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不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案！
株式会社アイテスでは、材料劣化解析を行っております。 ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案。 材料がどのような劣化過程を辿ったかを解析し、ポリマー材料や使用環境を 適切にすることで製品の寿命を延ばす事が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パネル偏光板の劣化解析例を掲載！信頼性試験やHS-GCMS分析によるアウトガス分析などで劣化解析してみました
液晶パネルに使用される偏光板はトリアセチルセルロース、ポリビニルアルコール、 ポリエチレンテレフタレートなどを貼り合わせた多層フィルムで出来ています。 当資料では、信頼性試験後のパネル偏光板をHS-GCMS分析、熱脱着GCMS分析により劣化解析した事例をご紹介しています。 目に見えない劣化でも、この分析なら見つかるかも？！ 是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験 ■HS-GCMS分析によるアウトガス分析 ■熱脱着GCMS分析による低沸点成分分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ブルーライトカットフィルムの光透過性がどのように変化するか、分光光度計を用いて検証！
ブルーライトカットフィルムは、通常のPETフィルムに比べ、可視光、 特に波長500nm以下の光の透過を抑える効果を有しております。 UV照射によって、ブルーライトカットフィルムの光透過性が どのように変化するか、分光光度計を用いて検証。 波長350～400nmの光の透過性が、UV照射によって、さらに低下しました。 また、フィルム内部で起こっている反応に関して、GC-MSを用いて分析を 行いました。 【解析内容】 ■通常PETフィルムとブルーライトカットフィルムの光透過特性 ■ブルーライトカットフィルムへのUV照射 ■フィルム内成分のGC-MS分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不具合が出れば詳細解析も！海外製LCD導入ご検討のお客様向け簡易版解析
株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施可能！
当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。
EBSD分析とは、SEM（走査電子顕微鏡）と組み合わせて、金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、 設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。 また、 信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。 【マッピングの例】 ■IQマップ パターンの良否により結晶性の良し悪しを表します。 IQ値は試料断面加工の精度良否の指標として用いられます。 ■IPF（結晶方位）マップ 試料座標系を設定し、結晶面がその方向に向いているかを表したものです。 ■Grainマップ 基準方位差を指定し、隣り合う測定点同士の方位差が基準より大きく、粒子として閉じていれば、 異なる結晶粒とみなし、異なる色を付けます。 ■KAMマップ 微視的方位変化、局所方位差を表します。 ■GRODマップ Grainマップで定義された粒子1つ1つに対し、微小な方位変化を求め、 印加されている残留応力を粒子毎に求める場合に用いります。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
事例あり。車載向けパワーデバイス開発の活発化に伴い、デバイスの故障解析および良品解析の需要が増えております。
■パワーデバイスへの対応 パワーデバイスは、通常の半導体パッケージよりも信頼性が高い樹脂を使う傾向があり、 そのため開封の難易度も高くなっています。 ここでは、弊社で実施したIGBT開封の事例を紹介しています。 ■Agワイヤを使用した半導体パッケージの開封 近年、金価格の高騰に伴い、Auワイヤの代替品への置き換えが進められています。 銀（Ag）ワイヤには下記のメリットがあり、今後の増加が予想されます。 【Agワイヤの特長】 ■Auワイヤと比較して低価格 ■Auワイヤと同程度の柔らかさを持ち、ボンディングダメージのリスクが低い ■Auワイヤと同等レベルの高い接続信頼性 ■Cuワイヤと比べてボンディング設備への投資負担が少ない その一方で、 Cuワイヤよりも開封時の薬品ダメージが大きく、開封条件の再検討が必要となっています。 弊社では、Au・Cuで長年蓄積した技術に基づき、Agワイヤの開封も可能にしました。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
