加熱装置・炉の製品一覧
- 分類：加熱装置・炉
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
パッケージバーナーシリーズの「水素専焼仕様」！高い炉圧条件でも安定した火炎が得られ、業界を問わず幅広い分野で使用が可能です。
- 加熱装置
- 工業炉
- 乾燥機器
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
端子台接続で他社製ヒーターも高精度温調。プログラム制御・安全機能も
- 加熱装置
- その他理化学機器
有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット）
- セラミックヒータ
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
ファイバーマックス（アルミナファイバー） PCW(多結晶質繊維)の特性を生かした高耐熱軽量断熱ボード
- セラミックス
- 繊維
- 工業炉
水素ガスバーナー最新ラインナップや低炭素設備をご紹介！【サーマルテクノロジー2024】（10月10～11日 グランフロント大阪）
- 加熱装置
- 工業炉
- 乾燥機器
【出展情報】サーモテック2026 第9回 国際工業炉・関連機器展
このたび、ガスバーナーおよび工業炉メーカーである 正英製作所は東京ビッグサイトで開催される「サーモテック2026」に出展いたします。 本展示会は「環境・熱・未来 ～ともに考えよう 高効率な熱技術と持続可能な未来～」をテーマに掲げた、 カーボンニュートラル、高効率化、省人化や進展する生成AI・DXへの対応など次世代の熱技術を広く発信する展示会です。 弊社ブースでは「脱炭素燃料に対応したガスバーナ」「脱・低炭素型工業炉」「省エネシステム」「自動化省人化」など幅広い製品技術を紹介いたします。 ぜひブースへお立ち寄りください。 ブース：南ホール1 G016
日刊工業新聞 2025年01月30日号 広告と記事掲載のお知らせ
日刊工業新聞 2025年01月30日号に広告と記事掲載して頂いております。 「工場・現場作業用ドラムポンプ品揃えNo.1トップメーカーの高機能型ポンプ・エア機器シリーズ」という記事で灯油・軽油用の電動式ドラムポンプ（TDP1シリーズ）・切削液の循環ろ過専用（J-Fシリーズ）・液体管理用（センサ式液面計・エア式液面計・レーザー式液面計）・シンナーやアセトン、アルコール用エア式・電動式ドラムポンプ（CHD1シリーズ）・災害対策用（ウイングポンプシリーズ・EDOシリーズ）・液体加熱用（HTJシリーズ）と商品のラインナップを掲載させて頂いております。同時に弊社代表取締役社長・木村のインタビュー記事も掲載頂いております。 是非ご覧ください！
炉からの放熱や熱伝導でお悩みの方へ！温度計算に基づく適正な素材選定と緻密な加工で設備の寿命延長と省エネを両立
- 工業炉
- 電気炉
- 加熱装置
熱処理に不可欠な高温断熱材のエキスパート！断熱材の選定から精密加工まで行います。 ※製品カタログ無料進呈中（PDFダウンロード）
- 電気炉
- 加熱装置
- 工業炉
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
- 電気炉
- その他ヒータ
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
- 電気炉
- アニール炉
VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。
- 加熱装置
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー
【2026年5月20日(水)～22日(金)】『第36回西日本食品産業創造展’26』出展のお知らせ
山本ビニターは、マリンメッセ福岡で開催される『第36回西日本食品産業創造展’26』に 出展いたします ブース番号：A館AN-6 ※展示機 ：高周波急速解凍装置 TEMPERTRON-VI型 ・牛豚鶏肉・野菜・魚介類等の解凍 ・バター・マーガリン・チョコレートなど乳製品の加温・溶解 ・急速解凍による自動化、省人化を実現。 ・厚みのある原料も中心部分もしっかり昇温できる 当日は電波（高周波・マイクロ波）による解凍・加熱・乾燥・殺菌などの具体的な相談窓口も設けております 【※高周波解凍で改善される理由は】 ・当日、原料解凍から製品へと自動化、ライン化 ・２０分から３０分という短時間での解凍や加温 ・解凍の自動化、連続解凍処理により人員削減 ・中心部分もしっかり解凍したい（均一な解凍品質）（表面部ドリップロスの解消） ・水を使わず解凍ができる（水使用量の削減）（衛生面の改善）（労働環境の改善） ・量的解凍しすぎの解消(再凍結の撲滅：食品ロスの削減：必要な時に必要な量の解凍) 各社様、問題点の改善実現されています ご来場お待ちしております
【2026年5月20日(水)～22日(金)】『第36回西日本食品産業創造展’26』出展のお知らせ
山本ビニターは、マリンメッセ福岡で開催される『第36回西日本食品産業創造展’26』に 出展いたします ブース番号：A館AN-6 ※展示機 ：高周波急速解凍装置 TEMPERTRON-VI型 ・牛豚鶏肉・野菜・魚介類等の解凍 ・バター・マーガリン・チョコレートなど乳製品の加温・溶解 ・急速解凍による自動化、省人化を実現。 ・厚みのある原料も中心部分もしっかり昇温できる 当日は電波（高周波・マイクロ波）による解凍・加熱・乾燥・殺菌などの具体的な相談窓口も設けております 【※高周波解凍で改善される理由は】 ・当日、原料解凍から製品へと自動化、ライン化 ・２０分から３０分という短時間での解凍や加温 ・解凍の自動化、連続解凍処理により人員削減 ・中心部分もしっかり解凍したい（均一な解凍品質）（表面部ドリップロスの解消） ・水を使わず解凍ができる（水使用量の削減）（衛生面の改善）（労働環境の改善） ・量的解凍しすぎの解消(再凍結の撲滅：食品ロスの削減：必要な時に必要な量の解凍) 各社様、問題点の改善実現されています ご来場お待ちしております
マイクロ波および高周波誘電加熱の加熱方式の違いを整理するとともに、これらの技術が応用されたプロセスの具体的な実用例をご紹介！
- 高周波・マイクロ波部品
- 加熱装置
