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当社では、研究開発から小規模量産まで対応可能な「イオンアシスト・ スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 本装置は、半導体デバイス、ナノテクノロジー、強誘電性・強磁性薄膜、 超伝導薄膜など、幅広い分野への応用が可能です。 特に、バイアス・スパッタリングの代替技術として、緻密かつ高密着性の 薄膜成膜を実現し、膜応力の制御も容易。さらに、最大基板温度800℃までの 高温成膜に対応しており、絶縁性基板への成膜も可能です。 【特長】 ■高温基板加熱機構とイオンアシスト効果により、緻密かつ密着性の 高い薄膜を提供可能 ■熱伝導性に優れたウェーハキャリア ■合金成膜、反応性スパッタによる酸化物、窒化物の成膜に対応 ■イオン源は強い指向性と集中イオンエネルギーバンド幅を有する エンドホール型(カウフマン型)を使用 ■ラボスケールから小規模量産に対応し、緻密性と密着性に優れた薄膜成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「フォトマスクのRIEドライエッチング装置」をご紹介します。 フォトマスクのキャリアとして、「シャトル」を採用している為、ハードウエハを交換する事無く、「シャトル」の交換のみで様々なサイズのフォトマスクを処理する事が可能。 オープンロード、ロードロックタイプを揃えており、ロードロックタイプであれば、MoSi,Cr,Ta系のエッチングも1つのチャンバーで処理出来る事があります。 【特長】 ■コンパクト設計 ■プラズマクリーニングにより簡単にリアクター内のクリーニング可 ■リアクタターチャンバー内の汚染防止としてライナーを採用 ■差し込み式の為、取り外しが簡単 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国 国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京ビッグサイトにて開催される「セミコンジャパン2024」に出展いたします。 弊社は、プラズマ技術を中心にエッチング、成膜、洗浄装置、ALDライク成膜装置、 イオンビーム装置、PVD装置、RTP装置を取り扱っております。 また、バッチ式スパッタ装置や、電子ビーム蒸着装置もラインアップとして揃えており、様々な用途にご提案が可能です。 ブースにて開催するセミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、 ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術とKBOUS FAST-CVDの成膜レートで、 ALDライク成膜が可能な新技術をご紹介予定です。ぜひ、ご来場ください。 【開催概要】 ■会期：2024年12月11日(水)～13日(金) 10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト 東4ホール 4032 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ■最寄り駅 ・りんかい線 国際展示場駅(下車 徒歩約7分) ・ゆりかもめ 東京ビッグサイト駅(下車 徒歩約3分) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
『TFE ニューイオンビームスパッタシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、特にMTJ素子等の強磁性薄膜の 薄膜形成がプラズマダメージフリーで可能な強磁性膜・固体電解質 成膜ソリューションです。 また固体燃料電池用電解質の成膜において、良好な膜厚分布を実現した イオンビームスパッタリング装置。 さらには、手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよび PCによる完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを 実現したスパッタリング装置です。 【特長】 ■強磁性素子(MTJ用薄膜の成膜に応用可能なプラズマダメージ フリーなプロセス) ■固体燃料電池用電解質の膜厚均一性に優れた成膜 (グローブボックス装着可能) ■優れた膜厚均一性(＜2％：3σ, 200mmウェーハ) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『TFE ニュースパッタリングシリーズ』は、多彩な機能を有する 研究開発及び小規模生産用システムであり、金属ナノ粒子、ナノワイヤー、 ナノシートなどのナノマテリアル用メタル膜・誘電体膜の最大800℃までの 高温成膜が可能な小型スパッタリング装置です。 また手動あるいは自動ロードロックが選択可能で、かつPLCおよびPCによる 完全自動制御とインターネットによるリモートコントロールを実現した スパッタリング装置。 ナノマテリアル用薄膜成膜において高い基板加熱温度(最大加熱温度： 800℃)を求めるエンジニアの方におすすめします。 【特長】 ■ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、 ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適 ■他社装置では困難な800℃基板加熱が可能 ■基板回転付きコスパッタが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
高密度ラジカルクリーニングプロセスは、繊細なデバイスや複雑な構造を 損傷することなく、フォトレジストやポリマーなどの残留物を、 完全に除去することが可能です。 さらに、医療用インプラント応用など精細な構造物に対しても リモートプラズマを用いた独自のプラズマソースにより、ウェットプロセスでは 完全な除去が不可能であった残留物の除去が可能。 また、高密度ラジカルフラックスによる複雑な形状の高温のみならず、 低温でのプロセッシングができます。 【特長】 ■広い温度範囲での柔軟な処理が可能 ■選択比及び均一性の高いプロセス ■複雑な形状のサンプルを完全にクリーニングする性能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『TFE BH/BVバッチタイプスパッタリングシリーズ』は、基板への パーティクルの着膜が極めて少ない垂直搬送方式とメンテナンス性に優れた 水平搬送方式が選択可能であり、各カソード直下での基板高速スキャンにより インライン方式ながら膜厚の精密な制御を実現する航空宇宙工学・医療用 スパッタリングソリューションです。 