アルミナ基板「エフセラワン」
96%アルミナの熱衝撃性を格段に向上!アルミナ基板のグレードアップ!
熱衝撃に対する強度を格段に向上しました。 熱衝撃試験後の曲げ強度が2倍(当社従来製品NA-96比)。
- 企業:ニッコー株式会社 機能性セラミック商品事業部
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年08月20日~2025年09月16日
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96%アルミナの熱衝撃性を格段に向上!アルミナ基板のグレードアップ!
熱衝撃に対する強度を格段に向上しました。 熱衝撃試験後の曲げ強度が2倍(当社従来製品NA-96比)。
アレイでは高周波インピーダンスコントロール基板や電源基板など、各種基板のアートワーク設計を承っております。
特にインピーダンスコントロール基板の設計を得意としており、高周波基板では10GHzから40GHz、高速伝送基板では40Gbpsから100Gbpsの設計の実績がございます。また、基板製造から部品実装まで様々な角度から検討し、最適なレイアウトを提案いたします。
RoHS、Pbフリー対応!導体特性に応じた選択的レイアウトが可能な厚膜印刷基板
当社が取り扱う『厚膜印刷基板』は、アルミナセラミックスの特性による “耐熱性”と“高信頼性”各種保有技術を活用し、顧客ニーズに対応します。 RoHS、Pbフリーに対応で、Φ0.15mmからのスルーホール穴埋め印刷が可能。 また、ボンディング性重視、耐マイグレーション性重視など、 導体特性に応じた選択的レイアウトができます。 【特長】 ■耐熱性に優れた銀-パラジウム・銀-白金・銀・銅の導体印刷が可能 ■端子電極部のはんだ接合に優れるAuめっきが可能(高耐マイグレーション材) ■RoHS対応、Pbフリー対応可能 ■印刷工法により各種抵抗体の形成ができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エッチング法、アディティブ法等を用い、微細パターン加工を実現!
FPC(フレキシブル・プリント・サーキット)基板は、ポリイミドフィルムをベース材としてCu電極をパターニングした回路基板です。ベース基板は接着剤等の有機材を使用していない為、高温の環境でも使用可能となります。また、豊和産業株式会社は、エッチング法、アディティブ法等を用い従来のFPC基板では成し得なかった微細パターン加工を実現いたしました。 50μm以下の微細なパターニングが可能です。仕様により、パターン上や裏面に接続用のバンプ形成が可能。また、レーザー加工やメッキ技術を併用する事により、表裏スルーホール導通処理が可能です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
最大150℃の高温下で連続1,000時間の使用に耐えられるFPCが誕生
『耐熱FPC』は、高温環境下でも連続使用できる耐熱性に優れた 耐熱基板(FPC)です。 これまで不可能であった高温環境でFPC本来の高密度配線・一括接続性・軽薄性の 特徴を生かすことで、医療、照明、産業機器などの分野で新たな配線スタイルに貢献します。 【特長】 ■150℃で1,000時間経過した後も電気特性に問題なく使用できる ■絶縁皮膜の密着強度を維持 ■従来のFPCのデザインルールをそのまま利用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ECC対応!温度範囲を拡張した10Gbイーサネット搭載のハイグレード志向の基板
ゴフェルテックの『Knight Frogs WINE』は、インテル第三世代64ビット SoCインテルXeon/Pentiumプロセッサーを搭載した、コンパクトな ハイグレード志向のCOM Expressモジュールです。 メインメモリはDDR4 SO-DIMMで、最大8Gバイト、ECCにも対応しています。 COM Expressタイプ6の標準I/Oに加え、Carrierボードにて 10Gイーサネットを2ch装備可能です。 【特長】 ■10Gbイーサネット搭載 ■ECC対応 ■拡張温度範囲(-5℃~70℃) ■Basic Module Size(125×95mm)での提供も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「エフセラワン」は96%アルミナのグレードアップ品です!
熱衝撃に対する強度を格段に向上しました。 熱衝撃試験後の曲げ強度が2倍(当社従来製品NA-96比)。
回路形成技術をご紹介!表裏のパターンの位置精度を向上させる方法
株式会社サトーセンは、設計の自由度を有する高密度・IVH・BVH・ビルドアップによる多層プリント基板をご提供いたします。 超高回転極小径ドリルマシンによる穴位置精度向上、LDI(レーザー直描画装置)にて高密度回路形成(L/S = 30/30)、X線基準穴あけ装置、X線測長機にて高密度多層プリント基板を安定した品質でご提供いたします。 【特長】 ○フラットプラグ(パットオンビア)によりスルーホール上に実装が可能 ○ランドレススルーホールにより狭ピッチパターンに対応が可能 ○CCDによりパターンの位置に合わせたプレス、ルーター及び Vカットの精度向上(±75)が可能 ○極細印字が可能(1文字 縦0.28×横0.15mm) 詳しくはお問い合わせください。
機能を一枚の基板に適材適所で追加!自由にプログラム出来る製品にできます!
