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株式会社クオルテック

設立平成5年1月18日
資本金39210万
従業員数257名
住所大阪府堺市堺区三宝町4丁230番地
電話072-226-7175
  • 特設サイト
  • 公式サイト
最終更新日:2025/06/04
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株式会社クオルテック 株式上場のご挨拶

2023年7月28日、東京証券取引所グロース市場(証券コード:9165)に上場いたしました

時下ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。 平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。 当社は、2023年7月28日、東京証券取引所グロース市場(証券コード:9165) に上場いたしました。 ここに謹んでご報告申し上げますとともに、これまで当社を支えて頂いた お客様、お取引先様、株主様をはじめとする皆様のご支援の賜物と心より 御礼申し上げます。 当社は、工場の品質改善、技術指導からその業務をスタートしました。 現在は、分析、信頼性試験、試料作製、再現実験、共同研究にいたる まで、「トータル・クオリティ・ソリューション」を提供しています。 化学、物理学、金属工学、電気工学、電磁気学といった学術領域を 修めたスペシャリストと、めっき、実装、電子回路、EMC、バイオなどの 固有技術を持ったプロフェッショナルが揃っています。 それらを結集し、お客様が直面している不良や故障の真因を追究し、 製品の安全・環境・快適性を向上させる改善提案をしてまいります。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他光学部品

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電源回路 負サージ試験(フィールドディケイ試験)

自動車に使用される電子機器の負サージ耐量を評価する試験です。

当社で取り扱う、「電源回路 負サージ試験」についてご紹介します。 自動車に使用される電子機器の負サージ耐量を評価する試験です。 火花サージを想定した方形波(フィールドディケイ)波形と、 バーストフィールドディケイ波形の出力が可能。 日本規格のJASO、国際規格のISO、メーカーの独自規格が存在し、 サージの発生方法も規格によって異なります。 【特長】 それぞれの規格に合わせたサージ発生回路を構築し、試験を実施致します。 ■CR系サージシミュレーション(旧JASO、メーカー独自規格) ■LR系サージシミュレーション(ISO) ■アンプ方式シミュレーション(ISO、メーカー規格) ■対応規格例:ISO規格、旧JASO規格、各自動車メーカー独自規格 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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電源回路 正サージ試験(ロードダンプ試験)

それぞれの規格に合わせたサージ発生回路を構築し、試験を実施致します

当社では、急変時に発生する正サージへの耐性を評価する試験を実施します。 オルタネータがバッテリを充電している状態で、接続不良や バッテリ端子外れを起こした場合、充電中の負荷が急変します。 持続時間の比較的長い試験もあるため、電子回路には十分な耐圧が 必要となります。準拠すべき規格としては、日本規格JASO、 国際規格ISO、自動車メーカーの独自規格があります。 また、サージ発生方法も各規格で異なります。 【規格】 ■CR系サージシミュレーション(旧JASO、メーカー独自規格) ■LR系サージシミュレーション(ISO) ■アンプ方式シミュレーション(ISO、メーカー規格) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 試験機器・装置

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【故障解析事例】アバランシェ破壊の再現実験

内部に空洞が形成!Al電極、はんだを溶かした様子が確認できた事例をご紹介

アバランシェ破壊の実験環境を社内で構築し、再現実験を行った 事例をご紹介いたします。 ボンディングワイヤの間に形成されたクレーターに注目し、 断面観察と元素マッピングを行いました。 その結果、内部に空洞が形成され、Al電極、はんだを溶かした 様子が確認できました。 【事例概要】 ■再現実験サンプル ・RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT) ■非破壊解析 ・X線観察、超音波探傷 ■詳細解析 ・断面研磨、FE-SEM、EDS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ダイオード
  • その他解析

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TDDB(酸化膜破壊)試験

寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要

当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB:Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 半導体検査/試験装置

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難めっき素材へのめっき密着

さまざまな基材を用いて、アンテナ/フィルタ/機構部材などを提供することが可能

微細加工を行い、難めっき素材へのめっき密着を実現した事例を ご紹介いたします。 特殊材料にめっきでパターン形成することにより、高周波領域で用いられる さまざまな基材を用いて、アンテナ/フィルタ/機構部材などを 提供することが可能になります。 ガラスやアクリルなどの基材をレーザ粗化、無電解銅めっきより パターン形成。基材にレーザ加工を行った部分に入り込み、密着を 実現しました。 【基材】 ■ガラス ■アクリル ■PTFE ■PET ■液晶ポリマー ■ポリイミド 等 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • めっき装置

