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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
シリコンのノンボッシュプロセスの新しいデータを掲載しています
当資料では、ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データについて ご紹介しています。 RIE-800iPを用いてノンボッシュプロセスで加工したシリコンエッチング結果 などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■プロセス ■高アスペクト ボッシュプロセス加工結果 ■順テーパー形状加工結果 ■シリコン側壁観察SEM結果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaNマイクロLEDメサ加工の結果、GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを掲載！
当資料では、マイクロLED向けのICPエッチングの加工例を ご紹介しています。 実験及び結果として、GaNマイクロLEDメサ加工の結果や GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■実験及び結果 ■GaNマイクロLEDメサ加工の結果 ■GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データ ■まとめ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3L容器までコーティング可能！容器軽量化による物流コストの低減などに貢献します
当製品は、当社が得意としているプラズマCVDプロセス技術を応用し、 樹脂容器材質として一般的に普及している「PETボトル」への DLCコーティングに特化した成膜装置です。 PETボトル内面へサブミクロンオーダーのDLC薄膜コーティングを施すことで、 内容物の酸化による風味劣化防止や、炭酸成分の溶出防止、 また容器軽量化による物流コストの低減などに貢献します。 【特長】 ■必要生産本数により、様々な装置構成のご提案可能 ■3L容器までコーティング可能 ■3L以上の容器に関してもご相談下さい ■PET樹脂以外の樹脂材質に関してもご相談下さい ■金属材質に関してもご相談下さい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ランプ加熱式の為にRTP、RTCVD処理可能！クオーツ製チューブ型チャンバー
『MC-050』は、最大50mm径基板対応のDLI-CVD/DLI-ALD装置です。 最大成膜温度は1100℃(ランプ加熱方式)で、最大6×DLI気化器を搭載可能。 また、マスフローコントローラーは最大8、ターボポンプ搭載可能です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大50mm径基板対応 ■最大成膜温度：1100℃(ランプ加熱方式) ■最大6x DLI気化器を搭載可能 ■マスフローコントローラー：最大8 ■クオーツ製チューブ型チャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多彩なプラズマソースが搭載可能！CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計
当社では、研究開発や小規模バッチ量産向け装置である、 「CVD・MOCVDカスタマイズ装置」を取り扱っております。 CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計で、 PLUM、FLARION及びMIRENIQUEシリーズの多彩なプラズマソースが搭載可能。 また、FLOCONシリーズのフロー管理システムを搭載しております。 【特長】 ■研究開発や小規模バッチ量産向け装置 ■CVD、MOCVDやALD装置をカスタマイズ設計 ■PLUM、FLARION及びMIRENIQUEシリーズの 多彩なプラズマソースが搭載可能 ■FLOCONシリーズのフロー管理システムが搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18ｍ離して設置することができます。
本装置は、4/5/6 及び 8 インチ・ウェハーに対応しており、プラズマ CVD 法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。 基本構成は、プロセス・モジュール及び RF ジェネレータ・モジュール（高周波,低周波各 1Set ）、バキュームポンプ・モジュールの 3 モジュールで構成され ます。
小型でスペース効率の優れた装置！基板はφ4インチ対応で、加熱機構・T/S可変機構付き！
当製品は、TEOSをはじめ、液体原料ソースを対象とした シリンダーキャビネット付きプラズマCVD装置です。 液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構を備えており、 内部異常放電防止対策や安定プラズマ生成目的の独自のプラズマ電極を 設計開発。 上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンスでき、小型でスペース効率の 優れた装置です。 【特長】 ■シリンダーキャビネット付き ■液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構搭載 ■独自のプラズマ電極を設計 ■上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンス可能 ■小型でスペース効率が優れている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
大学・研究機関でグラフェンなど炭化水素系化合物での各種材料開発に適した、管状炉式の高温熱CVD 装置
少量・小サイズのテストピースが簡単な操作で作れるように小型化し、 同時に大幅なコストダウンを実現しました。 また、従来小型では困難とされてきた5～100Pa での圧力コントロール機能を備え、 より多様な処理パターンに対応可能としました。 さらに炭化水素系の可燃性ガスに対しては、警報検出による機器停止、 大気放出ガス希釈ユニットなどの安全装置を備えています。 詳しくは、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
コンパクトで省電力！デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験用プラズマCVD装置
ダイヤモンドの単結晶成長(ホモエピタキシャル)が可能な 高純度のダイヤモンド合成実験を行うためのプラズマCVD装置 【特徴】 ○コンパクトで省電力 ○超高真空技術を駆使しており、プラズマが室壁に接触しないため デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験が可能 ○球状コンパクトチャンバー＋特殊電極により、高効率な運転が可能 ○放電状態を見ながらの実験が可能 ○試料導入はロードロック方式への発展が可能 ○完全なシールド構造により、マイクロ波の漏れ対策は万全 ○全て空冷仕様により、電力とガス供給のみでの運転が可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応
装置サイズを可能な限りコンパクト化！安定した成膜処理と低パーティクルを実現
『A200V』は、少量多品種から大量生産までカバーするφ150・φ200mm ウェーハ対応の枚葉式常圧CVD装置です。 フェイスダウン式成膜方法の採用により優れた膜厚均一性、パーティクル 制御、埋め込み性能を発揮し、SiH4をベースとしたシリコン酸化膜を成膜。 また、TEOS-O3、SiH4-O3もオプション対応が可能な装置です。 【特長】 ■フェイスダウンポジション ■コンパクトな装置デザイン・構成 ■メンテナンス性と高い生産性の両立 ■優れた膜厚均一性と埋め込み性 ■オペレーターが加熱部分に直接接触しないよう安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
10種類以上の半導体ガスを自在にコントロール可能！カスタマイズ可能