より良い観察の提案が可能！高い透過力と解像度を併せ持つX線CTを導入
自動車の電装化が進むにつれ、部品の採用車種や一台当たりの搭載部品点数が 飛躍的に増大し、開発段階においては、試作品の評価工数の短縮が、ますます 要求されています。 試作品の製造品質確認や信頼性評価は、破壊解析によるものが主流でしたが、 工数もかかるうえに、問題が無かったとしても、一度破壊してしまった試作品や 市場不良・工程不良品を元に戻す事は出来ません。 そこで、非破壊のままでも多くの有益なデータを得たい、直接目視できない モジュール内部の出来栄えを確認したい、信頼性試験による劣化調査を行いたい、 といった要望が高まっています。 ”クオルテック 名古屋品質技術センター”では、高い透過力と解像度を併せ持つ X線CT「FF35」を導入。より良い観察の提案が可能です。 【特長】 ■内部構図を立体的に把握でき、任意箇所の断面画像を得られる ■二つのX線管を併せ持つCTシステム ■150nmまでの微細構造を認識できる高解像度観察が可能 ■積層物のCTに適したヘリカルスキャン機能も搭載 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
製品故障の未然防止手法の一つ！潜在的な問題点を探し出す必要があるため幅広く調査
当社で行っている「良品解析・真贋判定」についてご紹介いたします。 FMEA(故障モード影響解析)やFTA(故障の木解析)などの製品故障の 未然防止手法の一つで、非破壊検査・破壊検査と各種解析技術で評価し、 潜在的に存在する問題点を検査する方法。 故障解析との違いは、故障解析が故障要因のみを調査するのに対し、当解析 では潜在的な問題点を探し出す必要があるため幅広く調査します。 【解析手順(一部)】 ■外観検査 ■X線透視検査 ■電気的静特性測定 ■超音波顕微鏡観察 ■断面観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援
弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイッチング時の課題解決がポイントとなっております。 弊社では、電磁界解析シミュレータを用いた伝送線路解析から製品評価、更には回路シミュレーションを用いた解析と整合確認まで、包括した設計支援を行なうことができます。
製品に不具合が発生したら、専門医(専門家)に受診して対策しましょう！ シミュレーション、解析
「開発品や量産品でトラブルが発生。すぐに原因を探し出して対策をしたい」 「放熱対策の要否や対策方法を把握したい」 このようなお悩みに熱・応力の専門医(専門家)から、不良原因の診断結果と 解決策の処方を受け取ることで、トラブル対策は短期間で完了します。 （シミュレーション、解析） 製品試作前にご利用になることで、熱・応力に関する製品トラブルを 未然防止するための"予防法"を予め知ることが可能。 その"予防策"に沿って開発を実施することで、開発期間の終盤での トラブル発生や設計手戻りや、その結果生じる時間的ロスを大幅に 回避することができます。 【特長】 ■実際のモノを把握し、解析結果を提供 ■各技術を組み合わせたソリューションを提供 ■半導体の構造や熱特性を基に開発した、独自の半導体熱抵抗測定技術を保有 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD：電子後方散乱回折法
薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。
処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF、SiH、Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表面状態を反映したフラグメントイオンが検出されています。
熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析
エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、絶縁性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではLEDの封止材として使用されているエポキシ樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。主剤および硬化剤の構造を反映した熱分解生成物が得られ、本樹脂はビスフェノールA/酸無水物型のエポキシ樹脂と推定されました。
ペプチドのアミノ酸配列をLC/MS/MS分析によって解析します
ペプチドをLC/MS/MSで測定すると特徴的なフラグメントイオンが得られ、ペプチドを構成するアミノ酸の配列を解析することができます。また、ペプチドをLCによって分離して分析するため、複数のペプチドを含む試料や不純物ペプチドを含む試料であっても配列の解析が可能です。 ここでは低分子ペプチドをLC/MS/MSで分析し、アミノ酸配列の推定を行った事例を紹介します。
