・ポリパラキシレンは、絶縁性、バリア性、抗菌性、生体適合性に優れています。 ・プリカーサ: ポリ・パラエチレン, ポリ・クロパラエチレン, ポリ・ジクロロパラエチレン（材料も販売可能です） ・パリレンC（ポリ・パラエチレン）は生体適合性に優れており、FDA認証も取得しております。 ・成膜プロセス:コーティングは、専用の真空蒸着装置を用い、室温にて実施されます。ダイマーと呼ばれる固体の顆粒状原材料を真空下で加熱すると、気化してダイマー気体となります。 この気体が熱分解してダイマーが開裂し、モノマー形態になり、室温の蒸着チャンバ内で、このモノマー気体がすべての表面で重合し、薄く透明なポリマーフィルムが形成されます。

研究開発用ラボ機からスケールアップした量産機のご提案ができます。 粒子ALDのソリューションプロバイダーとして次の事業を行っております。 ■研究開発サービス ■受託成膜（ミリグラムからキログラムまで） ■装置販売（ラボ機から量産機まで）

・　動的（ダイナミック）成膜レート（DDR）は従来型PDVプロセスの最大10倍。 ・　高品質で機械的耐性のある薄膜製造。 ・　PECVDコーティングとして業界で最大級の基板幅である4メートルまで拡張できることを実証。 ・　広範囲PECVD成膜アプリケーションのための高度な均一性コントロール。 ・　従来式の資源消費型の湿式プロセスにかわる、環境上持続可能な乾式プロセス。 ・　安価な消耗品（PVDの10分の1程度）と必要保守作業がわずかであるために、総所有コストが非常に低い。 ・　屈折率、光学的透明度、膜ストレス、密着性、柔軟性、硬度、密度といったフィルム物性を正確にコントロール 　　可能ためのプリカーサー、混合物、ガス供給比、プラズマ出力の操作が容易。 ・　様々な形状、材質のサブストレートに成膜可能。 ・　プラズマ形状を最適化するためのマグネットを追加することも可能。 ・　密着性を向上させるために(プリカーサ無しでの)プラズマによる成膜後トリートメント処理。

【特徴】 ○フレキシブルなウェットプロセス装置を提案 ○エンドユーザー、大手装置メーカー等に1,000台以上の納入 →半導体向け手動、半自動、完全自動ウェットエッチング装置など ○薄膜太陽電池メーカーへの装置納入実績もあり ○
基板サイズ、スループット、使用ケミカルに応じて、 　手動バッチR&D装置から完全自動化生産装置までの提案が可能 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○加速されたイオンを製品表面内に注入させることによって表面を改質する方法 ○メタル・セラミック・ポリマーなどの表面特性を向上 ○韓国原子力研究所より技術ライセンス ○基本仕様 →イオンビームエネルギー：～300KeV →イオンビーム電流： 5～50 mA →イオンビーム照射面積：400mm×400mm ○処理効果 →機械的な特性向上：耐摩耗性の向上・耐疲労性の向上・摩擦力の減少 →電気/光学的な特性の向上：電気伝導性・紫外線の遮断 →化学的な特性の向上：親水/疎水性・耐酸化性・耐腐食性・非晶質化 ○適用分野 →半導体製造(ドーピング)、静電気防止、電磁波遮蔽、耐久性、耐摩耗性、 　宝石発色、親水・疏水性処理など ○応用装置 →大面積イオン照射機 →イオンビームスパッタリングシステム →ハイカレントイオンインプランター ○アプリケーション →ヘアクリッパー・ブラックダイヤモンド・サンバイザー・ICトレイ ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○DTF-FLAウルトラショートタイムアニーリング用デザインのスタンドアローン装置 ○半導体材料、その他材料に対して数ミリ秒～数百ミリ秒の超短時間アニーリングが可能 ○コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適 ○非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、 　超高速昇温レートで表面のみ加熱 ○フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用 ○CIS、CIGS等のソーラーセル（フレキシブル、ガラス基板等）の 　ヘテロエピレーヤーの膜質向上　　 ○ITO等の透明導電性酸化膜の改質（フレキシブル、ガラス基板等） ○a-Si、Poly Siの結晶性の向上 ○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理 ○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成 ○ローカルメルティング-再結晶化／FLASiC(SiC on Si) ○ドーパントの活性化（SiC/GaAs） ウルトラシャロージャンクション（Si） ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○CMPプロセスで使用 ○表面がダイアモンドで覆われた独特の構造のパッドコンディショナー ○ダイアモンド砥粒をシリコン基板やセラミック基板にCVDコーティングした構造 ○ダイアモンド砥粒と基板の分子レベルでの強固な化学的結合を達成 ○耐スラリー性も強く、スラリーによる化学的な侵食もなし ○ダイアモンドの欠落、粉砕が一切なし ○ダイアモンド砥粒、密度の制御も可能 ●詳しくはお問い合わせ下さい。

【主な特長】 コンパクト設計により省スペース化を実現 RF/DC電源が可能 優れた膜厚均一性 タッチパネル(PLC)による簡単操作 大学の研究室や民間の研究開発に最適