Last Updated： Aggregation Period:2025年08月13日～2025年09月09日
This ranking is based on the number of page views on our site.
1～11 item / All 11 items
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃） ■PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3インチウェハ対応！コンパクトな設計となっており省スペース化を実現しました
当製品は、酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。 コンパクトな設計となっており省スペース化を実現。 内面処理は電解研磨、チャンバー材質はSUS316です。 また、3インチウェハ対応となっております。 【特長】 ■酸化シリコンを成膜 ■コンパクトな設計となっており省スペース化を実現 ■3インチウェハ対応 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
SiCトレーを採用！搬送システムで、大量生産を可能にするとともにコストを抑えた装置
『A6300S』は、毎時120枚のスループットを擁する小口径ウェハ対応 大量生産用連続式常圧CVD装置です。 自動トレー交換装置、ヘッド昇降機構を備え、メンテナンス時間を短縮し 生産可能時間を延伸するとともに、お客様の大量生産のニーズとオペレータの 安全にも配慮しました。 【特長】 ■高い生産性：毎時120枚の処理が可能 ■重金属汚染対策：ウェハ裏面からの金属汚染を防止 ■高性能：A63型ヘッドを採用し、良好な膜厚分布を実現 ■メンテナンス性の向上：短時間で安全にメンテナンスが可能 ■フットプリント：トレー枚数を最小化し装置面積の小型化に成功 ■安全性：インターロック、装置機構の好適化により高い安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
優れた膜厚・不純物濃度の均一性。高生産性と低価格を実現した常圧CVD装置
常圧CVD装置「AMAX800V」は、φ200mmウェーハ対応、モノシランガスの反応特性を応用したUSG、PSG、BPSG等の絶縁膜およびシリコン基板の裏面保護膜を形成する連続式常圧CVD装置です。 搬送機構の改良により高スループットを実現しました。 SiCトレーの採用により重金属汚染は発生しにくくなり、また熱による経年変化が少なく安定したプロセス性能が得られます。 【特徴】 ○高スループット性 ○優れた成膜特性 ○メンテナンス性 ○金属汚染低減(オプション対応) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品質な真空成膜を実現！
『VC-R400F』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。 実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。 多点制御により、より細かな均一性を確保。 手動、自動、オプションも多彩です。 【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現 ■LIAの多点制御により、より細かな均一性を確保 ■従来比5倍以上の超高速成膜を実現 ■多彩なオプションをご用意 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低温成膜。高絶縁、ハイバリア、均一性！
『PEGASUS』は、メモリ、パワーデバイス、MEMSへの 絶縁膜、保護膜の形成プロセスに低温で緻密な安定した成膜が可能な 量産対応型プラズマCVD装置です。 インターロック機構による、高い安全性を持ち合わせており、ウエハ 接触部位に非金属を使用しているため、裏面からの汚染を防止します。 【特長】 ■低温成膜 ■メンテナンス性 ■ウエハ取扱い ■フットプリント ■保守メンテナンス など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面処理工程に導入！真空チャンバーの材質は、ステンレス製で到達真空度が1Pa以下の製品の事例
自動車・バイク部品製造業へ「立体物対応実験用プラズマCVD装置」を 製造した実績についてご紹介いたします。 立体物にDLC、アモルファスSiC等が成膜可能な基材加熱機構付き (最高設定温度：500℃)の製品を導入。 また、PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギングが できます。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【実績概要】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基材加熱機構付き(最高設定温度：500℃) ■PC操作(シーケンサー制御)で、全自動、データロギング ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