LC/MS/MS：液体クロマトグラフィー質量分析法
タンパク質の組成解析では、電気泳動後に目的のタンパク質のみを調べる方法もありますが、本資料ではタンパク質を網羅的に調べる「ショットガン解析」についてご紹介します。 ショットガン解析ではLC/MS/MS測定を用いてタンパク質の分離及び、質量情報の取得を行った後、データベース検索を行うことで溶液中に含まれるタンパク質を網羅的に調べることができます。
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
お手元のXPSスペクトルデータの解析、レポート作成をお引き受けします
近年の測定装置の高度化・高機能化によって、高品質かつ大量のXPSスペクトルデータを短期間で取得することが可能となっています。しかしながら、取得したスペクトルデータの解析にあたってはデータベースの調査や解析技術の習得に手間や時間を要するだけでなく、過去の経験に裏付けられた判断を求められることが多く、保有している装置やデータの有効活用に対し障壁の一つとなっています。MSTではそうした課題を抱えているユーザー向けに、お手元のXPSスペクトルデータについて、解析からレポート作成までワンストップでお引き受けするサービスを展開しています。
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損（VN）が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
X線CTと画像解析技術により、毛髪の定量評価が可能です
ヘアカラーや紫外線、加齢などの影響によりダメージを受けた毛髪は構造変化が起こっており、これらの構造変化を計測することはヘアケア製品の研究開発に重要です。 本事例では、X線CTを用いて毛髪の構造を観察しました。さらに、得られたCT断面像を画像解析することで、コルテックス部分の空隙体積、キューティクル間隔をヒストグラム化しました。このように、X線CTと画像解析を組み合わせることで、毛髪の三次元構造を定量的に評価することが可能です。 測定法： X線CT、計算科学・AI・データ解析 製品分野：バイオテクノロジ・医薬品・化粧品 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能
有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段 差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光層の膜厚の評価が可能となりました。 測定法：TOF-SIMS・TEM・XPS 製品分野：ディスプレイ 分析目的：組成評価・同定・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
木質バイオマス成分「リグニン」を対象とした各種分析が可能です。
リグニンは木質バイオマスの約3割を占める芳香族高分子成分であり、石油化成品原料の代替品やエンジニアリングプラスチックへの利用可能性に注目が集まっています。本資料では木材からの抽出に始まり化学構造解析までリグニンの総合的な評価事例を紹介します。 測定法 ：NMR・LC/MS・GC/MS 製品分野：環境・バイオテクノロジ・高分子材料 分析目的：組成評価・同定・化学結合状態評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
解析対象、得られる物性情報及び解析事例を紹介します。
解析対象 （計算の実施にあたっては、組成・結晶構造などの情報が必要となります） ?主な解析対象は、結晶など周期性を持つ系 ?アモルファス構造や表面、界面を有する系の計算も可能 得られる物性情報 ?結晶構造パラメータ（格子定数、原子配置など） ?電子構造及びスピン状態(電荷分布、バンド構造、フェルミ面、磁気モーメントなど） ?共有結合、イオン結合などの化学結合状態 ?原子の置換、欠損など格子欠陥が存在するときの安定構造及び欠陥形成エネルギー ?表面や界面の形成エネルギー及び原子配置 ?活性化エネルギーや中間体の構造など化学反応に関する情報 ?誘電関数、電気抵抗、ゼーベック係数など電子の応答特性 ?比熱など固体の熱力学量 ?各種分光学的スペクトル（XPS、XAFSなど）
軽溶媒そのままの測定
NMRは通常、磁場の安定性確保などを理由に磁場調整を重水素化溶媒の2H（：D）核の共鳴信号を用いて行いますが、1H核の共鳴信号を用いて行うことにより、軽溶媒（：通常の溶媒）でも測定を行うことが可能です（No-D測定法）。 No-D測定法が有効な測定は次の通りです。 ・軽溶媒との相互作用を評価する測定（例：軽溶媒での劣化調査） ・重水素化溶媒を用いることができない試料の測定（例：タンパク質など生化学分野の試料の測定） ・揮発しやすい成分を含む試料の測定 ・溶解できる重水素化溶媒がない試料の測定
