クオルテックの製品・サービス一覧

当社では、使用環境における振動と温度及び湿度に供試品が耐えうるか どうかを確認する『振動試験（複合タイプ）』を行っております。 正弦波振動試験、ランダム振動試験、衝撃試験に対応可能。最大試験周波数 範囲は5～3kHzで「振動＋温度＋湿度」の複合環境ストレスを印加できます。 また、試験前後の状態変化を確認するための、断面研磨・観察・分析や 強度試験・剥離試験・硬さ試験等の各種評価も対応いたします。 【特長】 ■正弦波振動試験、ランダム振動試験、衝撃試験に対応可能 ■広い最大試験周波数範囲（5～3kHz） ■水平加振可能 ■水平テーブルでも対応可能 ■断面研磨・観察・分析や強度試験・剥離試験・硬さ試験等の 　各種評価の対応が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できるため試験期間の短縮を図れる ■Si、SiC、GaNの材料に対応 ■豊富なチップ温度の測定技術を保有 　（Vf・Vce・Vdsの温度特性より算出、熱電対の使用など） ■パワーモジュールの熱抵抗測定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「パワーサイクル試験」は、大電流の通電による発熱と、強制冷却を 繰り返すことで、IGBT等パワー半導体に熱ストレスを与える試験です。 恒温槽を使用することで、さらに強制的な冷却が行えるため、より強い 付加を加える事が可能。試験期間の短縮や高い信頼性の確認ができます。 関連リンクでは、試験条件事例や、空冷パワーサイクル Tj温度制御事例 について画像付きでご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【パワーサイクル試験原理】 ■試験期間の短縮や高い信頼性の確認ができる ■試験品のチップ温度をリアルタイムで測定しながら試験を行う ■任意の温度を設定して印加ON/OFFができる ■時間での設定や両者の組合せも可能 ■恒温槽を使用することで、さらに強制的な冷却が行えるため、 　より強い付加を加える事が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、一般的なパワーサイクル試験（及び連続通電試験）に加え、パルス状の 試験電流をサンプルへ印加させる『パルス通電パワーサイクル試験』も 実施しています。 応用例として、「IGBT/FWD 交互通電試験」では、パルス通電のノウハウを 駆使し、IGBTとFWDを交互に通電させることで、より実動作に近い環境を 擬似的に構築しました。 その他メリットとしてIGBTとFWDのタイムシェアリングによる効率的な評価が 可能です。 ご不明な点やご相談につきましては、お気軽にご連絡ください。 【試験実績】 ■オン中の周波数：～1KHz（Duty：～80％） ■通電電流：～400A ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、繰り返しの試験力や変位を与え、製品の疲労寿命や耐久性を 評価する『疲労試験』を行っております。 電磁力式アクチュエータにより高精度な試験力・変位のコントロールが 可能で、電子部品など微小サンプルの信頼性評価に威力を発揮。 引張・圧縮の繰り返し応力を与えますが、治具の作製により曲げ疲労試験 にも対応します。ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■材料は繰返し応力を受けると静的な引張強さや降伏応力よりも 　小さい力で破壊に至る ■繰り返しの試験力や変位を与え、製品の疲労寿命や耐久性を評価 ■治具の作製により曲げ疲労試験にも対応する ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XPS・AES複合機』は、SEM/EDS分析では難しかった試料最表面数ナノメートルの 厚み領域における元素分析・化学状態分析が可能な製品です。 試料最表面の分析が可能（情報深さ0.5～6nm）。XPSは有機・無機の 表面分析/化学状態分析（X線）を行います。 AESで行う無機の微小部（<100nm）元素分析では、実際の分析時と同じX線で 励起された光電子像を用いるため、正確な分析位置の特定・確認を短時間で 行なうことができます。 【特長】 ■SEM/EDS分析では難しかった試料最表面数ナノメートルの厚み領域における 　元素分析・化学状態分析が可能 ■試料最表面の分析が可能（情報深さ0.5～6nm） ■XPS：有機・無機の表面分析/化学状態分析（X線） ■AES：無機の微小部（<100nm）元素分析（電子線） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）を用いた、故障解析事例をご紹介します。 今回はシステムレベルの規格として広く用いられるIEC61000-4-2に倣って、 人体からの放電を模擬したESD破壊の再現実験を行いました。 チップ表面の観察後に、ロックイン発熱解析を行い、微小な故障箇所を特定。 プラズマFIB装置を用いて断面を観察した結果、表面のクレーターから、 トレンチゲート及びその直下のコレクタ領域まで広く破壊されている様子が 確認されました。 【故障解析　手順】 ■初動調査（外観観察、電気的特性測定） ■非破壊検査（X線観察、超音波顕微鏡など） ■故障箇所特定（ロックイン発熱解析、IR-OBIRCHなど） ■物理解析（断面研磨、SEMなど） ■詳細解析（FIB、FE-SEM／EDS、STEMなど） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