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12GHz帯バンドパスフィルタ試作

特性は予想以上であり、高周波特性に優れた回路形成が実現できました

当社の『12GHz帯バンドパスフィルタ試作』をご紹介いたします。 特性は予想以上であり、高周波特性に優れた回路形成が実現できました。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【設計仕様/シミュレーション結果(一部)】 ■境界条件 ・横壁:電気壁 ・上部:開放境界 ■フィルタ構造 ・半波長サイドカップル構造 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電子管

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ディスプレイ製品 トータル・クオリティ・ソリューション

パネル構造解析、EMC対策等パネルモジュールの品質、分析などをトータルサポート!

当社では、ディスプレイ製品のトータル・クオリティ・ソリューションを ご提供しております。 信頼性評価のための駆動回路、パネル特性の評価回路を設計し、 海外から調達したパネルの品質不良を解析・分析。 また、パネルモジュールからディスプレイ全般にわたって EMCコンサルティングを行なっております。 【サービス内容】 ■ディスプレイ製品の不良解析、構造解析、信頼性試験 ■EMC評価・対策 ■表示不良解析 ■信頼性試験 ■パネルの評価・解析 ■パネルの構造解析 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 液晶ディスプレイ
  • その他受託サービス
  • 受託解析

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パワーサイクル受託試験のご案内

希望の条件に沿った形で試験機をカスタマイズ!お客様が求めるデータを提供

クオルテックではパワーサイクル試験に対する多くのノウハウを 保有しており、より正確なデータをスピーディーにお客様に 提供する事により、お客様の故障解析のお手伝いをいたします。 試験前後でのLAP評価(電気特性確認、超音波解析、X線解析)、 試験後の断面解析等、トータルでサポート。 試験機をカスタマイズする事により、既存の試験機では対応できない きめ細かなご要望にも対応します。 【こんなお悩みに】 ■異なるTj(ΔTj)で同時に試験がしたい ■異なる印加電流で同時に試験したい ■一度に多くのサンプルを試験したい ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 試験機器・装置

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半導体チップ温度Tj測定法の種類と特長

試験を実施するにあたりどの方法で測定するのかを選択することが重要な要素!

半導体チップ温度Tj測定法の種類と特長について説明します。 パワーサイクル試験は、デバイスへの通電電流による発熱により Tj(半導体チップ温度)が一定の温度変化を繰り返した際の 熱ストレスに対し、その耐久性を確認する試験。 試験では、半導体チップの温度(Tj)を測定する必要があります。Tjの測定は、 PN接合に電流を流したときの電圧が温度によって変化する特性を利用します。 【Tj(チップ温度)測定法の種類(抜粋)】 ■Vf法1:内蔵ダイオード、ボディダイオード ■Vf法2:感温ダイオード ■Vth法:IGBT、MOSFET ■Vds法1:IGBT ■Vds法2:IGBT、MOSFET、ダイオード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • 半導体検査/試験装置

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オスミウムコータ(導電被膜形成)設備の紹介とその観察例

熱ダメージもなく、nm単位の膜厚を高い再現性で成膜できる!

オスミウムコータ(導電被膜形成)設備の紹介とその観察例について 解説いたします。 試料表面の導電被膜形成処理として、金属オスミウム(Os)の 極薄膜コーティングを行います。 また、試料表面に膜由来の形状が現れず、表面形状観察やEBSD測定への 前処理に用いることが可能です。 【特長】 ■チャージアップのない極薄膜の形成 ■再現性の高い膜厚制御 ■粒状性のない膜 ■熱ダメージのない成膜 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他加工機械

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レーザ加工室内にイエロークリーンブースを導入しました

より高品位の加工実現に貢献!フェムト秒グリーン・レーザの特長などをご紹介

製品の品質を左右する要因である「ほこり」を除去することで、 加工環境の清浄度をアップしました。 ブース上部に取り付けた高性能フィルタにより、 清浄化された空気を充填。清浄度はクラス1,000で管理しています。 またクリーンブース内の紫外線遮断をするために、 UVカット帯電防止カーテン・窓フィルムで囲い、 UVカット蛍光灯を導入しております。 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • クリーンブース

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X線透過観察(不良箇所の早期発見)

