CVD装置の製品一覧
- 分類：CVD装置
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１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
装置から排出される有害な排気ガス及びシリンダーキャビネットからのベントガスを安全に処理いたします。
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
2021年12月15日(水)～17日(金)】SEMICON Japan 2021 Hybridへ出展します
株式会社巴商会は、2021年12月15日(水)～12月17日(金)に東京ビックサイトで 開催されます『SEMICON Japan 2021 Hybrid』に出展いたします。 安全・安心・安定を提供し、お客様や社会の発展に貢献することを今年の テーマとし、ガスの供給から除害まで、国内から海外まで、省エネ製品を 含め、幅広いサービスおよび設備をご紹介予定です。 【主な出展品目（予定）】 ■有機金属化合物 - Dockweiler Chemicals社製品 ■有機金属化合物 - Nouryon社製品 ■容器元弁遮断装置「VS / AVS」 ■ガス供給システム「Smartシリーズ、TMシリーズ」 ■排ガス処理装置「MAKシリーズ」、新製品（参考出展） ■横浜研究所 ■感染症対策製品 皆様のご来場を心よりお待ちいたしております。
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、不活性ガス大気圧置換（Ar, N2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、不活性ガス大気圧置換（Ar, N2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
SONOSYS社製メガソニック洗浄装置 最新リーフレット公開のお知らせ
このたび、ドイツ SONOSYS（ソノシス）社製メガソニック洗浄装置の製品リーフレットを最新版に更新いたしました。 SONOSYS社のメガソニック洗浄技術は、高周波の超音波エネルギーを純水（DI Water）などの液体を介して対象物表面へ伝達し、微細なパーティクルを効率的に除去する非接触型の精密洗浄技術です。 特に、半導体ウエハー、フォトマスク、MEMS、各種基板、光学部品など、微細構造を持つ製品の精密洗浄に適しており、半導体製造工程をはじめ、高い清浄度が求められるさまざまな分野で活用されています。 SONOSYS社では、用途や除去対象となるパーティクルに応じて複数の周波数をラインアップしているほか、Single Nozzle、Dual Nozzle、Triple Nozzleなど、多様な洗浄条件に対応するメガソニックノズルシステムを展開しています。 「ウエハーの微細パーティクルを除去したい」「フォトマスクやMEMSをダメージを抑えながら洗浄したい」「既存の洗浄工程を見直したい」といった課題をお持ちのお客様は、ぜひ最新版リーフレットをご覧ください。
◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア
- CVD装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、不活性ガス大気圧置換（Ar, N2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。
- CVD装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、不活性ガス大気圧置換（Ar, N2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、不活性ガス大気圧置換アニール（Ar, N2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)
- CVD装置
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置 (8インチウェハまで対応)
- CVD装置
結晶Si太陽電池セル量産用 NSG(SiO2)/PSG/BSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置
- CVD装置
試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置
- CVD装置
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)
- CVD装置
消費設備内で漏洩した有害なガスを安全に処理いたします。（高圧ガス保安法一般則第55条第1項 対応可）
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
UHP/UHV、超高純度、超高真空、極低温向け高度メタルシーリングソリューション
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』低締付メタルガスケット デルタベータHNRVなら可能です。
- シール・密封
- CVD装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』なら、ばね入りCリングへ置換！『デルタベータHNRV』
デルタベータHNRVは元々設計締付力(Y)が低いヘリコフレックスデルタシールと内部ばねの特殊加工の組合せで、ゴムO-RINGからの置換と性能向上を実現します。 「真空のゴムO-RINGガス透過やガス放出を無くしたい」「既設フランジのボルト数やサイズ変更が出来ない」等、そんな悩みをお持ちの方に奨めるメタルシールです。 【特長】 ■主に超高真空用 ■従来より更に低い設計締付力 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある 既設のフランジに対して使用出来ることを保証するものではありません。 既設フランジ仕様のご提供が必要です。 ※詳しくはPDFダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください。
PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します！JIS V溝フランジ用標準化
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付力Y『超高真空用デルタシール』
デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量：*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.) *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
既設のボルトのサイズ・数は変更不要？半導体製造装置で『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』などお困りの方必見！
- シール・密封
- CVD装置
- 電子ビーム描画装置
『真空のゴムOリング ガス透過やガス放出を無くしたい』なら、ばね入りCリングへ置換！『デルタベータHNRV』
デルタベータHNRVは元々設計締付力(Y)が低いヘリコフレックスデルタシールと内部ばねの特殊加工の組合せで、ゴムO-RINGからの置換と性能向上を実現します。 「真空のゴムO-RINGガス透過やガス放出を無くしたい」「既設フランジのボルト数やサイズ変更が出来ない」等、そんな悩みをお持ちの方に奨めるメタルシールです。 【特長】 ■主に超高真空用 ■従来より更に低い設計締付力 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある 既設のフランジに対して使用出来ることを保証するものではありません。 既設フランジ仕様のご提供が必要です。 ※詳しくはPDFダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください。
エラストマーシールから置換！PFASフリー！当社のメタルシールをご紹介
- シール・密封
- CVD装置
- 半導体検査/試験装置
治具製作に最適！最長5,800mmのアルミフレームを低コストで提供
- その他組立機械
- CVD装置
- アルミニウム
真空排気シミュレーションなど 低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト
- 受託解析
- 真空ポンプ
- CVD装置
クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート！ 補足情報
- CVD装置
- エッチング装置
- レジスト装置
最長5,800mmのアルミフレームを販売中！ 外装ブースなどの「組立品」としての製作も対応！他社製品との互換性あり
- その他組立機械
- CVD装置
- アルミニウム
機能性アルミフレームと豊富なアクセサリーのコストダウン【単品はもちろん、面組・立体の「組立品」としても承ります！】
- その他組立機械
- CVD装置
顧客満足と技術力を限りなく追求し、社会に貢献する。OEMや試作機の受託製造等に多くの実績を持ちます
- CVD装置
- ウエハ加工/研磨装置
- その他半導体製造装置
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- CVD装置
半導体・医療機器分野に求められる高清浄度に対応。精密洗浄から包装・組立までを一貫してクリーン環境で行います。
- CVD装置
- スパッタリング装置
- レジスト装置
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
- プラズマ発生装置
- CVD装置
超耐熱・低吸水率・優れた摺動特性を誇るエンジニアリングプラスチックです。
- CVD装置
- バルブ
- プラスチック
特殊ガス用途に開発された静電容量方式の圧力センサ
- CVD装置
- エッチング装置
- 圧力制御
特殊ガスのモニターと制御用に開発されたウルトラクリーンセンサ
- CVD装置
- エッチング装置
- 圧力制御