ブレッドボードでうまくいった回路や、シールド基板をソケットでつないで 不安定な状態で使用せずに、回路を一枚の基板に合成することで、安定し 実用に耐える仕様にできます。 当社では、ArduinoMEGAとESP32(WROOM)、各種リレーの合成基板や プロトタイプのジョイスティック操作装置を基板化、ケースに入れて 現場で使用した開発事例があります。 オープンソースハードウェアを用いれば、安価に制御機器の代わりになる 基板をジャストサイズの機能で設計製造可能。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【開発事例概要】 ■ArduinoMEGAとESP32(WROOM)、各種リレーの合成基板 ■プロトタイプのジョイスティック操作装置を基板化、 ケースに入れて現場で使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アルミナ基板と同等以下の熱抵抗を実現した高熱伝導金属基板
『デンカヒットプレート』は、アルミベース上に熱伝導性の高い 無機フィラーを高充填したエポキシ系の絶縁層と導体箔から形成され、 アルミナセラミックス基板と同等以下の熱抵抗を実現した高熱伝導性 メタルベース基板です。 エアコン用インバーター、車載部品、バイクの電装品、通信機器の電源など 幅広い分野で使用され、市場から高い評価をいただいております。 【特長】 ■高熱伝導性(最高10W/mKを品揃え) ■高信頼性(耐電圧、耐熱、耐ヒートショック、耐久性) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
豊富な放熱回路設計、高輝度、放熱材料選定、めっき技術等により最適な放熱技術のご提案いたします。
株式会社サトーセンでは、豊富な放熱回路設計、高輝度、放熱材料選定、めっき技術等により最適な放熱技術のご提案いたします。 【特長】 ○優れた高周波特性 シュミレーションで最適な材料選定、層構成及びL/Sを割り出し整合性の高いコントロールが可能 ○高精度外形加工 パターンの位置に合わせた高精度CCD加工が可能 ○信頼性の高い表面処理 電解及び無電解ワイヤーボンディング金及びNi/Pd/Auの信頼性の高いめっき処理が可能 ※「仕様」などの詳細情報はカタログに掲載しております。 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
最小穴径φ0.125まで対応可能基板
最大IVH層間厚さは0.4mm・最小穴径φ0.125まで対応可能です。 今後、多段積層プレス仕様品にも対応予定です。
RS-232CまたはUSBを用いたシリアルタイプ・簡易コマンド方式の採用により、開発期間の軽減が可能!
CBEZ-Standard は、コインメック(コインメカニズム)及び、ビルバリ(ビルバリデータ)を PC に接続するための専用基板です。 上位制御装置とのインターフェースは、RS-232CまたはUSBによるシリアルタイプ。これによりオペレーティングシステムを限定せずにご利用いただけます。 また、簡易コマンド方式の採用により、セキュアなプログラミングが可能になり、開発期間を削減します。 アイソレーション回路やDC/DCコンバータを 採用したことで筐体内に発生する コモンモードノイズを低減。 それにより信頼性がさらに向上しました。 DC24V単一電源で制御が可能になり、コインメック、ビルバリ用のDC8V電源が不要になりました。 各メーカーのコインメック、ビルバリに対応しております。 つり銭状況に応じた紙幣投入枚数など、複雑でトラブルが多かった処理は、CBEZ-Standardが一括しておこないます。 主制御はコインメック、ビルバリの起動制御やタイミング等の複雑な処理について考慮する必要はなく、ポーリングコマンドでコインメック、ビルバリの状況を確認いただけます。
窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に
近年、発光ダイオードやレーザなどの発光素子に用いる半導体材料として、III族窒化物半導体(GaNやInGaN)が着目されている。この窒化物半導体は、赤外光から紫外光の広い波長範囲に対応するバンドギャップエネルギーを有し、青色や緑色などの発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製することが可能となった。本発明では、成長基板の主表面上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程から、複数の窒化物半導体自立基板を作製する工程までの、全7工程を備える。