不良箇所を推測しながら的を絞って観察!素早く結果を報告し課題の早期解決に貢献

当社で行う、X線透過観察(不良箇所の早期発見)をご紹介いたします。 当社で使用しているX線顕微鏡は、重さ5kg、460mm×410mmまでの 試料の観察が可能。 大きなサイズのプリント基板も一度に検査する事が出来ます。 また、X線検出器を傾斜でき、焦点寸法が微小なため多層パッケージ基板 内で重なり合い、上面からは見づらいボンディングワイヤーの状態を、 一本一本はっきりと観察できます。 【特長】 ■BGAの接合面の状態、ボイドの有無、配線パターンの確認も可能 ■数多くの故障事例を見てきた分析担当者が観察を担当 ■好適な条件を設定し、これまで見る事の出来なかった箇所の観察、 よりクリアな写真を提供 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • X線検査装置
  • 受託検査

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ガスクロマトグラフ質量分析計 前処理を用いた定性分析、定量分析

材料に併せてカスタマイズ!様々な前処理を併用することで、幅広く分析可能

当社では、試料中の目的成分を薬液で抽出し、その薬液を分析することで 試料中の目的成分の分析(定性・定量)をします。 濃度を変えた既知試料を測定し、その検出強度と濃度から検量線を 作成して、未知試料の濃度測定が可能となります。 オートサンプラを用いるため、分析試料量の再現性が高く、 定量分析時の精度が良いです。 【特長】 ■常温粉砕:プラスチック材料の粉砕など ■凍結粉砕:ゴム系材料の粉砕など ■超音波抽出:粉砕後の試料からの抽出 ■遠心分離:~12000rpmまで対応 ■溶剤抽出:水系、有機溶剤系など ■固相抽出:C18系、陽・陰イオン系など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 分析機器・装置
  • その他受託サービス

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非破壊解析技術 3D-CSAM

現象を把握し、解析精度を向上!高さ情報を確認し不具合箇所の詳細を確認

当社で行っている「非破壊解析技術 3D-CSAM」についてご紹介いたします。 周波数分解機能および3D-CSAM機能により、現象を把握し、解析精度を向上。 超音波による解析は、広めにゲート範囲を設定して、波形および平面画像を取得。 また、深さ情報可視化と3D化として、全点波形取り込みデータから3D画像を 作成し従来の時間軸映像では検出しにくい部位を立体映像構築します。 【特長】 ■周波数分解機能および3D-CSAM機能により、現象を把握し、解析精度を向上 ■広めにゲート範囲を設定して、波形および平面画像を取得 ■深さ情報可視化と3D化 ■周波数軸解析 高さ情報の精度アップ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託解析
  • 解析サービス

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フェムト秒グリーン・レーザ加工機のご紹介

ナノ秒レーザとは異なり、パルス幅が電子-フォノン結合時間(数ピコ秒)よりも短い!

フェムト秒グリーン・レーザ加工機をご紹介します。 エネルギーが被加工物内部へ熱拡散する前に融点を超える温度に加熱され 蒸発が起こる為、レーザ光照射部はアブレーションが起こり除去。 (被加工物への熱伝導による損失過程を無視できます) そのためフェムト秒レーザでの加工は非熱的加工となり、被加工物に対して 熱影響の少ない(無い)加工が可能となります。 【特長】 ■パルス幅が電子-フォノン結合時間(数ピコ秒)よりも短い ■レーザ光照射部はアブレーションが起こり除去 ■加工物に対して熱影響の少ない(無い)加工が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他加工機械

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試料に生じる反りやうねり、粗さの分析および測定

試料全体の変化を観察する技術や知見を集積!安全に駆動することが求められます

当社では、試料に生じる「反り」や「うねり」の様子を分析し、評価する 体制を、愛知県豊明市の"名古屋品質技術センター"と、大阪本社に整えました。 -60〜350℃の温度下において、μmスケールでの反り計測が可能な 「TDM COMPACT3」、常温で試料全体をスキャンし、3D画像として 表示する「VR-5000」を用いています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【TDM COMPACT3 仕様(一部)】 ■計測方式:プロジェクション・モアレ式 ■最大サンプルサイズ:515mm×370mm×115mm ■測定精度:±1.5μmもしくは測定値の2%(どちらか大きい方) ■反り(Z)分解能:1μm ■空間分解能(X,Y):5~150μm(測定視野による) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託測定

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フーリエ変換-赤外分光法(FT-IR)による有機物分析

50μm程度(目安としては肉眼で確認可能な)大きさであれば、概ねサンプリング可能!