縦型、枚葉、ウェハーサイズ、ガス種、フットプリントなど多くの使用に対応。汎用性を重視したハイグレード縦型減圧CVD装置です。標準仕様を基にカスタマイズを施し、より安価に製造することも可能です。 【特長】 ■スモールフットプリントながらウエハーサイズ3" 6" 8"/inchに対応 ■ヒーター昇降機能によりナチュラル酸化を低減 ■常温～900℃まで安定した温度コントロールを実現 ※詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。
低温成膜。高絶縁、ハイバリア、均一性！
『PEGASUS』は、メモリ、パワーデバイス、MEMSへの 絶縁膜、保護膜の形成プロセスに低温で緻密な安定した成膜が可能な 量産対応型プラズマCVD装置です。 インターロック機構による、高い安全性を持ち合わせており、ウエハ 接触部位に非金属を使用しているため、裏面からの汚染を防止します。 【特長】 ■低温成膜 ■メンテナンス性 ■ウエハ取扱い ■フットプリント ■保守メンテナンス など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
完全に再生(リファブ)され、アップグレードされたレガシーMOCVD装置を最良のサービス、サポートと共に提供します。
Agnitron社は中古装置の使用履歴、装置特徴を等を熟知しており、ニーズを満たす中古装置の再生（リファブ）、アップグレードを実施します。また材料科学、プロセスエンジニアリングに精通しており、装置のエンジニアリングだけに留まらず、装置の過去使用履歴が将来の性能にどのように影響を与えるか、部品の再利用可否、交換する適切な時期を把握していますので安心して装置を購入、使用して頂けます。 (1) 標準及びオプションのアップグレードにより新たな機能追加可能。 (2) 部品、サービス提供体制。 (3) 様々なお客様の要求に柔軟に対応。 (4) オプションによりエピ検収保証可能。
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃） ■PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面処理工程に導入！真空チャンバーの材質は、ステンレス製で到達真空度が1Pa以下の製品の事例
自動車・バイク部品製造業へ「立体物対応実験用プラズマCVD装置」を 製造した実績についてご紹介いたします。 立体物にDLC、アモルファスSiC等が成膜可能な基材加熱機構付き (最高設定温度：500℃)の製品を導入。 また、PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギングが できます。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【実績概要】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基材加熱機構付き(最高設定温度：500℃) ■PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギング ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶Si太陽電池セル量産用 NSG(SiO2)/PSG/BSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置
AMAX1000Sは「AMAX」シリーズの実績をもとに、太陽電池(セル)製造用に開発された連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・156mm角/125mm角ウェハ対応 ・1500枚/hの高生産性 ・太陽電池用薄型ウェハ対応 【用途】 ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
引張り～圧縮の応力制御が可能！スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れた膜厚分布および再現性を実現！マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能
当社が取り扱う『CVD装置』をご紹介します。 2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現する 「酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置」をはじめ、「DLCコーティング装置」 「カーボンナノチューブ合成装置」などをラインアップ。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能です。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置 特長】 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ■トレイ搬送にも対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有しています！
ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『CVD装置』のオーダーメイド 製作実績をご紹介します。 「太陽電池用プラズマCVD装置」をはじめ、「立体物用プラズマCVD装置」や 「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有。 デモ機にてサンプル処理を実施しております。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【製作実績（抜粋）】 ■太陽電池用プラズマCVD装置 ■立体物用プラズマCVD装置 ■研究開発用ロードロック式プラズマCVD装置 ■金属容器用プラズマCVD装置 ■医療容器用プラズマCVD装置 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
広範な膜特性の制御可能！大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
『酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置』は、2周波独立印可方式により、 低応力、高硬度、高絶縁性を実現します。 ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減 および生産性を向上。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い汎用性を備えたシンプルな構造！独自のプラズマ制御方式を採用しています
『立体物用プラズマCVD装置』は、豊富な蓄積データを有し、 独自のプラズマ制御方式を採用しています。 チャンバー容積は1m3。 多段式大量一括処理可能で、高い汎用性を備えたシンプルな構造です。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■チャンバー容積：1m3 ■独自のプラズマ制御方式 ■多段式大量一括処理可能 ■高い汎用性を備えたシンプルな構造 ■様々な製品材質に成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大成膜温度は800℃！チャンバー加熱機構で最大4x DLI気化器を搭載可能
『MC-100/MC-200』は、スチールステンレス製チャンバーの DLI-CVD/DLI-ALD装置です。 最大200mm径基板対応、マスフローコントローラーは最大「MC-100」が8、 「MC-200」は6で、ターボポンプ搭載可能となっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板対応 ■最大成膜温度：800℃ ■最大4x DLI気化器を搭載可能 ■マスフローコントローラー：最大 8 ■スチールステンレス製チャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
粉体の連続熱／CVD処理、連続CNT合成などに
反応管の傾斜と回転機構により、粉末試料の連続フィード／回収機構を有する連続CVD処理装置です。 粉末試料表面へのカーボコート、熱処理、CVD処理、ドープ処理などの大量生産が可能。 大面積の配向CNT基板や、多収量の粉末タイプCNTの大量生成に適します。