非破壊解析技術である「C-SAM（2D～3D）」についてご紹介いたします。 超音波顕微鏡では、主にA-Scanデータを基にして、外観上では確認できない 内部領域の空隙やクラック等の有無を評価しています。 検出データを選択的に用いて画像化できるため、対象の界面情報のみを抽出 できる点がメリット。取得した異物質界面での反射波（A-Scanデータ）を 時間分離することで任意界面の空隙やクラック有無など状態確認が可能です。 2次元像（C-Scan）が標準的ですが、より視覚的・立体的に状態を捉える ために3次元化を目指しています。 「3D C-SAM」は波形データを再構成、3D画像化することで異常部位等を 立体的に捉えることが可能で、材質要因等でX線での評価が困難な場合でも 超音波を用いて評価できる可能性があります。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

必要な解像度はそのままに、従来のEBSDと比較して約20倍のスピードでEBSD分析が可能です。 特急案件にも対応可能ですので、お待たせすることなくイメージマップのご提供が可能となります。 性能は、対称性が低いサンプル、マルチフェーズ、変形構造を含む幅広い範囲の材料にまで及びます。 材料分析に必要なデータ品質で、実サンプルにおいても高速のデータ収集ができます。

IC等におけるワイヤーボンディング部の接合状態を正しく評価するためには、 接合面での金属間化合物の生成状態を観察する必要があります。 金属間化合物の面積が大きければ、接合面がそれだけ広い事になり、 ボンディングOKと評価できます。 一般的な断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、 評価の裏付けとしては弱さの残るものでした。 クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチング する事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。 金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました。 【特長】 ■ワイヤーボンディング部の接合面を断面ではなく平面から観察 ■金属間化合物の生成状態を明確かつ定量的に評価することが可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『塩水噴霧試験』は、大気腐食を対象にした腐食試験法の一つで、 塩化ナトリウム水溶液を噴霧した雰囲気に試験片をさらして行う試験です。 試験対象は金属材料またはめっきや塗装膜等の表面処理品で、 腐食・錆・変色・剥離・膨れ等の発生を調査。 噴霧液の補給タンクはpH変動を抑止した設計構造になっています。また、 ISO・JIS・JASO等、各種規格に適合した噴霧塔方式を採用しており、 噴霧分布の均一性に優れています。 【試験項目と対応条件例】 ■塩水噴霧試験：35℃、50℃ ■乾燥試験：R.T.+10℃～70℃ ■湿潤試験：R.T.+10℃～50℃、60～95％RH ■外気導入：約外気温度/温湿度制御無 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

自動車、建設機械、農業機械は、自動化運転が進化するに連れて、 性能が目覚ましく進化しています。 それに伴い搭載されるECU、センサー、車載ソフトウエアは相当増えており これによりECUテストの工数は増え続けます。 当社では、これらの負担を軽減するためにECUテストの工数削減をご提案。 作業時間を大幅に短縮し、お客様の負荷を軽減することができます。 【評価対象】 ■BCM、メーター、空調コントローラほか、ドアミラー、パワーシート、 　サンルーフ、ドアロック、エアコン、照明 など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「電子部品の急速温度サイクル試験」は、外部環境および 自己発熱による温度が繰り返し変化する状況を想定し、 熱ストレスを与えて耐性を確認する試験です。 冷熱衝撃装置は、試料へ均一な温度ストレスを与える2ゾーン方式で、 MIL-STD-883、JIS C 60068-2-14などの規格試験に対応。 急速温度変化チャンバーは、試験要求が厳しくなる車載用部品の 環境試験にマッチした恒温恒湿器です。 