当社では、「フーリエ変換-赤外分光法(FT-IR)による有機物分析」を 行っております。 物質に赤外光(IR)を照射すると、物質固有の官能基の分子振動により 特定の波数領域で光が吸収されます。 広帯域のIR光を連続的に試料に照射しスペクトルを得ることにより、 物質材料を特定することが可能です。測定対象物質は主に 赤外吸収を伴う有機物質と一部の無機物質となります。 【特長】 ■試料サイズは数十μmから測定可能 ■厚みはサブミクロン~10μm程度までが対象 ■透過測定及び反射測定が可能 ■反射測定時には対象物質下部が金属の必要がある ■対象物質が樹脂上に存在する際には、金属板上にサンプリングすることで測定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他受託サービス

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X線光電子分光法を用いた分析手法

絶縁物の測定が可能!セラミック・ガラス等さまざまな材料に適用できます

「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面~数nmの深さ)の 元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等 さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析(定性・定量):ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価:ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析:デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ビジネスインテリジェンス・データ分析

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アルミ電解コンデンサ充放電、リップル試験

ご要望に応じて、カスタマイズした試験を実施!実環境に応じた部品評価試験

当社では、「アルミ電解コンデンサ充放電、リップル試験」を 行っております。 アルミニウム電解コンデンサは、充放電の繰り返しにより特性の劣化が 加速。劣化速度はメーカーによって大きく異なり、カタログからでは 解らない事があります。 また、使用環境によっても左右され、例えば、充放電電圧が高く、 放電抵抗が小さいほど条件は厳しく、充放電サイクルが短く、周囲温度が 高いほど劣化は加速します。 【特長】 ■充放電の繰り返しにより特性の劣化が加速 ■劣化速度はメーカーによって大きく異なる ■使用環境によっても左右される ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託検査

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ドライ断面加工<乾式断面加工>

水を使用しない断面試料の作製が可能!「ドライ断面加工」についてご紹介

「ドライ断面加工」は、断面試料作製において、機械研磨は広範囲を 観察・分析する有効な手法です。 しかしながら、樹脂に埋めて、水を使用しながらの研磨になります。 水分を嫌う試料は、断面作製が困難でした。 断面イオンミリング装置を用いることで、樹脂に埋めず、水を使用しない 断面試料の作製が可能です。 【特長】 ■厚みのある試料はハサミなどで切断し、断面ミリングで仕上げ加工を  行うことで、歪みのない断面構造を観察・分析が可能 ■厚みのない試料は、銅板に挟むことで強度を保ち、乾式研磨で  粗研磨を行い、断面ミリングで仕上げ加工を行うことで、  歪みがなく断面構造を観察・分析が可能 ■熱に弱い試料は、冷却断面ミリングを用いることで、断面試料作製が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 加工受託

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半導体パッケージ開封技術(Cuワイヤ・Auワイヤ)

薬液ダメージ低減、高い加工位置精度!IC等のパッケージ開封サービスをご紹介

当社では、薬液条件の改善と共に、レーザ開封設備も併用することで薬品の 浸漬時間を短縮し、ワイヤへのダメージ低減ができる開封を実現しています。 ワイヤダメージが少ない、あるいは、ほぼ無い状態で開封することができます ので、故障解析における故障個所の観察や良品解析におけるワイヤの接合試験 の評価を行うことが可能。 また、レーザ開封設備に関しては薬液ダメージ低減だけでなく、高い加工位置 精度を有しておりますので、微小ICの高精度加工も可能となっています。 【Auワイヤ・パッケージの薬液開封】 1.サンプル前準備 2.薬液準備 3.薬品浸漬 4.洗浄 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • その他解析
  • 加工受託

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アバランシェ試験/連続アバランシェ試験

パワー半導体の定格限界での信頼性評価や、定格オーバー条件でパワー半導体の実力を評価!

