更新日： 集計期間:2025年10月08日～2025年11月04日
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低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察 測定法：TEM・SEM 製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明 分析目的：形状評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。 測定法：TEM 製品分野：パワーデバイス・光デバイス 分析目的：形状評価・構造評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です。
C-SAMは、SAT：Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、透過波の取得も可能。
活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能
リチウムイオン二次電池は充放電によるイオンの脱離・挿入などで電極活物質に成分や結晶構造の変 化が生じます。正極活物質として用いられるLi（NiCoMn)O2（NCM）の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素（Li、O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni、Co、Mn）の原子位置をHAADF-STEM像で可視化した事例を紹介いたします。 測定法：SEM・EBSD・TEM 製品分野：二次電池 分析目的：形状評価、構造評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応 したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報から STEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します。
分析作業効率の飛躍的な向上はもちろん、新たなアプリケーションも期待されます！
赤外顕微鏡「HYPERION II」は、従来の顕微FT-IR測定に加え、QCLによる 赤外レーザーイメージングに対応します。 当資料では、「FT-IRを用いた精密機械のQA/QCについて」をはじめ、 「関心領域（ROI：Regions Of Interest）の迅速な検出」や「赤外レーザー イメージングを使用したROIの検出」などを掲載。 QCLとFT-IRとのコンビネーションは、ROIの速やかな検出と、それらの情報に 基づくより正確な定性分析を実現します。 【掲載内容】 ■FT-IRを用いた精密機械のQA/QCについて ■関心領域（ROI：Regions Of Interest）の迅速な検出 ■FT-IRとQCLのコンビネーションによるメリット ■赤外レーザーイメージングを使用したROIの検出 ■FT-IRによる分析の信頼性の向上 ■FT-IRとレーザーイメージング：強力なコンビネーション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
大型ガラス基板を検査する顕微鏡で移動量はデジタルカウンタに表示。手動型と電動型がございます。
大型基板を検査する検査用顕微鏡です。 大型基板をステージに載せて移動して顕微鏡検査が出来ます。 移動量をデジタルカウンタに表示して、線幅や位置測定ができます。 手動型はハーフナット式でフリー移動とハンドル微動式です。 電動型はステッピング駆動がリモートでできます。 詳しくは、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
導入しやすい価格帯で、新スタンダード機登場！高精細な観察を実現
『3R-MSTVUSB140』は、高画質のフルHD200万画素・1/2.8型CMOSセンサーを 搭載しているHDMIデジタル顕微鏡です。 付属のHDMIケーブルを使用し、モニタ(別売)へ接続すれば約8秒後に 観察が可能。難しい操作はなく、業務の効率化につなげます。 また、細かな目盛り表示や「計測・描画モード」により、対象物のサイズや 形を正確に測定。不良の原因追求や不具合の再発防止に役立ちます。 【特長】 ■フルHD200万画素 ■1/2.8型CMOS搭載 ■オートフォーカス機能搭載 ■モニタとPC2種接続 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
他に比類なき高視野・高分解能を実現した、干渉型３Ｄレーザー走査顕微鏡（視野域：３０ｘ５０ｍｍ・分解能：５０ｎｍ）
レーザ走査を用いた初めての干渉計測 光沢紙程度の反射で干渉縞が出現。干渉縞で50nｍの変化をとらえます ●倒立型レーザ走査干渉計（型番：LSMi-7000） サンプルをガラス面に置けば、簡単に干渉縞計測可能。 走査範囲は30ｍｍ×50ｍｍ、モニター上で拡大観察可能 セラミックスなどの細い傷、研磨不良、欠けなどが検査可能 干渉縞解析ソフトはオプション ●円筒用レーザ走査干渉計（型番：LSMi-7500） 円筒の全面で干渉縞を観察可能、円筒の精密検査が可能 ●正立型レーザ走査干渉計（型番：LSMi-8000） 非接触で微細な干渉縞計測可能。 交換レンズは、5ｍｍ、10ｍｍ、26ｍｍ走査レンズ、特注可能 通常の共焦点レーザ走査イメージャとしても使用できます これらを応用展開した機器 超広視野共焦点型・高分解能１μｍ 3D‐レーザ走査イメージャ 5×50ｍｍの範囲を３Ｄ形状計測できる ●45度までの傾斜があるものの形状測定が可能です ●キズや深い穴の欠陥も検出可能です ●円筒面の形状計測や画像取得も可能です
