プラズマ・サーモ・ジャパンの製品・サービス一覧

高密度ラジカルクリーニングプロセスは、繊細なデバイスや複雑な構造を 損傷することなく、フォトレジストやポリマーなどの残留物を、 完全に除去することが可能です。 さらに、医療用インプラント応用など精細な構造物に対しても リモートプラズマを用いた独自のプラズマソースにより、ウェットプロセスでは 完全な除去が不可能であった残留物の除去が可能。 また、高密度ラジカルフラックスによる複雑な形状の高温のみならず、 低温でのプロセッシングができます。 【特長】 ■広い温度範囲での柔軟な処理が可能 ■選択比及び均一性の高いプロセス ■複雑な形状のサンプルを完全にクリーニングする性能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『KOBUS-F.A.S.T』は、ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを 両立させたF.A.S.Tプロセスのみならず、ALD成膜も可能な高品質 薄膜成膜プロセッシングを実現するソリューションです。 下地層SiO2、バリア層TiO2、メタル層Cu・Coや透明導電体ZnOxのALD及び 良好なカバレッジを維持したF.A.S.Tハイレート成膜の用途で使用。 ALD成膜において膜質やカバレッジを維持したまま成膜速度を向上させる 手法を模索しているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを両立させたプロセス ■ALD成膜も本装置で成膜可能 ■高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 　容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた 　ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する 　マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『故障解析用Corial Shuttlelineシリーズ』は、半導体ICの絶縁層だけ ではなくメタル層も選択的に除去可能な故障解析用装置であり、 フットプリントが小さく、費用対効果の高い故障解析システムです。 電気的な特性を維持するためにメタル層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、メタルエッチングを含む高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIEによる精度の高いエッチングプロセスを提供。 故障解析ソリューションは、最大200mmまでのダイ・パッケージダイ 及びフルウェーハを解析可能です。 【特長】 ■電気的な特性を維持するために金属層を侵食させることがない ■マルチレベルのデプロセッシングから、金属エッチングを含む 　高い選択比プロセス ■ウェットエッチングでは1日～5日間程度要する解析時間を 　1〜2時間で可能にする ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 　(サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 　0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 　約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールによる 精細な薄膜成膜アプリケーションを実現したイオンビーム成膜プロセスを 可能にするダメージフリーイオンビーム成膜ソリューションです。 独自開発のMarathon-grids技術の応用をはじめとしたメンテナンス周期の 延長は生産上重要な要素であり、現在お使いの既存のシステムに 設置することも可能。 ターゲットは設定したエネルギーのイオンビームでスパッタリングされるため 広いプロセスウィンドウを有します。 【特長】 ■RFシャントによるイオンソースの短絡を防止するREDEPブレーカー ■イオンソースのアノード消失を防止する補助電極システム ■機械式シャッターが不要なバーチャルシャッターの採用による 　パーティクル削減 ■2つ中和器を一体化したのDual PBN(オプション) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE BH/BVバッチタイプスパッタリングシリーズ』は、基板への パーティクルの着膜が極めて少ない垂直搬送方式とメンテナンス性に優れた 水平搬送方式が選択可能であり、各カソード直下での基板高速スキャンにより インライン方式ながら膜厚の精密な制御を実現する航空宇宙工学・医療用 スパッタリングソリューションです。 また、メタル用ハイレートDCマグネトロン、酸化物用RFマグネトロン、 デュアルカソード式ACスパッタが選択可能で、かつハイエンド機能膜の 高スループット生産を可能とします。 ハイエンドバッチ装置を用いた生産用高スループット成膜を模索している エンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■基板ホルダー(パレット)のスウィングによる良好な膜厚分布 ■RF式エッチングチャンバーによるクリーニングプロセスが可能 ■DC基板バイアス(オプション)によるスパッタリングプロセスの拡張性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE ニュースパッタリングシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、金属ナノ粒子、ナノワイヤー、 ナノシートなどのナノマテリアル用メタル膜・誘電体膜の最大800℃までの 高温成膜が可能な小型スパッタリング装置です。 また手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよびPCによる 完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを実現した スパッタリング装置。 ナノマテリアル用薄膜成膜において高い基板加熱温度(最大加熱温度： 800℃)を求めるエンジニアの方におすすめします。 【特長】 ■ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、 　ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適 ■他社装置では困難な800℃基板加熱が可能 ■基板回転付きコスパッタが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ 　フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 　(グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。