当社で行う『アバランシェ試験/連続アバランシェ試験』をご紹介いたします。 Tj(接合温度)をリアルタイムに測定しながら、エンジンルームなど 実使用に近い環境下で挙動を確認可能。 また、独自開発した水冷制御システムを用いて、試験中に発生する熱を 冷却しながら、連続で試験を行うことにより、アバランシェ耐性を 確認する事も可能です。 【特長】 ■シングルパルス、ダブルパルス、連続パルスなど、多彩なパルス出力が可能  繰り替えし回数:1億回以上 ■複数デバイスを異なる条件で、連続パルスアバランシェ同時試験が可能 ■リアルタイム温度測定(モニターダイオード、FRD、FWD)が可能 ■電圧、温度、電流をモニター可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 半導体検査/試験装置

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温度サイクル試験(急速温度変化チャンバー)

より市場再現性の高い評価方法が求められる!温度サイクル試験をご紹介

温度サイクル試験は、外部環境及び自己発熱による温度が繰り返し変化する 状況を想定し、熱ストレスを与えて耐性を確認する試験です。 「急速温度変化チャンバー(ESPEC製 HRS-306M)」では、温度勾配が 10℃/1minとなっており、試料の温度を制御しながら、周囲の温度も 急速に変化させることが目的。 液槽、気槽式の冷熱衝撃試験機と違い試験品に過剰なストレスを与えず、 より現実的な環境下での温度サイクル試験が可能となります。 【試験装置仕様】 ■型番:HRS-306M ■メーカー:ESPEC ■温度範囲:-40℃~+180℃ ■湿度:20~98%rh ■槽内サイズ:W600×H800×D600 ■温度変化速度:10℃/1min ■内容量:306L ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 環境試験装置

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STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法

極小に絞った電子ビームを試料に照射!試料内部の原子像分布・形態などを画像化

当社で行っている「STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法」について ご紹介いたします。 原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来、 明視野観察で構造情報を、暗視野像やHAADF像観察で物質の密度・ 元素情報を得ることが可能。 また、物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 観測することが出来ます。 【特長】 ■原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来る ■物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に  観測することが出来る ■高面分解能画像観察により結晶欠陥を直接観察することも可能 ■極微小領域での元素・組成情報を得ることが出来る ■SEM-EDS法では検出できない微小領域や微量の分析が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 分析機器・装置
  • 受託解析

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短絡耐量試験の概要および特長

パワー半導体の信頼性試験における短絡状態や試験の設計、測定回路についてご紹介

「短絡耐量試験」は、負荷短絡の状態でデバイスをオン状態にし、 破壊に至るまでの時間Tscを測定する試験です。 破壊の過程で、パッケージが大音響で破裂する場合もあり、 危険を伴います。 パワー半導体を使った機器を設計する場合に負荷短絡状態になっても デバイスが破壊することが無い様に、保護回路を設ける必要があり、 Tscより十分短い時間で、保護回路が動作するように設計します。 【試験の全景】 ■デバイスは破裂してパッケージが飛び散る場合があるため、  厚さ10mmのアクリルケース内で試験を実施 ■大電流を供給する大容量のコンデンサとDUTは低インピーダンスで接続する  必要があり、特殊構造によりこれを実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託測定

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パワーサイクル試験装置の開発/製造/販売

複数個のDUTの同時試験が可能!要望に応じた制御方法や試験条件にカスタマイズ

当社では、二年間でおよそ100種類以上のパワーサイクル試験を受託しており、 この間に蓄積されたノウハウを活かしたパワーサイクル試験装置を 開発、製造、販売することになりました。 近年、HEVなどの車載用を中心に産業用機器や発電装置など、パワー半導体が 幅広い分野で使用されるようになり、開発競争も激しくなっています。 その市場背景を反映し、安価で高性能なパワーサイクル試験装置のご要望を 頂くようになりました。 【特長】 ■デバイスの破壊の前兆を検知し、破壊に至る前に試験を停止させることが可能  その結果、破壊初期のサンプルを確保することが可能 ■要望に応じた制御方法や試験条件にカスタマイズ ■タイムシェアリング方式による複数個のDUTの同時試験が可能 ■パワーサイクル試験規格(ED4701/600)の試験が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他の各種サービス

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プリント基板の各種評価

新規に採用を検討している海外調達メーカー等のプリント基板の品質評価などに!