【冷熱衝撃装置の仕様(一部)】 ■設定温度への到達が早く、試験時間を短縮 ■試料の温度復帰を15分以内で実現 ■型式：TSD-101-W ■メーカー：エスペック株式会社 ■テストエリア内容量：100l ■テストエリア耐荷重：30kg ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社のプラズマFIBはFE-SEMを搭載しており、FIB加工しながら FE-SEM観察が可能です。 断面加工は垂直に行い、FE-SEM観察は52°傾斜させた状態での 撮影となります。 ご希望により、測長・画像の傾斜補正も可能ですので、ご用命の際は お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1時間以内でSiCの断面加工が可能 ■ソース・ゲートがある構造物まで加工・観察・分析が可能 ■100μm以上でも加工可能 ■50μm以上の深い箇所のEDS分析が可能に ■FE-SEMを搭載しており、FIB加工しながらFE-SEM観察が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

CTとはComputed Tomographyの省略で、コンピュータ断面撮影法と呼ばれており 物体を走査(scan)することから「X線CTスキャン」と呼ばれています。 特長としては、物体をさまざまな方向からX線で撮影し、再構成処理を 行うことにより、物体の内部構造を得ることが可能。 異なる材料で構成された物質の場合だけでなく、同じ物質であっても 密度の違いよりその差を計測することができます。 【特長】 ■サンプルを回転させ、X線を全方位から照射 ■サンプルを通過する際、X線エネルギーが対象に一部吸収されて減衰した後、 　線源の反対側に位置するX線検出装置に到達し記録される ■それぞれの方向でどの程度吸収されたかを記録 ■コンピュータで画像をフーリエ変換して再構成することで、3D画像化して検査 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

自動車の電装化が進むにつれ、部品の採用車種や一台当たりの搭載部品点数が 飛躍的に増大し、開発段階においては、試作品の評価工数の短縮が、ますます 要求されています。 試作品の製造品質確認や信頼性評価は、破壊解析によるものが主流でしたが、 工数もかかるうえに、問題が無かったとしても、一度破壊してしまった試作品や 市場不良・工程不良品を元に戻す事は出来ません。 そこで、非破壊のままでも多くの有益なデータを得たい、直接目視できない モジュール内部の出来栄えを確認したい、信頼性試験による劣化調査を行いたい、 といった要望が高まっています。 ”クオルテック　名古屋品質技術センター”では、高い透過力と解像度を併せ持つ X線CT「FF35」を導入。より良い観察の提案が可能です。 【特長】 ■内部構図を立体的に把握でき、任意箇所の断面画像を得られる ■二つのX線管を併せ持つCTシステム ■150nmまでの微細構造を認識できる高解像度観察が可能 ■積層物のCTに適したヘリカルスキャン機能も搭載 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社クオルテックでは、複合材の特殊加工(フライス加工)を 承っております。 複合材は単一材よりも加工が複雑になるため、 各種ご要望に合わせた加工対応をさせていただきます。 ご用命の際は、当社までお気軽にご相談ください。 【設備紹介】 ■小型卓上フライス盤 ・機種：PROSPEC PSF385-VD ・保有台数：1台 ・外形寸法(W×D×H)：458×420×590～755 ・テーブルサイズ：385mm×90mm ・特長：強力350Wモーターと無段変速制御基盤搭載が フレシキブルな作業が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ELITE』は、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する発熱解析が可能な装置です。 最大約20cm角の広角カメラにより、大きな基板等のサンプルでも 解析可能。 また基板解析の経験は豊富にございますので、その経験を基に不良箇所の 特定や、断面解析による原因特定にも対応します。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■一般的なマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「冷間CP(クロスセクションポリッシャ)技術」についてご紹介します。 一般のCP加工機と同じく、試料を応力無しに断面研磨できることはもちろん ですが、試料を冷却しながらの加工や、完結式ビーム照射による加工により、 通常CPで発生する熱負荷を押さえることができ、熱に非常に弱い物質や熱変成 が考えられる食品などの断面試料作成が可能。 また、導入したCP機は照射間欠機能を備え、通常加工＋間欠、冷却加工＋間欠 など、試料に好適な加工方法を選ぶことができます。 