更新日： 集計期間:2025年04月16日～2025年05月13日
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「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有しています！
ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『CVD装置』のオーダーメイド 製作実績をご紹介します。 「太陽電池用プラズマCVD装置」をはじめ、「立体物用プラズマCVD装置」や 「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有。 デモ機にてサンプル処理を実施しております。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【製作実績（抜粋）】 ■太陽電池用プラズマCVD装置 ■立体物用プラズマCVD装置 ■研究開発用ロードロック式プラズマCVD装置 ■金属容器用プラズマCVD装置 ■医療容器用プラズマCVD装置 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
広範な膜特性の制御可能！大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
『酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置』は、2周波独立印可方式により、 低応力、高硬度、高絶縁性を実現します。 ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減 および生産性を向上。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い汎用性を備えたシンプルな構造！独自のプラズマ制御方式を採用しています
『立体物用プラズマCVD装置』は、豊富な蓄積データを有し、 独自のプラズマ制御方式を採用しています。 チャンバー容積は1m3。 多段式大量一括処理可能で、高い汎用性を備えたシンプルな構造です。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■チャンバー容積：1m3 ■独自のプラズマ制御方式 ■多段式大量一括処理可能 ■高い汎用性を備えたシンプルな構造 ■様々な製品材質に成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
粉体の連続熱／CVD処理、連続CNT合成などに
反応管の傾斜と回転機構により、粉末試料の連続フィード／回収機構を有する連続CVD処理装置です。 粉末試料表面へのカーボコート、熱処理、CVD処理、ドープ処理などの大量生産が可能。 大面積の配向CNT基板や、多収量の粉末タイプCNTの大量生成に適します。
CVD装置
●特徴 本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質（気体、液体、固体）としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる（励起状態にする）手法として、熱、プラズマ、光（レーザー、紫外線など）があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。
3種類の堆積装置をラインアップ！用途に合わせてお選びください
株式会社片桐エンジニアリングが取り扱う、『ナノカーボン堆積装置』を ご紹介いたします。 当製品は、ナノカーボン材料を合成可能なCVD装置です。 「CND-050LP」をはじめ、大面積ナノカーボン堆積装置「LCND-200」や PNナノカーボン堆積装置「NCD-050W」をラインアップ。 用途に合わせてお選びいただけます。 【特長】 ■ナノカーボン材料を合成可能 ■3種類のラインアップ ■用途に合わせて選べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
優れた膜厚・不純物濃度の均一性。高生産性と低価格を実現した常圧CVD装置
常圧CVD装置「AMAX800V」は、φ200mmウェーハ対応、モノシランガスの反応特性を応用したUSG、PSG、BPSG等の絶縁膜およびシリコン基板の裏面保護膜を形成する連続式常圧CVD装置です。 搬送機構の改良により高スループットを実現しました。 SiCトレーの採用により重金属汚染は発生しにくくなり、また熱による経年変化が少なく安定したプロセス性能が得られます。 【特徴】 ○高スループット性 ○優れた成膜特性 ○メンテナンス性 ○金属汚染低減(オプション対応) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
SiCトレーを採用！搬送システムで、大量生産を可能にするとともにコストを抑えた装置
『A6300S』は、毎時120枚のスループットを擁する小口径ウェハ対応 大量生産用連続式常圧CVD装置です。 自動トレー交換装置、ヘッド昇降機構を備え、メンテナンス時間を短縮し 生産可能時間を延伸するとともに、お客様の大量生産のニーズとオペレータの 安全にも配慮しました。 【特長】 ■高い生産性：毎時120枚の処理が可能 ■重金属汚染対策：ウェハ裏面からの金属汚染を防止 ■高性能：A63型ヘッドを採用し、良好な膜厚分布を実現 ■メンテナンス性の向上：短時間で安全にメンテナンスが可能 ■フットプリント：トレー枚数を最小化し装置面積の小型化に成功 ■安全性：インターロック、装置機構の好適化により高い安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
漏洩マイクロ波検出用も付属！試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サンプルMAXサイズ10mm口！耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます
『レーザーCVD装置』は、CO2レーザーをあてながらCVD成膜する 装置です。 600℃までヒーター加熱。チャンバーサイズは、φ300 × 300Hです。 耐熱、断熱セラミック研究用途でご利用いただけます。 【仕様】 ■サンプルMAXサイズ10mm口 ■600℃までヒーター加熱 ■RPにて排気、MAX 5Pa ■O2 x 1 Ar x 4系統 MFC仕様 ■φ300 x 300H チャンバーサイズ ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡単に試料セットする事が可能！外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができます
当製品は、高周波加熱コイルの中心に試料ステージ（自動回転機構付き）があり、 外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができるCVD装置です。 サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能。 簡単に試料セットする事ができます。 オプションでチャンバー上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能です。 【特長】 ■外部ビューポートよりYAGレーザーを入射し成膜ができる ■サンプル導入口はチャンバー側面で、両側開閉可能 ■簡単に試料セットする事ができる ■上部にガス供給系（最大5系統）を設置する事も可能（オプション） ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3インチウェハ対応！コンパクトな設計となっており省スペース化を実現しました
当製品は、酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。 コンパクトな設計となっており省スペース化を実現。 内面処理は電解研磨、チャンバー材質はSUS316です。 また、3インチウェハ対応となっております。 【特長】 ■酸化シリコンを成膜 ■コンパクトな設計となっており省スペース化を実現 ■3インチウェハ対応 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最高900℃の加熱制御が行えるホットウォール式の熱CVD装置
ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