当社では、プリント基板の各種評価を行っております。 パッドの濡れ性などを評価する「はんだ付けパッド評価」をはじめ、 「スルーホール評価」、「レジスト評価」、「導体接着強度評価」を実施。 また、高温および低温のシリコンオイルを使用したサイクル熱衝撃試験の 「ホットオイル試験」も行っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【製品評価】 ■はんだ付けパッド評価 ■スルーホール評価 ■レジスト評価 ■導体接着強度評価 ■ホットオイル試験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • プリント基板

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再現実験について

実際に発生しためっき不良などのトラブルを特定することが可能に!工程改善を実現

当社で行った再現実験についてご紹介いたします。 無電解Ni-Auめっき表面におけるBGA密着性異常により、はんだと基板間にて 剥離不良が発生し、部品落下不具合(不良)が発生しました。 表面分析や断面分析において考えられる要因を抽出し不良発生原因として 絞り込むために、めっき加工条件を設定して再現実験を実施しました。 【実験概要】 ■異常発生状況 ■現状分析 ■不良再現実験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託解析

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平滑剤種による引張物性評価

めっき皮膜物性が不十分、ピットが見られる、平滑剤種の検討などに!

当社では、「平滑剤種による引張物性評価」を行っております。 ハーリングセル(浴量3L) 含リン銅陽極、電流密度 2A/dm2、90min、 室温(約25℃)、Airバブリングといった平滑剤種を検討。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■めっき皮膜物性が不十分(引張伸びが不足) ■ピットが見られる ■平滑剤種の検討 ■界面活性剤種の検討 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託検査

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不具合現象:無電解NiAuランドでのはんだぬれ性不良

銅張りガラエポ板に各種表面処理を施しはんだ広がり性を調査!

当社で行った「無電解NiAuランドでのはんだぬれ性不良」の再現実験を ご紹介いたします。 予想された不良原因は、ランド表面処理の違いで、銅張りガラエポ板に 各種表面処理を施しはんだ広がり性調査を実施。 結果として、NiAuの処理方法により、はんだ広がり性が異なることを確認。 同時にその外処理方法を調査したことでHASLでのはんだ広がり性が 極端に良いことが確認できました。 【概要】 ■予想された不良原因:ランド表面処理の違い ■不良再現実験:銅張りガラエポ板に各種表面処理を施しはんだ広がり性調査 ■結果 ・NiAuの処理方法により、はんだ広がり性が異なることを確認 ・HASL(ホットエアーソルダーレベラー)でのはんだ広がり性が  極端に良いことが確認できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • はんだ
  • 公共試験/研究所

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不具合現象:はんだ溶融性不良

リフロー時のプリヒート時間を変更し、はんだ溶融性を確認!

当社で行った「はんだ溶融性不良」の再現実験をご紹介いたします。 予想された不良原因はリフロー条件の不適で、リフロー時の プリヒート時間を変更し、はんだ溶融性を確認。 その結果、プリヒート時間の短縮により溶融性を改善できますが、 BGAでのボイドが増加。ボイドも割合が少なくはんだ溶融性が良好な プリヒート時間3minを提案しました。 【概要】 ■予想された不良原因:リフロー条件の不適(不良) ■不良再現実験:リフロー時のプリヒート時間を変更し、はんだ溶融性確認 ■結果 ・プリヒート時間の短縮により溶融性改善できるが、BGAでのボイド増加 ・ボイドも割合少なくはんだ溶融性が良好なプリヒート時間3minを提案 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • はんだ
  • 公共試験/研究所

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HAST(PCT)

当社で保有する装置は、半導体や多層の基板評価等に適した試験装置です!

『HAST(PCT)』は、樹脂封止された半導体等の電子部品を通常の使用環境より 高い水蒸気圧の雰囲気に晒すことにより、短時間に供試品の内部に水分を 侵入させ、樹脂封止の気密性を評価することを目的にした試験です。 その試験のうち、JIS C 60068-2-66の不飽和加圧水蒸気における 通電試験も可能。 当社で保有する装置は、半導体や多層の基板評価等に適した試験装置です。 【概要】 ■HAST(不飽和加圧蒸気試験) ・電子部品の信頼性試験(評価)に採用されたもので、デバイスに温度と  湿度ストレス、場合によってはバイアスを同時に加える方法が  とられており、並列複合試験の代表的な試験方法 ■PCT(飽和加圧蒸気試験) ・飽和水蒸気での高温試験で、HAST以上に厳しい試験条件設定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 半導体検査/試験装置

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酸化膜厚測定

測定時間が短く、最大1000秒!酸化膜を種類別に測定が可能なSERA法をご紹介

当社の分析・故障解析、「酸化膜厚測定(SERA法)」についてご紹介します。 SERA法は、薄膜酸化膜厚、薄膜金属膜厚、金属間化合物層が容易かつ 正確に測定可能。Cu2OとCuOのように、酸化膜を種類別に測定する ことができます。 また、ランドの酸化膜厚とはんだ付け性を試験したところ、 加熱処理により酸化膜厚が増し、はんだの広がり面積が減少、 熱処理を繰り返すことで、SnO2の増加が顕著に認められました。 【SERA法での測定可能金属】 ■酸化膜厚:Sn, Ag, Cu, SnAgCu ■金属膜厚:Au, Cu, Ni, Ag, Sn ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 膜厚計