【対象材料・材質(一部)】 ■微細な組織構造を持つ高分子材料(ゴムなど) ■熱による変形の恐れがある材料(樹脂など) ■熱変成の恐れのある材料(タンパク質、酵素など) ■非常に薄いメッキ膜、塗膜など ■加工中の熱により変形し易い低融点金属(ハンダ等) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱う、「熱間埋め込み加圧処理」についてご紹介します。 高温と圧力を加えることで、密着性の高い試料作成が可能。 金属部品などの評価サンプル作製では、短時間(約30分ほど) で試料を作製します。 【特長】 ■2つのシリンダーを同時に使用する事ができる ■大量の試料を埋め込むことが可能 ■材料組織検査で扱われるすべての熱間埋め込み試料に好適 ■短納期での対応も可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

時下ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。 平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。 当社は、2023年7月28日、東京証券取引所グロース市場(証券コード：9165) に上場いたしました。 ここに謹んでご報告申し上げますとともに、これまで当社を支えて頂いた お客様、お取引先様、株主様をはじめとする皆様のご支援の賜物と心より 御礼申し上げます。 当社は、工場の品質改善、技術指導からその業務をスタートしました。 現在は、分析、信頼性試験、試料作製、再現実験、共同研究にいたる まで、「トータル・クオリティ・ソリューション」を提供しています。 化学、物理学、金属工学、電気工学、電磁気学といった学術領域を 修めたスペシャリストと、めっき、実装、電子回路、EMC、バイオなどの 固有技術を持ったプロフェッショナルが揃っています。 それらを結集し、お客様が直面している不良や故障の真因を追究し、 製品の安全・環境・快適性を向上させる改善提案をしてまいります。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱う、「電源回路 負サージ試験」についてご紹介します。 自動車に使用される電子機器の負サージ耐量を評価する試験です。 火花サージを想定した方形波（フィールドディケイ）波形と、 バーストフィールドディケイ波形の出力が可能。 日本規格のJASO、国際規格のISO、メーカーの独自規格が存在し、 サージの発生方法も規格によって異なります。 【特長】 それぞれの規格に合わせたサージ発生回路を構築し、試験を実施致します。 ■CR系サージシミュレーション（旧JASO、メーカー独自規格） ■LR系サージシミュレーション（ISO） ■アンプ方式シミュレーション（ISO、メーカー規格） ■対応規格例：ISO規格、旧JASO規格、各自動車メーカー独自規格 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、急変時に発生する正サージへの耐性を評価する試験を実施します。 オルタネータがバッテリを充電している状態で、接続不良や バッテリ端子外れを起こした場合、充電中の負荷が急変します。 持続時間の比較的長い試験もあるため、電子回路には十分な耐圧が 必要となります。準拠すべき規格としては、日本規格JASO、 国際規格ISO、自動車メーカーの独自規格があります。 また、サージ発生方法も各規格で異なります。 【規格】 ■CR系サージシミュレーション（旧JASO、メーカー独自規格） ■LR系サージシミュレーション（ISO） ■アンプ方式シミュレーション（ISO、メーカー規格） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アバランシェ破壊の実験環境を社内で構築し、再現実験を行った 事例をご紹介いたします。 ボンディングワイヤの間に形成されたクレーターに注目し、 断面観察と元素マッピングを行いました。 その結果、内部に空洞が形成され、Al電極、はんだを溶かした 様子が確認できました。 【事例概要】 ■再現実験サンプル ・RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT） ■非破壊解析 ・X線観察、超音波探傷 ■詳細解析 ・断面研磨、FE-SEM、EDS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クオルテックではパワーサイクル試験に対する多くのノウハウを 保有しており、より正確なデータをスピーディーにお客様に 提供する事により、お客様の故障解析のお手伝いをいたします。 試験前後でのLAP評価(電気特性確認、超音波解析、X線解析)、 試験後の断面解析等、トータルでサポート。 試験機をカスタマイズする事により、既存の試験機では対応できない きめ細かなご要望にも対応します。 