また、メタル用ハイレートDCマグネトロン、酸化物用RFマグネトロン、 デュアルカソード式ACスパッタが選択可能で、かつハイエンド機能膜の 高スループット生産を可能とします。 ハイエンドバッチ装置を用いた生産用高スループット成膜を模索している エンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■基板ホルダー(パレット)のスウィングによる良好な膜厚分布 ■RF式エッチングチャンバーによるクリーニングプロセスが可能 ■DC基板バイアス(オプション)によるスパッタリングプロセスの拡張性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールによる 精細な薄膜成膜アプリケーションを実現したイオンビーム成膜プロセスを 可能にするダメージフリーイオンビーム成膜ソリューションです。 独自開発のMarathon-grids技術の応用をはじめとしたメンテナンス周期の 延長は生産上重要な要素であり、現在お使いの既存のシステムに 設置することも可能。 ターゲットは設定したエネルギーのイオンビームでスパッタリングされるため 広いプロセスウィンドウを有します。 【特長】 ■RFシャントによるイオンソースの短絡を防止するREDEPブレーカー ■イオンソースのアノード消失を防止する補助電極システム ■機械式シャッターが不要なバーチャルシャッターの採用による パーティクル削減 ■2つ中和器を一体化したのDual PBN(オプション) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 (サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『故障解析用Corial Shuttlelineシリーズ』は、半導体ICの絶縁層だけ ではなくメタル層も選択的に除去可能な故障解析用装置であり、 フットプリントが小さく、費用対効果の高い故障解析システムです。 電気的な特性を維持するためにメタル層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、メタルエッチングを含む高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIEによる精度の高いエッチングプロセスを提供。 故障解析ソリューションは、最大200mmまでのダイ・パッケージダイ 及びフルウェーハを解析可能です。 【特長】 ■電気的な特性を維持するために金属層を侵食させることがない ■マルチレベルのデプロセッシングから、金属エッチングを含む 高い選択比プロセス ■ウェットエッチングでは1日～5日間程度要する解析時間を 1〜2時間で可能にする ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『KOBUS-F.A.S.T』は、ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを 両立させたF.A.S.Tプロセスのみならず、ALD成膜も可能な高品質 薄膜成膜プロセッシングを実現するソリューションです。 下地層SiO2、バリア層TiO2、メタル層Cu・Coや透明導電体ZnOxのALD及び 良好なカバレッジを維持したF.A.S.Tハイレート成膜の用途で使用。 ALD成膜において膜質やカバレッジを維持したまま成膜速度を向上させる 手法を模索しているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■ALDのカバレッジとPECVDの成膜レートを両立させたプロセス ■ALD成膜も本装置で成膜可能 ■高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う、「イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)」を ご紹介いたします。 標準的なエントリーモデルから、膜厚均一性等の精密な制御が可能な ハイエンドモデルまでラインアップ。企業、アカデミアでの研究開発向けに、 グローブボックス付属等の特殊仕様にも対応します。 また、R＆Dのラボスケールから量産まで対応し、難エッチング材料のエッチング プロセスや、デュアルイオンガンシステムを搭載した様々な材料の均一性及び 膜厚分布を重視した成膜が可能です。 【特長】 ■標準的なエントリーモデルから、膜質等の精密制御の可能な ハイエンドクラスまで、要求性能に合わせたモデルのご提案が可能 ■R＆D、アカデミアでの研究用途に、グローブボックスの接続やその他の 特殊仕様にも対応が可能 ■膜厚均一性は200mmウェーハで＜0.6％(3σ)達成 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 【特長】 ■独自の技術で全ての金属、酸化物ターゲットに対応 ■面サイズは1mmx1mmから300mmx560mm、厚さは25mmまで対応可能 ■異なるサイズへの成膜でも、ハードウェア・ソフトウェアの変更が不要 ■ヨーロッパ各国の研究機関から推薦状をいただいたThin Film Equipment ※英語版資料をダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スループット、 プロセスの柔軟性も向上(当社サセプタ使用装置と比較) ■新モデルでは2チャンバ構成に対応し、シングルからダブルチャンバへの 将来のアップグレードも可能 ■Plasma-Therm独自のユーザーフレンドリーな制御システム「Cortex」 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『Plasma POD シリーズ』は、小型でコンパクトな 卓上タイプエッチング・成膜装置です。 設置スペースに限りがあり、低コストでエッチング・成膜装置の 導入をご検討されている方にお勧め。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■装置最大サイズ 80cmx80cmx80cm(高さ） ■タッチパネルで簡単操作 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う『Corial D250L/Kayen HDRF』により、 プラズマ技術のバイオ・医療への応用が可能です。 人体埋め込み型センサーや医療機器のパッシベーション膜を形成。 複雑な形状のインプラント用セラミック、金属物の 表面除染も対応可能です。 