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促進耐候性試験:サンシャインウェザメータ

JIS・ISOをはじめ多くの規格に規定!安定した分光放射照度分布で試験再現性に優れる

耐候性試験は、太陽光、温湿度、降雨、結露などの屋外または屋内の 劣化因子を人工的に再現し、その環境に暴露した製品、材料の劣化を 加速促進させる試験です。 サンシャインウェザメータで使用しているサンシャインカーボンアークは 促進耐候性試験機の内、とくに基本的な機種で、世界的に見て長年の 歴史があります。 【設備の特長】 ■上下4対のサンシャインカーボン灯を有した約78時間連続点灯可能な試験機 ■照射と照射+表面スプレのサイクルを全自動運転 ■様々な業界の評価試験に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 耐候試験

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解析技術:静電気破壊

SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用!IR-OBIRCHで故障箇所を特定

当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を  行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を  用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他解析

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新規次世代パワー半導体の研究開発拠点を開所

低損失化、高耐圧化、小型化の面で優位性を持つ、GeO2半導体の製膜事業の早期参入を目指す!

株式会社クオルテック(本社:大阪府堺市、以下「クオルテック」)は、 「滋賀県立テクノファクトリー」内に、新規半導体材料を使用した パワー半導体の製膜における研究開発拠点を開所しました。 開所式にはクオルテックが本研究開発に関して資本業務提携し、 「琵琶湖半導体構想(案)」を推進する立命館大学発ベンチャー、 Patentix株式会社(本社:滋賀県草津市)も出席し、開所式を行いました。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【本拠点開所の背景】 ■「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」のPhantom SVD法による4インチ  Siウエハ(100)上への製膜に成功 ■二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO2薄膜の電気特性評価や  膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を  進めていくため ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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「パワエレテクノセンター」を新規設立

高性能評価設備の拡充により、様々な半導体材料の評価や高度化するニーズに対応!

株式会社クオルテックは、2025年1月、大阪府堺市津久野町に 「パワエレテクノセンター」を新規に設立します。 開設に向けて現在準備しており、2024年5月より改装工事を着工。 現在3か所に分散しているパワー半導体評価拠点を当センターに集約し、 効率化を図ると同時に、パワー半導体評価の更なる需要拡大に対応するため、 現行の1.5倍となるよう評価設備の増設を段階的に行います。 【当センターの取り組み】 ■パワー半導体評価技術の研究開発 ■パワー半導体評価の受託試験の増加に対応すべく、試験設備の拡充 ■ユーティリティの冗長化による安全・安心の試験業務システムの構築 ■先進セキュリティシステムによる顧客情報の機密管理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 公共試験/研究所

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高電圧マイグレーション試験

1000チャンネルを超える大規模試験にも対応!解析や試験パターンの作製も可能

当社で行っている信頼性試験の『高電圧マイグレーション試験』について ご紹介いたします。 当社で製作したマイグレーション監視装置は特に高電圧に特化しており、 絶縁閾値付近の精度を求め、カスタマイズしております。すでに多数の 試験も行っており、アーク対策等の改良なども盛り込み済。 また、多チャンネルにも対応し、1000チャンネルを超えるような 大規模試験にも対応できます。 【設備紹介】 ■計測器型番:3706 ■計測器メーカー:keithley ■印加電圧:MAX1000V ■チャンネル数:48ch(カセット) ■最大チャンネル数:MAX500ch(1タワー 12カセット) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 公共試験/研究所

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X線リフロシミュレータ

窒素・大気雰囲気に対応!動画記録速度は最大30フレーム/secの製品

当社で取り扱う、「X線リフロシミュレータ」をご紹介いたします。 熱風加熱方式で、設定プロファイルに正確に追従、高い再現性を重視。 観察結果を、動画・静止画・CSVなどのファイルとして出力可能です。 最大試料サイズは80mm×80mm、高さ22mm、使用温度範囲は常温~300℃ の仕様となっております。ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■熱風加熱方式 ■設定プロファイルに正確に追従、高い再現性を重視 ■観察結果を、動画・静止画・CSVなどのファイルとして出力可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • X線検査装置

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EMC(電磁両立性)確保のためのコンサルティング

計測に加えて、規格未達品の改良、および設計の初期段階からEMCコンサルティング!

