スパッタリング装置の製品一覧
- 分類:スパッタリング装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!
- その他搬送機械
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉

【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用(6inch〜8inch)
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式(多段5枚カセット) ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット:Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気: ・真空(1x10-2Pa)、不活性ガス(Ar, N2) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転(オプション) ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置

ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- その他半導体製造装置

BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD(スパッタ、蒸着、EB等)、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易(M6スタッドボルト、支柱) 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対:素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線(Nb, Mo, Pt/Re, WRe他) ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更(PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他) ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
半導体、MEMS、電子部品等に!単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能!
- スパッタリング装置
半導体、MEMS、電子部品等に!単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能!
- スパッタリング装置
相談だけでも歓迎!設計から製作、組立まで自社で一貫して対応!各種装置製造でお困りの方は是非ご相談ください。※製作事例資料進呈中
- スパッタリング装置
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
- スパッタリング装置
- プラズマ発生装置
- その他表面処理装置

PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました
ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 リモートプラズマ ターゲットバイアス スパッタリングの動画を掲載いたしました。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。

MEMS Engineer フォーラム 2025 出展いたします
MEMS Engineerフォーラムは、21世紀のキーテクノロジーとされるMEMS技術のキープレイヤーの中でもエンジニアを中心に運営されるユニークなフォーラムです。 世界中のMEMS研究者、開発者、技術者が一堂に集うこのフォーラムの技術展示会にて、Plasma Quest Ltd.社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置のご紹介と技術展示をいたします。 弊社展示のみならず、MEMSに関する最先端の技術をご覧いただける絶好の機会でございます。ぜひ足をお運びいただきたくご案内申し上げます。 会場: 国際ファッションセンター ホール 〒130-0015 東京都墨田区横網1-6-1 国際ファッションセンタービル アクセス https://www.tokyo-kfc.co.jp/access/ 展示製品: Plasma Quest Ltd. 社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 https://mono.ipros.com/product/detail/2001148974 https://www.plasmaquest.com/