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SiCトレーを採用！搬送システムで、大量生産を可能にするとともにコストを抑えた装置
『A6300S』は、毎時120枚のスループットを擁する小口径ウェハ対応 大量生産用連続式常圧CVD装置です。 自動トレー交換装置、ヘッド昇降機構を備え、メンテナンス時間を短縮し 生産可能時間を延伸するとともに、お客様の大量生産のニーズとオペレータの 安全にも配慮しました。 【特長】 ■高い生産性：毎時120枚の処理が可能 ■重金属汚染対策：ウェハ裏面からの金属汚染を防止 ■高性能：A63型ヘッドを採用し、良好な膜厚分布を実現 ■メンテナンス性の向上：短時間で安全にメンテナンスが可能 ■フットプリント：トレー枚数を最小化し装置面積の小型化に成功 ■安全性：インターロック、装置機構の好適化により高い安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
漏洩マイクロ波検出用も付属！試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サンプルMAXサイズ10mm口！耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます
『レーザーCVD装置』は、CO2レーザーをあてながらCVD成膜する 装置です。 600℃までヒーター加熱。チャンバーサイズは、φ300 × 300Hです。 耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます。 【仕様】 ■サンプルMAXサイズ10mm口 ■600℃までヒーター加熱 ■RPにて排気、MAX 5Pa ■O2 x 1 Ar x 4系統 MFC仕様 ■φ300 x 300H チャンバーサイズ ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡単に試料セットする事が可能！外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができます
当製品は、高周波加熱コイルの中心に試料ステージ（自動回転機構付き）があり、 外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができるCVD装置です。 サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能。 簡単に試料セットする事ができます。 オプションでチャンバー上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能です。 【特長】 ■外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができる ■サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能 ■簡単に試料セットする事ができる ■上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能（オプション） ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3インチウェハ対応！コンパクトな設計となっており省スペース化を実現しました
当製品は、酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。 コンパクトな設計となっており省スペース化を実現。 内面処理は電解研磨、チャンバー材質はSUS316です。 また、3インチウェハ対応となっております。 【特長】 ■酸化シリコンを成膜 ■コンパクトな設計となっており省スペース化を実現 ■3インチウェハ対応 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最高900℃の加熱制御が行えるホットウォール式の熱CVD装置
ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Agnitron社にて独自開発された、高性能、高スループット先端化合物半導体向けMOCVD装置を提供します。
Agnitron社のAgilisシリーズは、先端化合物半導体エピ成長を可能にする構成オプションを備えた柔軟なプラットフォームです。研究開発用(R&D用)の小型チャンバではシングル又はデュアルチャンバ構成選択可能、量産機用の大型チャンバではシングルチャンバ構成にて幅広い材料のエピ成長が可能です。
φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
