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対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃） ■PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面処理工程に導入！真空チャンバーの材質は、ステンレス製で到達真空度が1Pa以下の製品の事例
自動車・バイク部品製造業へ「立体物対応実験用プラズマCVD装置」を 製造した実績についてご紹介いたします。 立体物にDLC、アモルファスSiC等が成膜可能な基材加熱機構付き (最高設定温度：500℃)の製品を導入。 また、PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギングが できます。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【実績概要】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基材加熱機構付き(最高設定温度：500℃) ■PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギング ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶Si太陽電池セル量産用 NSG(SiO2)/PSG/BSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置
AMAX1000Sは「AMAX」シリーズの実績をもとに、太陽電池(セル)製造用に開発された連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・156mm角/125mm角ウェハ対応 ・1500枚/hの高生産性 ・太陽電池用薄型ウェハ対応 【用途】 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
引張り～圧縮の応力制御が可能！スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有しています！
ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『CVD装置』のオーダーメイド 製作実績をご紹介します。 「太陽電池用プラズマCVD装置」をはじめ、「立体物用プラズマCVD装置」や 「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有。 デモ機にてサンプル処理を実施しております。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【製作実績（抜粋）】 ■太陽電池用プラズマCVD装置 ■立体物用プラズマCVD装置 ■研究開発用ロードロック式プラズマCVD装置 ■金属容器用プラズマCVD装置 ■医療容器用プラズマCVD装置 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
広範な膜特性の制御可能！大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
『酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置』は、2周波独立印可方式により、 低応力、高硬度、高絶縁性を実現します。 ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減 および生産性を向上。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い汎用性を備えたシンプルな構造！独自のプラズマ制御方式を採用しています
『立体物用プラズマCVD装置』は、豊富な蓄積データを有し、 独自のプラズマ制御方式を採用しています。 チャンバー容積は1m3。 多段式大量一括処理可能で、高い汎用性を備えたシンプルな構造です。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■チャンバー容積：1m3 ■独自のプラズマ制御方式 ■多段式大量一括処理可能 ■高い汎用性を備えたシンプルな構造 ■様々な製品材質に成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
粉体の連続熱／CVD処理、連続CNT合成などに
反応管の傾斜と回転機構により、粉末試料の連続フィード／回収機構を有する連続CVD処理装置です。 粉末試料表面へのカーボコート、熱処理、CVD処理、ドープ処理などの大量生産が可能。 大面積の配向CNT基板や、多収量の粉末タイプCNTの大量生成に適します。
CVD装置
●特徴 本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質（気体、液体、固体）としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる（励起状態にする）手法として、熱、プラズマ、光（レーザー、紫外線など）があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。
3種類の堆積装置をラインアップ！用途に合わせてお選びください
株式会社片桐エンジニアリングが取り扱う、『ナノカーボン堆積装置』を ご紹介いたします。 当製品は、ナノカーボン材料を合成可能なCVD装置です。 「CND-050LP」をはじめ、大面積ナノカーボン堆積装置「LCND-200」や PNナノカーボン堆積装置「NCD-050W」をラインアップ。 用途に合わせてお選びいただけます。 【特長】 ■ナノカーボン材料を合成可能 ■3種類のラインアップ ■用途に合わせて選べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
優れた膜厚・不純物濃度の均一性。高生産性と低価格を実現した常圧CVD装置
常圧CVD装置「AMAX800V」は、φ200mmウェーハ対応、モノシランガスの反応特性を応用したUSG、PSG、BPSG等の絶縁膜およびシリコン基板の裏面保護膜を形成する連続式常圧CVD装置です。 搬送機構の改良により高スループットを実現しました。 SiCトレーの採用により重金属汚染は発生しにくくなり、また熱による経年変化が少なく安定したプロセス性能が得られます。 【特徴】 ○高スループット性 ○優れた成膜特性 ○メンテナンス性 ○金属汚染低減(オプション対応) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