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 LIB正極活物質LiCoO2について、TPD-MSによるガス分析とin-situ 昇温TEM法の2つのin-situ 昇温手法を用いて、昇温時におけるLiCoO2粒子の発生ガスと形態・組織・構造変化の関係性を調査した。その結果、ガス発生は構造変化と密接な関係にあることが示された。充放電挙動と酷似した変化も認められ、温度をパラメータにした一連の測定結果は、実材料を解析する上でも重要な知見になること、また、高分解能（40nm角程度の視野）でないと検出できない微視的構造変化（ドメイン構造の形成など）について、ASTAR＊（＊ASTARはNanoMEGAS社の登録商標）を用いることで1μm角以上の視野で可視化でき、定量的に解析できることを示した。 【目次】 １．はじめに ２．実験方法 ３．TPD-MSを用いたガス発生挙動の観測 ４． in-situ昇温TEM法による組織変化の観察 ４-１． STEM像における形態・組織変化の観測 ４-２． HRSTEM像における結晶構造変化の観測 ４-３． 650℃以上の形態・組織・構造変化の観測 ５． まとめ
ファストモード搭載！使いやすさと高機能を追求した顕微鏡デジタルカメラシステム
『image X Earth』は、圧倒的な指示を得た自動エッジ検出機能が、 ライブ映像上でも使用可能な顕微鏡デジタルカメラシステムです。 500万画素「USB3」カメラを新たにラインアップ。 検鏡像の「測れる化」と「見える化」をより強力にサポートします。 【特長】 ■より高精細な測定・解析処理なら1000万画素タイプ ■高速転送なら25fpsの130万画素タイプ ■両者を兼ね、高解像度・高速転送のニーズに応えた 500万画素USB3.0カメラをラインアップ ■USB2.0タイプでもファストモード搭載 ■ライブ映像での高速表示・フルサイズ画像取込も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました
深層学習により、画像から目的の対象物を抽出することが可能です。また、得られた対象ごとに領域を解析することで数値として情報を得ることができます。 今回、バッテリー正極材の断面SEM像に対して、深層学習を用いて活物質粒子の抽出、クラックの検出をしました。Slice&Viewデータのような3Dデータに対しても同様に抽出が可能です。3Dデータからクラック有、クラック無粒子を抽出し、それぞれの粒径を算出しました。 測定法：SEM、Slice&View、計算科学・AI・データ解析 製品分野：太陽電池、二次電池、燃料電池 分析目的：構造評価、形状評価、故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
非破壊でデバイス内部の特異箇所を把握！断面観察にて特異箇所の詳細な構造や組成情報を評価
弊団では、電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、 観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した本事例では、 まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索。 続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて 詳細な構造を確認しました。 【測定法・加工法】 ■[SEM]走査電子顕微鏡法 ■[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM) ■X線CT法 ■[FIB]集束イオンビーム加工 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SEM-STEM・(S)TEMによる高分子材料の観察事例をご紹介いたします！
弊団では、電子染色を用いた高分子材料の(S)TEM観察を承っております。 高分子材料は軽元素で構成されているため、(S)TEM観察では 明確なコントラスが得られにくい材料です。そのような材料には 染色を行うことでコントラストを増大させることができます。 本事例では、電子染色と呼ばれる方法で四酸化ルテニウム(RuO4)、 四酸化オスミウム(OsO4)、リンタングステン酸(H3[P(W3O10)4]・ xH2O(略称PTA)を用いて染色観察しました。 【測定法・加工法】 ■[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
![[EMS]エミッション顕微鏡法](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/ebd/387108012/IPROS78188100613521420358.jpeg?w=280&h=280)
故障箇所を迅速に特定
EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評価可能 ・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能
