による 　パーティクル削減 ■2つ中和器を一体化したのDual PBN(オプション) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京ビッグサイトにて開催される「セミコンジャパン2024」に出展いたします。 弊社は、プラズマ技術を中心にエッチング、成膜、洗浄装置、ALDライク成膜装置、 イオンビーム装置、PVD装置、RTP装置を取り扱っております。 また、バッチ式スパッタ装置や、電子ビーム蒸着装置もラインアップとして揃えており、様々な用途にご提案が可能です。 ブースにて開催するセミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、 ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術とKBOUS FAST-CVDの成膜レートで、 ALDライク成膜が可能な新技術をご紹介予定です。ぜひ、ご来場ください。 【開催概要】 ■会期：2024年12月11日(水)～13日(金)　10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト　東4ホール　4032 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ■最寄り駅 ・りんかい線 国際展示場駅(下車 徒歩約7分) ・ゆりかもめ 東京ビッグサイト駅(下車 徒歩約3分) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国　国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 　特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 　 　多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。　 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 　「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。