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サンプルMAXサイズ10mm口！耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます
『レーザーCVD装置』は、CO2レーザーをあてながらCVD成膜する 装置です。 600℃までヒーター加熱。チャンバーサイズは、φ300 × 300Hです。 耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます。 【仕様】 ■サンプルMAXサイズ10mm口 ■600℃までヒーター加熱 ■RPにて排気、MAX 5Pa ■O2 x 1 Ar x 4系統 MFC仕様 ■φ300 x 300H チャンバーサイズ ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡単に試料セットする事が可能！外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができます
当製品は、高周波加熱コイルの中心に試料ステージ（自動回転機構付き）があり、 外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができるCVD装置です。 サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能。 簡単に試料セットする事ができます。 オプションでチャンバー上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能です。 【特長】 ■外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができる ■サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能 ■簡単に試料セットする事ができる ■上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能（オプション） ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3インチウェハ対応！コンパクトな設計となっており省スペース化を実現しました
当製品は、酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。 コンパクトな設計となっており省スペース化を実現。 内面処理は電解研磨、チャンバー材質はSUS316です。 また、3インチウェハ対応となっております。 【特長】 ■酸化シリコンを成膜 ■コンパクトな設計となっており省スペース化を実現 ■3インチウェハ対応 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Agnitron社にて独自開発された、高性能、高スループット先端化合物半導体向けMOCVD装置を提供します。
Agnitron社のAgilisシリーズは、先端化合物半導体エピ成長を可能にする構成オプションを備えた柔軟なプラットフォームです。研究開発用(R&D用)の小型チャンバではシングル又はデュアルチャンバ構成選択可能、量産機用の大型チャンバではシングルチャンバ構成にて幅広い材料のエピ成長が可能です。
φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18ｍ離して設置することができます。
本装置は、4/5/6 及び 8 インチ・ウェハーに対応しており、プラズマ CVD 法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。 基本構成は、プロセス・モジュール及び RF ジェネレータ・モジュール（高周波,低周波各 1Set ）、バキュームポンプ・モジュールの 3 モジュールで構成され ます。
表面処理工程に導入！真空チャンバーの材質は、ステンレス製で到達真空度が1Pa以下の製品の事例
自動車・バイク部品製造業へ「立体物対応実験用プラズマCVD装置」を 製造した実績についてご紹介いたします。 立体物にDLC、アモルファスSiC等が成膜可能な基材加熱機構付き (最高設定温度：500℃)の製品を導入。 また、PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギングが できます。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【実績概要】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基材加熱機構付き(最高設定温度：500℃) ■PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギング ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