【こんなお悩みに】 ■異なるTj(ΔTj)で同時に試験がしたい ■異なる印加電流で同時に試験したい ■一度に多くのサンプルを試験したい ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体チップ温度Tj測定法の種類と特長について説明します。 パワーサイクル試験は、デバイスへの通電電流による発熱により Tj(半導体チップ温度)が一定の温度変化を繰り返した際の 熱ストレスに対し、その耐久性を確認する試験。 試験では、半導体チップの温度(Tj)を測定する必要があります。Tjの測定は、 PN接合に電流を流したときの電圧が温度によって変化する特性を利用します。 【Tj(チップ温度)測定法の種類(抜粋)】 ■Vf法1：内蔵ダイオード、ボディダイオード ■Vf法2：感温ダイオード ■Vth法：IGBT、MOSFET ■Vds法1：IGBT ■Vds法2：IGBT、MOSFET、ダイオード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

オスミウムコータ(導電被膜形成)設備の紹介とその観察例について 解説いたします。 試料表面の導電被膜形成処理として、金属オスミウム(Os)の 極薄膜コーティングを行います。 また、試料表面に膜由来の形状が現れず、表面形状観察やEBSD測定への 前処理に用いることが可能です。 【特長】 ■チャージアップのない極薄膜の形成 ■再現性の高い膜厚制御 ■粒状性のない膜 ■熱ダメージのない成膜 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

製品の品質を左右する要因である「ほこり」を除去することで、 加工環境の清浄度をアップしました。 ブース上部に取り付けた高性能フィルタにより、 清浄化された空気を充填。清浄度はクラス1,000で管理しています。 またクリーンブース内の紫外線遮断をするために、 UVカット帯電防止カーテン・窓フィルムで囲い、 UVカット蛍光灯を導入しております。 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行う、X線透過観察(不良箇所の早期発見)をご紹介いたします。 当社で使用しているX線顕微鏡は、重さ5kg、460mm×410mmまでの 試料の観察が可能。 大きなサイズのプリント基板も一度に検査する事が出来ます。 また、X線検出器を傾斜でき、焦点寸法が微小なため多層パッケージ基板 内で重なり合い、上面からは見づらいボンディングワイヤーの状態を、 一本一本はっきりと観察できます。 【特長】 ■BGAの接合面の状態、ボイドの有無、配線パターンの確認も可能 ■数多くの故障事例を見てきた分析担当者が観察を担当 ■好適な条件を設定し、これまで見る事の出来なかった箇所の観察、 よりクリアな写真を提供 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、試料中の目的成分を薬液で抽出し、その薬液を分析することで 試料中の目的成分の分析(定性・定量)をします。 濃度を変えた既知試料を測定し、その検出強度と濃度から検量線を 作成して、未知試料の濃度測定が可能となります。 オートサンプラを用いるため、分析試料量の再現性が高く、 定量分析時の精度が良いです。 【特長】 ■常温粉砕：プラスチック材料の粉砕など ■凍結粉砕：ゴム系材料の粉砕など ■超音波抽出：粉砕後の試料からの抽出 ■遠心分離：～12000rpmまで対応 ■溶剤抽出：水系、有機溶剤系など ■固相抽出：C18系、陽・陰イオン系など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行っている「非破壊解析技術 3D-CSAM」についてご紹介いたします。 周波数分解機能および3D-CSAM機能により、現象を把握し、解析精度を向上。 超音波による解析は、広めにゲート範囲を設定して、波形および平面画像を取得。 また、深さ情報可視化と3D化として、全点波形取り込みデータから3D画像を 作成し従来の時間軸映像では検出しにくい部位を立体映像構築します。 【特長】 ■周波数分解機能および3D-CSAM機能により、現象を把握し、解析精度を向上 ■広めにゲート範囲を設定して、波形および平面画像を取得 ■深さ情報可視化と3D化 ■周波数軸解析　高さ情報の精度アップ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、試料に生じる「反り」や「うねり」の様子を分析し、評価する 体制を、愛知県豊明市の"名古屋品質技術センター"と、大阪本社に整えました。 -60〜350℃の温度下において、μmスケールでの反り計測が可能な 「TDM COMPACT3」、常温で試料全体をスキャンし、3D画像として 表示する「VR-5000」を用いています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【TDM COMPACT3 仕様(一部)】 ■計測方式：プロジェクション・モアレ式 ■最大サンプルサイズ：515mm×370mm×115mm ■測定精度：±1.5μmもしくは測定値の2％(どちらか大きい方) ■反り(Z)分解能：1μm ■空間分解能(X,Y)：5～150μm(測定視野による) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面～数nmの深さ)の 元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等 さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析(定性・定量)：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、「アルミ電解コンデンサ充放電、リップル試験」を 行っております。 アルミニウム電解コンデンサは、充放電の繰り返しにより特性の劣化が 加速。劣化速度はメーカーによって大きく異なり、カタログからでは 解らない事があります。 また、使用環境によっても左右され、例えば、充放電電圧が高く、 放電抵抗が小さいほど条件は厳しく、充放電サイクルが短く、周囲温度が 高いほど劣化は加速します。 【特長】 ■充放電の繰り返しにより特性の劣化が加速 ■劣化速度はメーカーによって大きく異なる ■使用環境によっても左右される ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「ドライ断面加工」は、断面試料作製において、機械研磨は広範囲を 観察・分析する有効な手法です。 しかしながら、樹脂に埋めて、水を使用しながらの研磨になります。 水分を嫌う試料は、断面作製が困難でした。 断面イオンミリング装置を用いることで、樹脂に埋めず、水を使用しない 断面試料の作製が可能です。 【特長】 ■厚みのある試料はハサミなどで切断し、断面ミリングで仕上げ加工を 　行うことで、歪みのない断面構造を観察・分析が可能 ■厚みのない試料は、銅板に挟むことで強度を保ち、乾式研磨で 　粗研磨を行い、断面ミリングで仕上げ加工を行うことで、 　歪みがなく断面構造を観察・分析が可能 ■熱に弱い試料は、冷却断面ミリングを用いることで、断面試料作製が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、薬液条件の改善と共に、レーザ開封設備も併用することで薬品の 浸漬時間を短縮し、ワイヤへのダメージ低減ができる開封を実現しています。 ワイヤダメージが少ない、あるいは、ほぼ無い状態で開封することができます ので、故障解析における故障個所の観察や良品解析におけるワイヤの接合試験 の評価を行うことが可能。 また、レーザ開封設備に関しては薬液ダメージ低減だけでなく、高い加工位置 精度を有しておりますので、微小ICの高精度加工も可能となっています。 【Auワイヤ・パッケージの薬液開封】 1.サンプル前準備 2.薬液準備 3.薬品浸漬 4.洗浄 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行う『アバランシェ試験/連続アバランシェ試験』をご紹介いたします。 Tj(接合温度)をリアルタイムに測定しながら、エンジンルームなど 実使用に近い環境下で挙動を確認可能。 また、独自開発した水冷制御システムを用いて、試験中に発生する熱を 冷却しながら、連続で試験を行うことにより、アバランシェ耐性を 確認する事も可能です。 【特長】 ■シングルパルス、ダブルパルス、連続パルスなど、多彩なパルス出力が可能 　繰り替えし回数：1億回以上 ■複数デバイスを異なる条件で、連続パルスアバランシェ同時試験が可能 ■リアルタイム温度測定(モニターダイオード、FRD、FWD)が可能 ■電圧、温度、電流をモニター可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

温度サイクル試験は、外部環境及び自己発熱による温度が繰り返し変化する 状況を想定し、熱ストレスを与えて耐性を確認する試験です。 「急速温度変化チャンバー(ESPEC製 HRS-306M)」では、温度勾配が 10℃/1minとなっており、試料の温度を制御しながら、周囲の温度も 急速に変化させることが目的。 液槽、気槽式の冷熱衝撃試験機と違い試験品に過剰なストレスを与えず、 より現実的な環境下での温度サイクル試験が可能となります。 【試験装置仕様】 ■型番：HRS-306M ■メーカー：ESPEC ■温度範囲：-40℃～＋180℃ ■湿度：20～98％rh ■槽内サイズ：W600×H800×D600 ■温度変化速度：10℃/1min ■内容量：306L ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行っている「STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法」について ご紹介いたします。 