クオルテックでは、車両用から民生用まで電子機器の電磁両立性能を 向上するためのコンサルティングを行っております。 お客様の現場で、認証機関で、当社社内の解析現場で、コンサルティングを 実施。 ECU基板と周辺機器自体、また、実際に車へ搭載した時の問題まで、 EMC性能向上のための技術的なご相談を承っております。 【対応例】 ■電子機器とそれが組み込まれるシステム全体の調査から製品改良の提案 ■電子機器の設計やデザインレビューに参加、コンサルティングを実施 ■EMC性能向上のための新技術に関する研究、共同開発 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他の各種サービス
  • EMC対策製品

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CP加工(イオンミリング)による超精密試料

機械研磨では難しかった高分子や金属など!様々な試料で歪みのない断面を作製

当社で行っている、「CP加工(イオンミリング)による超精密試料」の 作製についてご紹介いたします。 硬いものと柔らかいものが混在している複合材料でも、材料による影響を 最小限に抑え、綺麗な断面が作製することが可能。 また、無応力で加工できることにより歪みがなく、試料の結晶構造を壊さず、 積層形状、結晶状態、異物断面の解析の前処理装置として好適です。 【特長】 ■材料による影響を最小限に抑えた無応力加工 ■試料の結晶構造を壊さず、積層形状、結晶状態、異物断面などEBSD解析の  前処理として好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 製造受託

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極薄 無電解Ni/Pd/Auプロセスの開発

Ni層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・はんだ接合性を評価!

近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、高密度プリント配線板に 半導体を実装したCSPやBGAなどのパッケージ基板が多く使われています。 従来、パッケージ基板にワイヤボンディング性及びはんだ接合性を確保 するため、最終表面処理として無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきが 採用されています。 しかし、両めっき皮膜において、Ni層の標準的な厚みは5μmと厚く、 銅配線間距離(ピッチ)が10μm以下の場合、パターン追従性・絶縁信頼性の 確保が困難になることが予測されます。 この問題の解決方法として、従来の接合信頼性を維持しつつNi層を 薄化する事が挙げられます。 本研究ではNi層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・ はんだ接合性を評価した結果、およびNi層薄化時の接合信頼性を改善する 新プロセスについて検討した結果を紹介します。 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • はんだ

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【導入事例】高分解能観察と分析機能の両立を実現したFE-SEM

最大200nAの照射電流は、各種マイクロアナリシスに対応!分析能力も強化

広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できる 「FE-SEM」を導入した事例をご紹介いたします。 表面微細構造、組成、結晶学的情報、形状情報など多彩な イメージング能力を装備。 複数の二次電子信号や反射電子信号が同時に取得でき、これまでより 短い時間で多くの情報を得られるようになりました。 【事例概要(抜粋)】 ■導入製品:HITACHI製SU7000 ・電子源:ZrO/Wショットキータイプエミッター ・二次電子分解能:0.8nm(加速電圧 15kV)、0.9 nm(加速電圧 1kV) ・加速電圧:0.1~30kV ・倍率:20~2,000,000倍(装置スペック) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 分析機器・装置

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【分析・故障解析事例】滅菌バリデーション試験

製品の無菌性を恒常的に保証!試作品に対するガンマ線滅菌を行った事例のご紹介

無菌が要求される使い捨てプラスチック製品の試作品について、 滅菌についてのバリデーションを行った事例をご紹介いたします。 滅菌方法は個包装の使い捨てプラスチック製品であることから、 ガンマ線滅菌を選択しました。包装内に放射線耐性の高い菌を100万個以上 付着させたろ紙を一緒に封入し、ガンマ線照射を行った後、ろ紙を培養液に 浸して菌が増殖していないことを確認しました。 ガンマ線照射をしていないろ紙を入れた培養液は細菌が増殖することで、 濁りと変色が起きていますが、ガンマ線照射を行ったろ紙を入れた培養液は 濁りも変色もなく、菌が死滅しているといえます。 【事例概要】 ■滅菌方法:ガンマ線滅菌 ■結果:試作品に対するガンマ線滅菌は科学的に妥当であるとバリデートされた ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 化学薬品

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