【パッシベーション膜の特長】 ■現在、業界で注目されている、以下4種の膜形成が可能 ・a-SiC:H(堅牢膜) ・a-C:H(不活性で耐摩耗性膜) ・SiN(ストレスと堅牢制御膜) ・SiO2：BioMEMS(低ストレスで高い絶縁破壊膜) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 難しいエッチングプロセスや薄膜形成アプリケーションにおいて、 プロセス結果を実現できるエッチング・成膜装置です。 当製品のMarathon grids技術は、重要な要素となっており、現在お使いの 既存のシステムに設置する事も可能。 世界の多くのお客様が、grid技術で既存装置の性能を向上させ、寿命を 2倍以上に伸ばすことに成功しております。 【特長】 ■均一性<2% 3σ(200mmウエハ)、スキャニングモーションを 取り入れることにより<0.6% 3σも達成可 ■従来と比較しMTBMを2倍にしたIon Source、Marathon Grid、 Dual PBNは、他社の既存装置でも搭載可能 ■当社のPVD、CVD等とのクラスター可が可能 ■150mm、200mm ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「プラズマ加工装置」は、光化合物半導体のプラズマ・エッチング・ 成膜装置です。 研究・開発から量産とシーンに適したシステムの提供が可能。 また、光電子デバイス製造に必要な幅広い材料を扱うように設計されています。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【用 途】 VCSEL、LED、μLED、Micro Lens、Wave Guide 【エッチング】 サファイア、GaN、GaAs、Si3N4、SiO2など 【成 膜】nSiO2、Si3N4、a-Si、SiCなど ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エッチング対象物へのダメージを抑える事が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社で取り扱う、『HDRF』を ご紹介いたします。 MEMS、LED、先端パッケージングのデバイス製造段階で特に重要になる、 フォトレジストや有機ポリマ残渣を低温で除去します。 ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■温度 ・Low temp：50℃ to 150℃ ・High rate：150℃ to 250℃ ■ウエハ：2"～8" ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う、『Takachi ICP Cryo』をご紹介いたします。 より異方性、高選択性が必要とされるエッチング工程で使用されます。 【特長】 ■温度範囲：-150℃～＋350℃ ■ウエハサイズ：2"～8" ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、 フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、 ロードロック付きプリロードシャトル) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MDS-100/MDS-300』は、誘導結合方式を用いることで、高出力プラズマによる 安定性、均一性に優れた25枚連続処理が可能なプラズマダイシング装置です。 高い均一性を保ちながら、ソーやレーザのようなウェハへのダメージを 発生させずに処理を行うことが可能。 高速ガス切り替えシステムを用いたBosch法によって、優れた側壁形状および 自由な形状での加工を実現し、既存の手法と比較して優れたダイ強度を 提供いたします。 【特長】 ■ダイの品質/歩留まり/ダイ形状の自由度向上に優れた処理能力で貢献 ■複数サイズのウェハに対応(MDS-100：φ4"～8",MDS-300：φ8"～12") ■誘導結合プラズマを使用した、Bosch法によるダイシング ■高速ガス切り替えシステムにより、高速で安定したステップ切り替えを実現 ■パラメータのモーフィング及びその変動傾向を設定可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の『Corial 200 Series』をご紹介いたします。 共通プラットフォームを用い、用途に応じてRIE,ICP,ICP+RIE, ICP-CVD又は、PECVDとしてコンフィギュレーションする事ができる 研究開発向け装置。 ウエハサイズは50mm,100mm,150mm,200mmです。 【特長】 ■共通プラットフォームを用いる ■RIE,ICP,ICP+RIE,ICP-CVD又はPECVD装置 ■研究開発向け ■ウエハサイズは50mm,100mm,150mm,200mm ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社のイオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』を ご紹介いたします。 大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 高いスループットを実現。 特にMarathon(TM)グリッドは、従来の方式に比べ、長期に渡り 良好な均一性を得ることが出来ます。 【仕様】 ■イオンビームシステム ■プロセス温度：-40℃～+60℃ ■傾斜角：+90度～-80度 ■ロードロック 又は、CtoC ■ウエハサイズ：100mm,150mm,200mm ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KOBUS F.A.S.T.(R)』は、産業向けALDレベル膜質のプラズマ成膜装置です。 パルス機能を利用することで、ALD(Atomic LayerDeposition：原子層堆積)と 同等薄膜を従来のCVDと同じ処理時間で生成する事が可能。 プロセス温度は80℃～500℃でウエハサイズは150mm、200mm、成膜速度は 0.1nm/min～500nm/minとなっております。 【仕様】 ■プロセス温度：80℃～500℃ ■ウエハサイズ：150mm、200mm ■成膜速度：0.1nm/min～500nm/min ■アスペクト比 ・20：1 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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