原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来、 明視野観察で構造情報を、暗視野像やHAADF像観察で物質の密度・ 元素情報を得ることが可能。 また、物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 観測することが出来ます。 【特長】 ■原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来る ■物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 　観測することが出来る ■高面分解能画像観察により結晶欠陥を直接観察することも可能 ■極微小領域での元素・組成情報を得ることが出来る ■SEM-EDS法では検出できない微小領域や微量の分析が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「短絡耐量試験」は、負荷短絡の状態でデバイスをオン状態にし、 破壊に至るまでの時間Tscを測定する試験です。 破壊の過程で、パッケージが大音響で破裂する場合もあり、 危険を伴います。 パワー半導体を使った機器を設計する場合に負荷短絡状態になっても デバイスが破壊することが無い様に、保護回路を設ける必要があり、 Tscより十分短い時間で、保護回路が動作するように設計します。 【試験の全景】 ■デバイスは破裂してパッケージが飛び散る場合があるため、 　厚さ10mmのアクリルケース内で試験を実施 ■大電流を供給する大容量のコンデンサとDUTは低インピーダンスで接続する 　必要があり、特殊構造によりこれを実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、二年間でおよそ100種類以上のパワーサイクル試験を受託しており、 この間に蓄積されたノウハウを活かしたパワーサイクル試験装置を 開発、製造、販売することになりました。 近年、HEVなどの車載用を中心に産業用機器や発電装置など、パワー半導体が 幅広い分野で使用されるようになり、開発競争も激しくなっています。 その市場背景を反映し、安価で高性能なパワーサイクル試験装置のご要望を 頂くようになりました。 【特長】 ■デバイスの破壊の前兆を検知し、破壊に至る前に試験を停止させることが可能 　その結果、破壊初期のサンプルを確保することが可能 ■要望に応じた制御方法や試験条件にカスタマイズ ■タイムシェアリング方式による複数個のDUTの同時試験が可能 ■パワーサイクル試験規格(ED4701/600)の試験が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、プリント基板の各種評価を行っております。 パッドの濡れ性などを評価する「はんだ付けパッド評価」をはじめ、 「スルーホール評価」、「レジスト評価」、「導体接着強度評価」を実施。 また、高温および低温のシリコンオイルを使用したサイクル熱衝撃試験の 「ホットオイル試験」も行っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【製品評価】 ■はんだ付けパッド評価 ■スルーホール評価 ■レジスト評価 ■導体接着強度評価 ■ホットオイル試験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行った「無電解NiAuランドでのはんだぬれ性不良」の再現実験を ご紹介いたします。 予想された不良原因は、ランド表面処理の違いで、銅張りガラエポ板に 各種表面処理を施しはんだ広がり性調査を実施。 結果として、NiAuの処理方法により、はんだ広がり性が異なることを確認。 同時にその外処理方法を調査したことでHASLでのはんだ広がり性が 極端に良いことが確認できました。 【概要】 ■予想された不良原因：ランド表面処理の違い ■不良再現実験：銅張りガラエポ板に各種表面処理を施しはんだ広がり性調査 ■結果 ・NiAuの処理方法により、はんだ広がり性が異なることを確認 ・HASL(ホットエアーソルダーレベラー)でのはんだ広がり性が 　極端に良いことが確認できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で行った「はんだ溶融性不良」の再現実験をご紹介いたします。 予想された不良原因はリフロー条件の不適で、リフロー時の プリヒート時間を変更し、はんだ溶融性を確認。 その結果、プリヒート時間の短縮により溶融性を改善できますが、 BGAでのボイドが増加。ボイドも割合が少なくはんだ溶融性が良好な プリヒート時間3minを提案しました。 【概要】 ■予想された不良原因：リフロー条件の不適(不良) ■不良再現実験：リフロー時のプリヒート時間を変更し、はんだ溶融性確認 ■結果 ・プリヒート時間の短縮により溶融性改善できるが、BGAでのボイド増加 ・ボイドも割合少なくはんだ溶融性が良好なプリヒート時間3minを提案 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。