半導体製造装置の製品一覧
- 分類：半導体製造装置
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中和・エステル化・硫酸化・リン酸化・重縮合反応・粉体混合・乳化分散等製造技術対応いたします※危険物第4類・毒物劇物も取り扱い可能
- 製造受託
各種化学薬品の受託製造のお悩みございませんか？
里田化工株式会社が行う受託製造についてご案内します。 京都を事業拠点とする創業70年の化学メーカー。 創業以来、繊維および製紙工業分野で使われる各種界面活性剤を 開発・製造・販売しています。 これまでに培ってきた技術や開発力をもとに、各種化学品の 受託製造を承りますので、お気軽にお問合せ下さい。 【受託製造実績】 ■建築防水関連薬剤 ■植物成長促進剤 ■建築用防水剤 ■緑化関連薬剤 ■電子産業用薬剤 ■排水処理薬剤 ■工業用防腐剤 ■特殊界面活性剤... 関連製品・関連カタログより詳しくご紹介しております。
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆
モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント
- スパッタリング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。
- 蒸着装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。
- CVD装置
★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆
モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。
- スパッタリング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
安心のCEマーキング適合品！超低速ディップコーターで品質と信頼を
- その他半導体製造装置
- 表面処理受託サービス
- その他表面処理装置
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
- スパッタリング装置
量産および試作開発で優れた高精度搭載精度を発揮。 ※ボンディングに関する技術資料を配布中
- その他半導体製造装置
ステンレス材質のスタンドやベースを使用することで機械腐食を軽減し長期安定稼働を実現します。
- ウエハ加工/研磨装置
開発期間の短縮・コストメリットに！複雑形状組付品の一体化や中空化、肉抜き造形による部品の軽量化・材料ロスにも繋がるメリットを紹介
- その他半導体製造装置
不良検出の時間が早く、より視認性の高く、チップへの傷への配慮が成された半導体用コレット
- その他半導体製造装置
回転機構標準装備のUV照射装置『TTUV011』3Dプリンタ追露光、塗装やコーティング硬化、ダイシングテープ剥離など
- その他半導体製造装置
超々微粒合金による超硬丸ナイフなど、さまざまな業界で当社提案の産業用刃物を導入して頂いています。
- その他半導体製造装置
各工程の手作業から半自動・自動化への問題解決なら当社にお任せ！
- その他半導体製造装置
- その他検査機器・装置
- ディスペンサー
