半導体製造装置の製品一覧

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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!

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  • その他搬送機械

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昭和48年から約50年間愛用いただいているベルト研磨機。信頼と実績に加えラインアップも充実。

  • その他工作機械

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ベルト研磨機『ベーダーマシン』耐久性が高く、サービスパーツが豊富

『ベーダーマシン』は、1機1機が優れた研磨性能を誇る当社のベルト研磨機です。 被研磨物の形状・サイズに応じた機種・タイプを選び、 作業内容に適した研磨ベルトを装着することで、 幅広い分野の多種多様なものにフレキシブルに対応できます。 高効率研磨・研削による作業時間の短縮・省力化、 作業の標準化などに幅広くご活用ください。 【ラインアップ】 ■ポータブル型 BP-K(エアモーター型) ■受注生産機 PC-1(ホイールセンターレス)、BC(防塵カバー標準装備) ■設置型 BM(基本型)、SBA-1、BH-2 ■車輪型 SBD-4S、SBD-7、BWd ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

  • アニール炉
  • 加熱装置
  • 電気炉

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【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置(Φ8"対応)1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

  • アニール炉

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

  • 加熱装置
  • アニール炉
  • 電気炉

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

ローコスト 必要最小構成(手動制御)管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能

  • 酸化/拡散装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

コンパクト・省スペース・省エネルギー! 高性能 R&D用超高温実験炉

  • アニール炉

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標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

  • 加熱装置
  • アニール炉
  • 電気炉

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【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置(Φ8"対応)1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

  • その他半導体製造装置
  • アニール炉
  • CVD装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット

  • 蒸着装置
  • 加熱装置
  • 電気炉

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超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント

  • スパッタリング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

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小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

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多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

  • アニール炉

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

  • 蒸着装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010年グラフェン発見でノーベル賞受賞者率いる マンチェスター大学グラフェン研究グループとの共同開発製品。 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離):表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

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Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。

  • CVD装置

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高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD(スパッタ、蒸着、EB等)、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易(M6スタッドボルト、支柱) 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対:素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線(Nb, Mo, Pt/Re, WRe他) ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更(PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他) ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。

  • スパッタリング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

  • 蒸着装置

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

  • 蒸着装置

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標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

  • CVD装置
  • アニール炉
  • 加熱装置

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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場!従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃! 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

  • 加熱装置
  • 電気炉
  • アニール炉

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【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置(Φ8"対応)1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

静電場、静磁場内のイオン軌道、誘電体、電極、導体、コイル、磁石、磁性体、空間電化を考慮する!

  • 電子ビーム描画装置

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安心のCEマーキング適合品!超低速ディップコーターで品質と信頼を

  • その他半導体製造装置
  • 表面処理受託サービス
  • その他表面処理装置

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研磨PAD修正の必須アイテム「超軽量DP付修正キャリア」のギモンにお答えします

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アメリカと日本をはじめ世界の半導体業界で実績。 卓越した信頼性と純度で貢献するPFA製品群。

  • その他半導体製造装置

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ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適!

  • スパッタリング装置

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航空宇宙工学用光学膜、医療・バイオ用光学膜用ハイエンドスパッタリングプロセスが可能!

  • スパッタリング装置

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研究開発及び小規模生産用イオンビームスパッタリング装置!

  • スパッタリング装置

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DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)!

  • スパッタリング装置

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量産および試作開発で優れた高精度搭載精度を発揮。 ※ボンディングに関する技術資料を配布中

  • その他半導体製造装置

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シングルチャンバーで各種洗浄からスピン乾燥まで完結。省スペース設計で研究開発や小ロット生産に対応

  • その他半導体製造装置

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スプレー上下にそれぞれ圧力計を搭載した小型エッチングマシン!

  • エッチング装置

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ステンレス材質のスタンドやベースを使用することで機械腐食を軽減し長期安定稼働を実現します。

  • ウエハ加工/研磨装置

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研磨PADの修正に当たり前のように使っているDP付修正キャリアですが、実はおおきなデメリットもあります。それが何かわかりますか?

  • ウエハ加工/研磨装置

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研磨の基本は研磨パッドの精度の維持管理です。次のような症状が見られたら危険です。

  • ウエハ加工/研磨装置

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研磨ではパッドの精度管理が重要ですが、PADの種類を考慮した修正キャリアを使ってますか?カスタムすると精度管理も楽になります。

  • ウエハ加工/研磨装置
  • ミラー
  • フォトマスク

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開発期間の短縮・コストメリットに!複雑形状組付品の一体化や中空化、肉抜き造形による部品の軽量化・材料ロスにも繋がるメリットを紹介

  • その他半導体製造装置

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太陽電池や有機デバイス、バイオ系の用途に!蒸着装置の総合カタログプレゼント!

  • 蒸着装置

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有機ELデバイス開発などに適した研究開発用装置を紹介します。

  • 蒸着装置

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E-100の特徴をそのままに自動排気制御の機能を省きコストを抑えてます

  • 蒸着装置

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真空蒸着中に光学特性をリアルタイムに測定できるエリプソメトリー用蒸着装置

  • 蒸着装置

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当社独自のノズル配置とオシレーション機構により高精度にムラなくエッチングが可能!

  • エッチング装置

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不良検出の時間が早く、より視認性の高く、チップへの傷への配慮が成された半導体用コレット

  • その他半導体製造装置

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